SKY双膜片扩散硅压力变送器

我厂新生产的SKY双膜片压力变送器是力平衡式压力变送器。该变送器采用了最新IC技术制作的扩散硅力敏元件,在硅膜片上扩散力敏电阻组成惠斯登电桥,将压力转换成与之成正比的电压输出,经电子线路放大,并转换成4～20mA的直流电流输出。这种位移式结构的变送器无可动部分,结构简单,可长期稳定工作。     

EI型扩散硅力敏器件工艺技术研究

本文叙述的EI型扩散硅力敏器件为工业变送器配套使用的微差压传感器，其压力量程为0．6kPa，线性优于0．5％。该器件填补国内空白，器件性能指标达到国际80年代中期同类产品先进水平。     

工业变送器用75系列扩散硅压力传感器

介绍了工业变送器用75系列扩散硅压力传感器。其整体结构为全固态结构;其硅膜片结构分别为C型、E型和EI型三种形式;测量范围为0．6kPa～50MPa;使用温区为－30～＋80℃;全量程、全系列地满足了工业变送器的使用需求。     

扩散硅压力变送器的温度补偿方法

扩散硅压力变送器具有精度高、稳定性好、响应速度快等优点,但容易受温度影响,导致零点漂移和灵敏度漂移。因此需对扩散硅压力变送器进行温度补偿。本文提出了一种软件补偿方法,首先建立扩散硅压力变送器与温度的高阶温度补偿模型,工控机利用最小二乘回归算法(PLSR)求出压力变送器的温度补偿系数,通过HART通讯把温度补偿系数发送到压力变送器中,压力变送器通过高阶温度补偿模型就可实现对扩散硅压力变送器的温度补偿。     

扩散硅传感器、变送器型号规格介绍

我所现已批量生产的扩散硅传感器变送器有: NT870系列投入式扩散硅液位变送器 NT570、NT370系列扩散硅压力变送器 NT270系列扩散硅差压变送器 其中NT370、NT270系列变送器性能     

科技新成果信息

科技新成果信息ＢＰ８００扩散硅压力变送器由江苏金湖县计量仪器厂研制开发的ＢＰ８００扩散硅压力变送器于１９９３年１１月２９日在南京通过了由江苏省科委组织的新产品鉴定。该变送器采用了硅精蚀技术和硅晶片叠合技术相结合的ＩＣ传感器作为感测元件，质量可靠、性能...     

1151型电容式变送器讲座(二) 工作原理

上文中叙述的1151变送器动作原理,经过图4所示的变换过程,它依次由测量部分(敏感部件)和转换部分(测量电路)完成。由差压转换为电容,分两步进行。(一)差压—位移转换力平衡式变送器采用橡胶膜片、金属膜片波纹管和弹簧管做测压元件,得到一定的力。而在1151变送器中,无论测量压力高或低,都用金属平膜片做测压元件(见上文图2中的测量膜片)以得到相应的位移。     

用全息照相干涉法检验膜片压力变送器

一、导言我们利用了具有双重曝光全息照片的全息干涉术对Bailey Meter公司生产的膜片压力变送器进行了检验。这种压力变送器由一个被张紧在空心圆柱体边缘上的膜片构成,膜片的中心附近粘有一个应变片。当膜片上出现压力     

新型电动变送器

电动差压(压力)变送器经历了位移式(第一期位移式)、力平衡式的发展过程,目前又出现了第二期位移式变送器(图1)。在第一期位移式变送器中(图2),被测差压(压力)作用于弹性元件(如弹簧管、膜片、膜合)使其产生位移,再通过传动机构(如拉杆、连杆)改变差动变压器铁心的位置,使差动变压器的输出电流变化,从而把差压(压力)转换为电流信号。在力平衡式变送器中     

新产品园地

电容式差压变送器电动式差压变送器,在七十年代前,一般都是采用力平衡式,因此结构复杂而笨重,且成本高(为气动式变送器的1.8倍),可靠性、稳定性也较差。七十年代后,出现了新的微位移电子调节式的电动差压变送器,有电感式、弦振式,扩散硅压阻式和电容式。上海自动化仪表一厂研制投产的 CECC型差压变送器属电容式。可划分为差压、压力等系列,它分别将差压、压力信号转换为直流4～20mA。采用微位移并应用了液压     

从扩散硅力敏传感器Class41到智能传感器ST3000——访美国霍尼韦尔公司SSED分部

本文介绍了美国霍尼韦尔公司SSED的基本情况;介绍了扩散硅力敏传感器Class41型的基本参数和制备工艺;还介绍了智能传感器ST3000的制备工艺及在设计、性能方面与Class41型传感器的比较;由此提出对发展我国扩散硅力敏传感器的看法。     

全固态通用型压力传感器、变送器

全固态通用型压力传感器、变送器沈阳仪器仪表工艺研究所庞世信，刘沁，吕忠刚扩散硅压力传感器与应变式等其它类型压力传感器相比具有很多优点，多年来一直是人们关注的重点。国外目前已形成了系列化和通用化的产品，国内近些年来在扩散硅压力传感器开发和应用上也取得了...     

1151型电容式变送器

本文主要介绍西安仪表厂从美国罗斯蒙特公司技术引进的1151型电容式变送器。简述了其工作原理、主要技术指标、设计特点、安装使用方法,以及与力平衡式、扩散硅式及振弦式变送器的性能比较。     

硅杯同轴度的检测

文中介绍了扩散硅力敏传感器的核心元件硅杯的同轴度检测的几种方法。     

绝对压力力敏器件的研究

本文介绍的扩散硅绝对压力力敏器件采用集成电路平面工艺、真空静电封接技术制造。器件灵敏度高、精度高、稳定性好。适合于测量粗真空度和制作绝对压力变送器。     

半导体硅压力传感器

一、前言自1954年Smith等人研究了半导体Ge和Si的压阻效应以来,压阻效应就在压敏元件中得到了实际应用。由于半导体压力传感器灵敏度高、体积小,特别是80年代后硅集成电路工艺技术的发展,使以硅为衬底材料的硅扩散型压力传感器得到了惊人的发展。硅压力传感器是用途最广的传感器之一。目前大多都是采用半导体扩散技术制造应变计(应变电阻),称为扩散型硅压力传感器。由硅单晶衬底制成的膜片作为感压膜,它与应变电阻为一体结构,因此蠕变和滞后现象都很小,精度高。硅压力传感器可以与硅集或电路制造在同一衬底上组成集成型硅     

上海自动化仪表股份公司七项新品通过鉴定

最近，上海自动化仪表股份有限公司开发的七项新产品顺利通过了专家鉴定。七项新产品是：SUPMAX５００分散型控制系统、SPD智能阀门定位器、SH２１８８GP智能扩散硅压力变送器、SH２１８８DP智能扩散硅差压变送器、ZK－３０三相可控硅电压调整器、PDPC－６１０便携式压力校验仪、XTMD－５０００智能数显调节仪。专家们认为，这七项新产品在技术上具有较高的起点，领先于国内同类产品，并达到了国际９０年代产品的水平。上海自动化仪表股份公司七项新品通过鉴定     

扩散硅压力变送器的精密温度补偿

文中介绍了扩散硅压力传感器温度补偿的一种新方法,以及采用MAX1457精密补偿全温区（-30～ 80℃）压力变送器（4～20mA输出）的关键事项。     

扩散硅力敏元件有源平衡电桥温度补偿

一、概述由于硅材料本身的属性和现有工艺条件等因素的限制,扩散硅力敏元件输出电桥的四个桥臂电阻阻值不可能达到完全相等,而且随着温度的变化而变化,严重地影响了元件的特性和精度。为此,对其进行温度补偿就显得十分重要了。本文所指的温度补偿主要包括两个方面的内容:(1)零点温度补偿;(2)量程温度补偿。本文介绍的方法,简称“平衡电桥补偿法”。二、补偿原理扩散硅力敏元件的工作原理是基于硅片上的应变电阻把压力信号转变成桥路输出的电信号,如图1所示。     

方型硅杯力敏器件计算机辅助设计

介绍了扩散硅力敏器件计算机辅助设计的方法。根据方型硅杯形式的有限元分析结果，计算力敏器件的性能。给出了方型硅杯形式的应力和热应力分布曲线以及力敏电阻灵敏度曲线，为传感器的设计和平面工艺版图设计提供了理论依据