液相化学还原法制备超细银粉及其形貌研究

以抗坏血酸为还原剂,在水溶液中还原银的前驱物制备超细银粉。考察了前驱物和分散剂种类以及分散剂用量对银粉颗粒形貌的影响。通过X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对银粉产品进行结构及形貌表征。结果表明:以硝酸银和银氨溶液为前驱物,随着PVP加入量的改变,银粉颗粒由树枝状向球形状转变,PVP加入量为30%时,制备出的银粉颗粒分散性好,球形度高,颗粒粒径为0.94μm。     

固化工艺对银导电胶导电性能的影响

以微米银粉为导电填料、环氧树脂(EP)为基体,制备了银导电胶。研究了固化条件和后固化热处理对银胶导电性能和微观结构的影响。结果表明:当固化温度为150℃时,银胶固化18 min时出现电阻,固化63 min时体积电阻率降至8.33×10-4Ω·cm;当固化温度为180℃时,银胶固化5 min时出现电阻,固化30 min时体积电阻率降至7.51×10-4Ω·cm。低温长时间固化有利于提高银胶的导电性能,高固化温度有利于提高低银粉含量银胶的导电性能,后固化热处理对已固化完全样品的导电性能和微观结构影响不大。     

液相还原法制备微米级银粉及其性能研究

为解决导电银浆用银粉烧结温度高和电阻率大的问题，以硝酸银(AgNO₃)为原料，硫酸亚铁(FeSO₄·7H₂O)为还原剂，柠檬酸(C₆H₈O₇·H₂O)为添加剂制备银粉。采用正交实验探究不同工艺参数对银粉尺寸和形貌的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪等对制备产物的晶体结构、形貌、烧结温度、电阻率等进行了表征。结果表明：改变柠檬酸的浓度可以调整银粉的尺寸大小和形貌，无柠檬酸条件下可以得到尺寸大小约为3μm的球形银粉，且在最佳烧结温度550℃下电阻率为2.39×10^-7Ω·m；浓度为0.015 mol·L^-1条件下可以得到尺寸大小约为3.5μm的片状银粉，且在最佳烧结温度150℃下电阻率为4.77×10^-6Ω·m；浓度为0.060 mol·L^-1条件下可以得到尺寸大小约为0.5μm的球形银粉，且在最佳烧结温度250℃...     

银导电涂料导电性能的影响因素

导电性能是银导电涂料使用时的主要性能。本文介绍了现有的多种导电机理,其中宏观上渗流理论被广泛认可。阐述了银粉（含量、形态、粒径及表面改性等）、树脂（种类、相对分子质量及结构等）、溶剂（用量及种类）、助剂以及固化工艺等对涂层导电性能的影响,其中银粉是主要影响 因素。小粒径微米级银片制备的涂层导电性能好,而纳米银粉通常在烧结后有利于提升导电性能;体积收缩率大的树脂涂层导电性更优异;升高固化温度和延长固化时间可以一定范围内提升导电性能。简述了银导电涂料近年来的研究成果以及还待进一步研究的问题。     

镀银铜粉导电胶制备及表征

为了制备高抗氧化性能铜粉,采用AgNO_3为银源,化学镀法制备了不同含银量的超细镀银铜粉。将镀银铜粉作为导电填料制备导电胶,系统研究了制备工艺对导电胶性能的影响。结合扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、X射线荧光(XRF)、流变仪测试、四探针电阻率测试、万能电子拉力机、热分析(DSC/TG)等分析手段,研究了镀银铜粉的形貌、晶体结构、导电胶黏度、电性能、强剪切度和固化过程热性能。结果表明:镀银铜粉具有较好的导电性及抗氧化性能。推荐最佳的导电胶制备工艺为:65%镀银铜粉、35%的环氧树脂,在150℃下固化10 min,该导电胶制备出薄膜的电阻率为8.73×10~(-4)?×cm,焊接铜片剪切强度为11 MPa,,具有优异的抗老化性能。     

有机硅叠瓦导电胶性能研究

通过自制有机硅胶粘剂与银粉复配制备了有机硅导电胶粘剂,采用显微镜观察固化后表面气泡,并研究了不同银含量、固化温度、固化时间以及不同银粉比例对导电胶体积电阻率及粘接性能的影响.研究结果表明:在w(银粉)=77％(相对于导电胶总质量而言)、固化温度160℃、固化时间30 min、m(类球状银粉)∶m(片状银粉)=8∶2的条...     

紫外光固化聚氨酯基导电银浆的制备及其性能研究

以超细球银与片状银粉复配作为导电相,二官能度的端乙烯基聚氨酯丙烯酸酯预聚物作为粘结相,制备出高电导率、高附着力和高柔韧性的紫外光固化聚氨酯基导电银浆。研究了超细球银与片状银粉的相对用量对银浆电导率、附着力和耐弯折性能的影响,并通过扫描电镜对银浆中银粉的分散状态进行了分析。结果表明:采用适量的超细球银与片状银粉复配,可以有效提高银浆的电导率和力学性能。当超细球银用量为6.6%(wt),片状银粉用量为65%(wt)时,银浆的电导率高达1.33×106S/m;与聚对苯二甲酸乙二醇酯基材具有良好的附着力,百格测试级别为5B;耐弯折性能优良,10次弯折测试后,电导率仍能达到3.38×105S/m。     

电子元件用贵金属粉末的生产

介绍了用化学还原法生产电子元件用高纯超细球形银粉，钯银合金粉的车间生产工艺及其生产设备特点，探讨了影响粉末形貌的各个因素，用本工艺与设备批量生产的银粉、钯银合金粉完全符合电子元件的使用要求。     

太阳能电池无铅导电电极的制备及电性能研究

以Bi2O3、B2O3和SiO2为主要原料制备无铅玻璃粘合剂,将其与导电银(Ag)粉、Al2O3、MnO2等无机添加剂和α-松油醇等有机载体进行混合制备无铅导电银浆,在800℃的温度下烧结20s形成Ag电极。采用四点探针法测量Ag电极电阻率ρ,通过SEM观察其断面形貌并用Keithley2400数字源表测定电池的相关性能参数,研究了Ag电极中导电Ag粉含量对电极性能的影响,确定了无铅导电Ag浆的质量配比为:导电银粉75%,玻璃粘合剂(Glass frit,GF)4%,无机添加剂1%,有机载体20%时,Ag电极的电性能趋于最佳。     

高强度单组分环氧导电银胶的制备

以E51环氧树脂作基料,甲基六氢苯酐(MHHPA)作固化剂,三级胺加合物作促进剂,按m_(E-51):m_(MHHPA):m_(三级胺加合物)=45:38:2配料,再配入5%(占配方总质量百分比)的稀释剂丙二醇甲醚醋酸酯及78%(占配方总质量百分比),粒径为2~4μm的片状银粉,制备出单组分环氧导电银胶。该导电胶可在150℃条件下,30 min快速固化,固化后体积电阻率为1.1×10~(-6)Ω·m,剪切强度可达14 MPa,常温25℃条件下贮存40 d未凝胶,且无明显析出或分层。     

低温固化导电银浆体系研究进展

低温固化导电银浆作为制备电子元器件的关键功能材料，能够在固化后拥有优异的电导率、硬度、附着力及耐弯折性等性能，已被广泛应用于电子信息工业领域。本文综述了低温固化导电银浆体系中不同形貌粒径银粉的复配、有机树脂的性质、溶剂和常见助剂对其性能的影响，并列举了该体系在导电胶领域的一些应用。展望了未来电子信息行业对低温固化导电银浆更高的应用要求。     

LED封装用导电银胶的研制

以环氧树脂为主要成分,配合以平均粒径为0.2μm的片状银粉、聚酰胺酰亚胺预聚体,加入适当的潜伏型固化剂、促进剂、稀释剂、偶联剂等,制备了高性能LED用导电银胶。该导电银胶为单组分,常温贮存,剪切强度为17.8 MPa(室温)和5.34 MPa(150℃),体积电阻率1x10-5Ω·cm。     

银瓷茶罐制备及其存储黑茶品质分析

制备了一种陶瓷烧结用银浆,用该银浆制备了银瓷茶罐,表征了该茶罐存茶效果,以期利用银的防腐抑菌作用开发经济、安全的银瓷食品容器。银浆制备工艺中,球形银粉与片状银粉比例为3∶2,银粉质量占银浆质量的70%,玻璃粉质量占银浆质量的6%,载体质量占银浆质量的24%。确定烧结工艺为80℃干燥15 min,150℃干燥5 min,200℃干燥15 min,350℃干燥15 min,之后温度升至640℃烧结保温5 min后随炉降温。利用上述银浆制得银瓷茶罐并存放黑茶,效果良好。     

石墨烯/镁离子掺杂羟基磷灰石纳米复合材料的制备

以明胶为模板,镁离子为形貌调节剂,采用水热法及热处理制备了具有球形形貌的石墨烯(GR)/镁离子掺杂羟基磷灰石(Mg-HA)纳米复合材料,并对其进行了表征。结果表明:当反应体系的pH值为5.1,明胶溶液质量分数为12%,硝酸钙与磷酸氢二胺摩尔比为1.67,MgCl2浓度为0.088 mol/L时,可制备粒径为30~40 nm且具有球形形貌的明胶/Mg-HA复合材料,然后经560℃热处理,最终得到GR/Mg-HA纳米复合材料。     

超细氢氧化镁粉体的制备研究

以氨水为沉淀剂与氯化镁反应,直接沉淀法制备氢氧化镁,研究反应温度、反应时间、Mg2+的初始浓度、原料配比对产品粒径与形貌的影响,产品使用粒度分析仪、XRD、红外与透射电镜表征,在最佳反应条件(温度35℃,时间30 min,Mg2+浓度1.0 mol/L,摩尔比1∶6)下,制备得到片状,粒径150 nm超细氢氧化镁粉体。     

薄膜开关用低温固化导电银浆的研究及应用

研究了不同银粉含量、银粉形貌、银粉粒径对导电银浆电性能的影响,对比不同树脂粘结相对导电银浆电性能及对银粉润湿性的影响,探讨不同固化条件对导电银浆电阻率的影响。以自制聚氨酯为树脂粘结相,探讨了导电银浆的耐弯折性能。结果表明,以片状银粉和球状银粉混合使用作为导电相的导电效果好于两者单独使用时的导电效果。实验证明了聚氨酯为树脂粘结相的导电银浆对银粉的润湿性较好,且耐弯折性能较佳。     

还原-保护法制备纳米级银粉的研究

以氰化银钾 [KAg(CN) 2 ]为原料 ,抗坏血酸为还原剂 ,聚乙烯吡咯烷酮为保护剂和分散剂 ,将还原剂和保护剂在反应体系之外预混合 ,然后滴加到KAg(CN) 2 溶液中 ,制备出粒径分布范围为 2 0～ 30nm的银粉 ,分散剂加入到还原剂中预先混合所得银粉的平均粒径约为分散剂预先加入在原料体系中所得银粉平均粒径的 1 14,在反应温度为 35 3K前随着反应温度的增加银粉粒径逐渐减小 ,超过 35 3K后银粉粒径随反应温度的增加而增加 ,在 35 3K时反应所得银粉的粒径最小。固定还原剂和原料浓度之比 (4 9∶1 0 ) ,在其他条件相同时银粉粒径随着反应物浓度的增加而增加。反应所得银粉用油酸钝化 ,可有效地防止银粉的氧化。用透射电镜 (TEM)和紫外 -可见分光光度计 (UV -Vis)等测试手段对所制得的纳米级银粉进行了表征     

磁场处理对聚偏二氟乙烯复合材料介电性能的影响

以镍沉积钛酸铜钙纳米颗粒(NC)为填料,通过流延法制备聚偏二氟乙烯(PVDF)/NC复合薄膜(PNC),研究磁场对PNC复合材料介电性能的影响。结果表明：40 nm的镍颗粒沉积在直径200 nm的钛酸铜钙球形颗粒表面。不同磁场强度结合温度处理能够促进PNC复合材料的极化响应,从而有效调控其介电性能。高温强磁场(150℃-1.5 T)能够引发PNC复合材料的绝缘-导电相变。而30℃与1.0 T的最佳磁场条件下,增加PNC复合材料的界面极化强度,显著提升其介电性能,使PNC复合材料在10 Hz频率下获得高介电常数(21)、低介电损耗(0.10)和低电导率(1.0×10^-11S/cm)等介电性能。     

衬底温度调制生长GZO薄膜的性能研究

利用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备ZnO∶Ga透明导电氧化物薄膜,主要研究了一种类调制掺杂工艺对GZO薄膜的薄膜形貌结构和光电性能的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-VIS-NIR)和四探针测试仪对GZO薄膜进行表征。结果表明:不同的衬底温度调制下生长的GZO薄膜都具有明显的c轴择优取向,对于衬底温度调制条件下,在150℃/RT条件下的薄膜结晶最好,且在可见近红外波段(480~1600 nm)平均透过率达到85.4%左右,薄膜最低方阻达到60Ω/□。     

纳米载银沸石抗菌剂的制备及其在抗菌塑料的应用

合成了一种纳米载银沸石抗菌剂,并经过表面有机化修饰后,通过熔融共混法将其添加到聚丙烯(PP)中,制得纳米载银沸石抗菌剂/PP复合材料。透射电子显微镜(TEM)形貌表征表明所合成的沸石具有30~50 nm的均匀尺寸,载银前后的纳米沸石吸附实验表明沸石孔道内已成功地负载了一部分银。红外吸收光谱(IR)显示纳米沸石表面已成功地偶联上有机基团;热重(TGA)显示复合材料的热失重速率明显降低,热性能有一定提高;抗菌实验结果证明纳米载银粉体和复合材料均具有良好的抗菌性能。