针对服务器与DC／DC电源系统的4A高速MOSFET驱动器

8引脚电源栅极驱动器，每相位40A电流 TPS28225驱动器以4．5～8．8V电压控制MOSFET栅极；在7～8V电压范围内，器件效率达到最高；具有14ns自适应停滞时间控制，14ns传输延迟时间，2A大电流电源以及4A吸入电流。     

大电流MOSFET栅极驱动器

该系列包括6A吸入电流同步MOSFET栅极驱动器ISL6615和ISL6615A。这些驱动器增加了栅极驱动电流（UGATE的流出和吸入栅极驱动电流为4A,LGATE的吸入和流出电流则分别为6A和4A）,可以缩短栅极电压上升、下降时间。     

凌力尔特推出100V高速同步N沟道MOSFET驱动器

凌力尔特公司（Linear Technology）推出LTC4444/-5的H级版本,该器件是一款高速、高输入电源电压（100V）、同步MOSFET栅极驱动器,为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET而设计。     

UCC27210／27211：MOSFET驱动器

德州仪器推出可提高高密度隔离式电源效率与可靠性的新一代双通道输出栅极驱动器。     

低边MOSFET驱动器MIC5020及其应用

MIC5020的特点 MIC5020低边MOSFET驱动器是专为频率大于100KHz(2％-100％占空比的5KHz PWM)而设计的,可理想用于高速应用方面,如:电动机控制、SMPS(switchmode power supplies)及IGBT的应用等。该MOSFET驱动器具有可调重启的显著特点:它在电路出现过流时对处于关断状态的电路进行复位,该功能由芯片外部的一个电容来实现,通过调节这个电容可控     

MAX5054：4A、20ns、双通道MOSFET驱动器

高效1倍／2倍电荷泵MAX1577Z／MAX1577Y可为白光LED提供高达1．1A的稳定电流(确保800mA输出)。采用独有的自适应模式开关技术，为摄像模式或背光提供极高的效率(高达92％)。即使是在低电池电压情况下，其极小的开环输出阻抗仍可实现最大的白光LED闪光灯亮度。这两款器件仅需三个微型陶瓷电容．无须使用升压型DC/DC转换器和外部电感．满足手机对器件的严格要求。     

用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片

如今，对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂，特别是在高压大电流领域，这需要一个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性、可靠性、可扩展性、应用灵活性以及在合理的成本范嘲内缩短投放市场的时间。最新开发的SCALE-2芯片组的核心电路做了专门优化，以便适应不同种类的IGBT，其应用范围可以达到150A-3600A，1200V-6500V，并且可以为用户的专门用途进行预置。     

防止MOSFET驱动器与电池反接

防止MOSFET电源开关驱动器反向连接非常重要。利用整流二极管可以避免电池反向连接。然而,当对电池寿命要求较高时,通常不采用二极管。对一个6V电池,二极管的正向电压(典型值为0.6~0.7V)产生约10%的损耗,且该损耗随电池电压的降低而增加。在图1所提供的方案中,用一个P沟道MOSFET(Q1)代替二极管。Q1的导通电阻低于10mW,其正向电压降为几个mV,而二极管压降为几百mV。功耗等于负载电流乘以正向压降,因此,用MOSFET代替二极管可以提高效率。电池正极接Q1漏极,在Q1体内二极管产生正向压降,钳位源极二极管电压低于漏极电压。当源极电压…     

Microchip扩展MOSFET驱动器系列产品

Microchip《美国微芯科技公司）宣布扩展了其MOSFET驱动器系列产品。在已获得业界推崇的Microchip下桥臂MCP14E3／4／54．5AMOSFET驱动器上,Microchip推出全新下桥臂MCP14E6／7／82A和MCP14E9／10／113A驱动器。经扩展后,这一低成本系列器件的额定峰值输出电流为2A～4．5A工作电压范围宽达4．5V～18V。     

单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117

IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能特点和参数限制,同时剖析了它的内部结构和工作原理,最后给出了其典型应用电路图和应用举例。     

6AN沟道MOSFET栅极驱动器

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出LTC4441新的高可靠性(MP级)版本,该器件是一款6 A N沟道MOSFET栅极驱动器,在-55°C至125°C的工作节温范围内工作。该高功率驱动器设计用于增加DC/DC控制器的输出功率     

高电流闸驱动器

ZXGD3005E6是10A栅极驱动器,在电源、太阳能逆变器和电动机驱动电路中,实现超快速的功率MOSFET及IGBT负载切换。这款非逆转的闸驱动器具有完善的射极跟随器配置,可提供小于10ns的传递延迟时间和小于20ns的升降时间,从而减少开关损耗、简化电路设计和改善系统的整体可靠性。     

Intersil推出MOSFET栅极驱动器ISL6615和ISL6615A

Intersil推出高频6A吸入电流同步MOSFET栅极驱动器ISL6615和ISL6615A,有助于为系统安全提供更高效率、灵活性和更多保护功能。新型驱动器增加了栅极驱动电流,可以缩短栅极电压上升、下降时间。这大限度地降低开关损耗并改善效率,尤其是在每相并联功率MOSFET的大电流应用当中。利用防止过充电的自举电容器、     

Zetex推出新型高速栅极驱动器开关功率MOSFET及IGBT

Zetex日前推出用于开关电源和电机驱动的全新MOSFET及IGBT产品。这款型号为ZXGD3000的低成本双极栅极驱动器系列产品能灌人高达9A的电流,栅极电容的充、放电速度比栅极驱动器IC更快,有助于加快开关时间,提高电路效率。     

德州仪器针对工业应用推出模拟电流／电压输出驱动器

<正>日前,德州仪器宣布推出一款针对工业级可编程逻辑控制器(PLC)等工业应用与工艺控制设备的数控电流／电压输出驱动器。XTR300的输出电压高达±17V,电流达到± 24mA,可满足几乎所有标准模拟信号的传输要求。由于     

高轻负载效率MOSFET栅极驱动器

ISL6622和ISL6622A及ISL6622B具有3A的吸收能力，以及快速上升／下降时间，支持高达1MHz的开关频率。这将有助于实现非常高的总体效率。     

Intersil推出新型大电流MOSFET栅极驱动器ISL6615

Intersil公司日前宣布推出高频6A吸入电流同步MOSFET栅极驱动器ISL6615和ISL6615A。这些新器件有助于为系统安全提供更高的效率、灵活性和更多的保护功能。     

高度集成的高电压LED驱动器

Maxim Integrated Products推出MAX16831具有高电压、大功率、恒定电流LED驱动器，内置模拟和PWM调光。该驱动器集成浮置的LED电流检测放大器及调光MOSFET驱动器，可将元件数目降至最少，并满足采用高亮度（HB）LED的汽车和通用照明应用的高可靠性要求。MAX16831工作在5．4V～76V输入电压范围，可耐受恶劣的工作环境，因此可确保兼容于冷启动和甩负载（高达80V）。     

用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片

如今，对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂，特别是在高压大电流领域。这需要一个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性、可靠性、可扩展性、应用灵活性以及在合理的成本范围内缩短投放市场的时间。最新开发的SCALE-2芯片组的核心电路做了专门优化，以便适应不同种类的JGBT，其应用范围可以达到150A-3600A，1200V-6500V，并且可以为用户的专门用途进行预置。     

大电流MOSFET栅极驱动器实现行业最佳开关效率

Intersil公司推出的高频6A吸入电流同步（sink synchronous）MOSFET栅极驱动器ISL6615和ISL6615A可以满足具有低开关损耗、高效率,同时还具备故障保护、引脚兼容等诸多特性,可满足POLDC／DC转换器、高性能处理器的内核稳压器、大电流扁平型DC／DC转换器、高频和高效率VRM和VRD等需要较大电流的应用需求。