LR6系列集成稳压器及其应用

<正> 美国Supertex公司最近推出一种高输入电压、低输出电流的LR6系列线性集成稳压器,它的特点是:输入电压范围宽(15～450V);连续工作输出电流为3mA,输出脉冲电流可达30mA,外接一个MOS场效应管,输出可达150mA;自身耗电为50μA;线性调整率为0.1mA/V;负载调整率为50mV/mA;纹波抑制率为60dB。 LR6系列有三端器件及五端器件两种结构。三端器件有     

国产线性稳压器电离总剂量效应及损伤研究

选择国产三端可调正输出稳压器进行60Co-γ电离辐照实验,研究其电离总剂量效应及损伤变化规律.实验结果发现,基准电压、电压调整率、电流调整率、纹波抑制比是敏感参数,在电离辐射环境中发生明显的退化.结合电路结构,分析了敏感参数退化的原因,探讨了基准电压源和误差放大器等内部关键模块对稳压器抗辐照性能的影响.     

低静态电流低压降CMOS线性稳压器

设计了一种100 mA低静态电流、低压降CMOS线性稳压器.通过使用与一般线性稳压器相类似的频率补偿方法,这种低压差线性稳压器获得了低静态电流,很好的电源调整率和负载调整率,以及很高的PSRR值.在0.5 μm工艺下的仿真结果表明,其消耗的静态电流只有5 μA,电源调整率和负载调整率分别为0.02 mV/V和0.002 mV/mA;在100 Hz时,其PSRR值为-90 dB,负载电容只有100 pF,可以很容易地集成到电路中.     

适用于高速闪存的超快无片外电容LDO

提出了一种适用于闪存的瞬态增强的无片外电容低压差线性稳压器(LDO).该LDO采用了具有超低输出阻抗的缓冲器驱动功率管和高能效基准方法,缓冲器采用并联反馈技术降低输出电阻以增强功率管栅端的摆率.高能效基准电路在静态模式输出小基准电流以减少静态功耗,而在工作模式提供大的基准电流以增加闭环带宽和功率管栅端的摆率.设计的LDO应用于采用70 nm闪存工艺制造的、工作电压为2～3.6 V和存储容量为64 M的闪存中.测试结果表明,该LDO输出的调制电压为1.8V,最大输出电流为40 mA,在没有负载的条件下仅消耗8.5μA的静态电流,在满载电流变化时,用于闪存时仅有20 ns响应时间且最大输出电压变化仅为72 mV,满足高速闪存的要求.     

RECOM系列稳压器(一) 开关型三端稳压器R-78××-0.5

78XX 系列稳压器是一种三端线性稳压器,由于它的系列性好(有不同的各种标准电压输出、有三种不同电流输出)、输出噪声电压低、价位低。虽然是几十年的老产品,但不断地在改进,在市场上仍有极大的销售量。线性稳压器的调整度工作干线性状态,当输入电压与输出电压之差较大时,其调整度的损耗较大,其效率较低。另外,在输出电流大时需加散热片,增大了 PCB 面积。所以78XX 系列仅适用于市电供电的电子产品,不适用于便携式产品。     

一种模数混合型LDO的设计

针对传统模拟低压差线性稳压器(LDO)在低电源电压下性能不足等问题,提出了一种模数混合型LDO的设计方法。通过对传统模拟LDO结构中的误差放大器输出端进行信号采样,增加数字控制回路,实现对输出电压的精确控制。提出的LDO基于中芯国际(SMIC)180 nm CMOS工艺设计。仿真结果表明,该LDO在数字控制时钟为1 MHz,输入电源电压为0.9～1.5 V时,输出电压为0.8～1.4 V,最大负载电流为500 mA,静态功耗为75μA,电流效率高达99.9%,负载调整率为1.8%,线性调整率为0.9%。     

一种超低静态电流LDO线性稳压器的设计

为了延长便携式、可穿戴医疗设备的待机时间,设计了一种具有超低静态电流的低压差(LDO)线性稳压器。采用误差放大器与基准电路相结合的结构,在降低静态电流的同时减小芯片面积;其次,利用负载检测模块,降低了空载及轻载时过温保护和过流保护等模块的静态电流。采用自适应偏置电流技术来动态调整稳压环路各支路的工作电流以及零点频率补偿方式,解决了静态功耗与瞬态响应和环路带宽间的矛盾。该LDO线性稳压器采用0.35μm CMOS工艺进行流片加工,测试结果表明,该LDO线性稳压器静态电流为700 nA,最大负载电流为150 mA,轻载与满载跳变时上过冲电压为63 mV,下过冲电压为55 mV。     

集成三端稳压器的测试

本文详细阐述了集成三端固定稳压器的测试方法，包括开发的软、硬件，进而推广到三端可调稳压器。所有软件及硬件均在集成电路测试仪上调试通过，并已投入使用，大大提高了自动化测量的程度。     

灵活易用的三端集成稳压器

三端集成稳压器是一种能够将不稳定的直流电压变为稳定的直流电压的串联调整式3引脚集成电路。顾名思义,三端集成稳压器只有3个引线脚——即不稳定电压输入端、稳定电压输出端（接负载）和公共接地端。用分立元器件构成的串联调整式稳压电路,具有组装麻烦、可靠性差、体积大等缺点。而三端集成稳压器是将稳压用的功率调整三极管、取样电阻器以及基准稳压、误差放大、     

基于镜像结构的改进型片上集成线性稳压器

基于镜像结构,设计了一种改进型片上集成线性稳压器。在NMOS源跟随器结构的后级单元中增加了低增益反馈回路,不仅继承了常规镜像结构良好的负载瞬态响应性能,而且获得了低的负载调整率。仿真结果表明,相比于常规镜像结构的线性稳压器,改进型线性稳压器的负载调整率降低了26.14%,静态电流为9.8 μA,电源抑制比达到72.82 dB。该线性稳压器可在10 μs内实现0.1~100 mA脉冲信号变化的快速响应,且过冲电压和欠冲电压均小于100 mV。     

用于LDO稳压器的CMOS基准电压源的设计

LDO稳压器对其中的基准电压电路较高精度要求和较低静态电流要求是一对矛盾,本文折衷设计了一款简单实用的CMOS电压基准电路。仿真结果显示,基准电路静态电流约为35μA,基准电压的温度系数为±15×10~(-6)/℃;低频时电源抑制比为63 dB,电压调整率为0．005。     

高压电源管理中内部稳压器的设计

设计了一用于高压电源管理芯片中的内部稳压器电路,为系统中低压模块提供稳定的电源电压输入.电路分为基准和线性稳压器两个部分.整个电路结构为:峰值电流源为Brokaw基准供电,获得的基准电压输入后端放大器的正向端中,运用线性稳压器结构进行降压,为后级各模块提供三组不同的电压,又根据各个电源使用场合的不同,对数字电源加入关断机制,并且加强了功率电源的负载调整能力,有效地防止了后续模块的不正常工作.系统测试表明,电路能够产生三组需要的电压,并在容差范围内能够使系统正常工作.     

双极型LDO线性稳压器的设计

在使用电池供电的产品中,两个很关键的设计就是低漏失电压Vdropout和低静态功耗,Vdropout能保证电池使用效率高,低静态功耗能保证电池使用时间长,LDO线性稳压器也不例外。主要针对这两个特性加上能控制开关和过流过温保护等功能,设计并实现了一款双极型LDO线性稳压器。采用SA-5V工艺中特有的横向pnp管做调整管,使得调整管集电极寄生电阻RC只有10Ω,工艺流片后测试线性调整率为5 mV,负载调整率为14 mV,最大输出电流为30 mA,最小漏失电压为280 mV,在频率为20 Hz～50 kHz输出噪声为80μVRMS,具有良好的应用前景,可适合大规模批量生产。     

一种低静态电流、高稳定性的LDO线性稳压器

该文提出了一种低静态电流、高稳定性低压差(LDO)线性稳压器。LDO中的电流偏置电路产生30nA的低温度漂移偏置电流,可使LDO的静态工作电流降低到4A。另外,通过设计一种新型的动态Miller频率补偿结构使得电路的稳定性与输出电流无关,达到了高稳定性的设计要求。芯片设计基于CSMC公司的0.5m CMOS混合信号模型,并通过了流片验证。测试结果表明,该稳压器的线性调整和负载调整的典型值分别为2mV和14mV;输出的最大电流为300mA;其输出压差在150mA输出电流,3.3V输出电压下为170mV;输出噪声在频率从22Hz到80kHz间为150VRMS。     

一种新颖的LDO线性稳压器

设计了一种新颖的LDO线性稳压器.该LDO工作于负电源,具有微功耗、自身固定-5 V输出、外接反馈电阻可实现可调输出等特点.基于0.6 μm SOI CMOS工艺进行流片.测试结果表明,该电路输入电源电压VIN为-2～-18 V,可调输出电压为-1.3 V～VIN+0.5 V@Iour=15mA.该LDO功耗低,室温下空载静态电流约4.8μA,并且几乎不随VIN变化.内部带隙电压基准采用β二阶补偿,结构简单,温度系数为1.28×10-5/℃.线性调整率为0.015％,负载调整率为0.85 Ω.     

基于概率鲁棒及密勒补偿的LDO设计

基于概率鲁棒理论及密勒补偿架构,通过对内外环路进行稳定性分析获得元件参数,设计了一种输出电压为3.3V、最大输出电流为100mA的低压差线性稳压器。利用Spectre进行了电路仿真,并基于CSMC 0.35μm标准CMOS工艺进行了电路实现。结果表明,在5V的工作电压下,当负载电流跳变时,该低压差线性稳压器的调整时间在6ms内,输出电压变化小于150mV,线性调整率和负载调整率分别为0.16%和0.32%。     

带延迟复位功能的低压差稳压器IC

<正> 单片机在运行中对电源有严格要求。本文介绍的带延迟复位功能的低压差稳压器TPS73xx可满足各种单片机对电源的要求。 TPP73xx是微功耗低压差稳压器IC系列,具有延迟微处理器复位功能。该系列具有3.3V、4.85V和5V固定输出以及可调输出等几种稳压器IC。内部有精密基准电压及比较器电路,使电源的稳定度高。采用MOSFET作调整管,输出压降小。当输出电流I_0为100mA时,其最大压降为35mV。最大输出电流为500mA。输出电流在100mA至500mA区间,压降几乎不变。静态电流小,典型值为340μA,在关闭状态下,静态电流仅为0.5μA。工作温度范围为0～125℃。     

一种高PSR低静态电流LDO设计

设计了一种基于0.18 μm BCD工艺的高电源抑制(PSR)低静态电流低压差线性稳压器(LDO)。详细分析了多条电源噪声传递路径对系统PSR的影响。为优化系统中低频段PSR,设计了一种双轨供电的三级误差放大器。此外还引入了预稳压单元,降低了电压基准模块对系统低频段PSR的影响。为降低系统的静态电流,设计了一种基于耗尽管的超低静态电流电压基准。仿真结果表明,该LDO在不同输出电压下静态电流仅5 μA,并且在250 mA负载电流内PSR<-110 dB @1 kHz,PSR<-55 dB @1 MHz。     

一种低功耗LDO线性稳压器的设计

基于UMC40nm工艺,设计了一种为数字电路供电的LDO线性稳压器,输出电压为1.1V.该电路工作在大负载电流和小负载电流两种模式下.对LDO的基本原理进行了分析,详述了关键电路的设计,最后通过cadence spectre仿真验证了设计的可行性.低功耗模式下,静态电流可以低至3.75uA.全负 、载范围内,增益可达6...     

三端集成稳压器及应用

三端集成稳压器可分为固定式和可调式两种类型,两者的内部电路结构大致相同,均由启动电路、基准电压电路、误差放大电路、调整管、保护电路及取样电路等组成。