低温低噪声红外前置放大器的计算机辅助设计

通过ＰＳＰＩＣＥ５．０的模型参数提以工具ＰＡＲＴＳ软件，提取并确定了低温低频低噪声双极晶体管的器件模型参数，利用ＰＳＰＩＣＥ５．０对低温红外前置放大器进行了计算机辅助设计和优化，成功地对双极模拟电路进行了温度为１２０Ｋ（－１５３℃）的多种模拟分析。采用ＭＣＭ技术制作出了混合集成低温红外前置放大器，实际电路的ＣＡＴ测试结果与计算机辅助设计结果相吻合。     

深低温、低功耗、低噪声微型前置放大器

为了降低红外系统的噪声,提出了一种新的电路结构,利用单端折叠共源共栅结构和MOS管工作在线性区做反馈电阻,设计了一种在深低温(100K左右)工作的高性能低功耗、低噪声前置放大器。分析了其噪声特性,并提出了减少噪声的措施,仿真结果显示该前置放大器的输出电压噪声很小,3dB带宽大于10kHz。此前置放大器用1.2μm的标准CMOS工艺制造完成,四单元芯片的大小为2.1mm×2.9mm。经测试,这种前置放大器在深低温下能正常工作,反馈电阻大小为兆欧级,等效输入噪声电流仅0.03pA/Hz1/2,单元功耗小于1mW,与红外探测器连接后工作正常,线性度较好。     

低噪声天线前置放大器

低噪声天线前置放大器１引言英国人Ｃｏｎｗａｙ研制的这种低噪音、窄频带、置于天线杆上的前置放大器，信号分送到两个ＭＯＳ场效应管之间，省去了平衡－不平衡变换器，提高了过载容量，并且降低了高电平带内信号的谐波电平，如图１所示。图１前置放大器原理这种放大器是...     

一种新型低噪声麦克风前置放大器的设计

传声器集成电路将接收到的麦克风声音信号转换成电流信号,再由前置放大器放大成电压信号。通常,当声音信号很微弱时,放大器放大声音信号时也放大了噪声,造成被放大的声音信号的信噪比很低。对两种电路进行了仿真试验,比较了Claus前置放大器和Eduard CMOS前置放大器的噪声特点。采用0.18μm CMOS工艺进行仿真,分析了电路的噪声频谱密度,提出了一种改进型CMOS前置放大器,有效地改善了前置放大器的信噪比。     

低噪声宽频带光接收机前置放大器的研制

本文介绍了一种适用于低噪声宽频带光接收机的前置放大器,通频带内噪声系数≤4.7dB,电压增益:30～45dB,用结电容小的InGaAs-PIN光电二极管作探测器,构成光/电前置放大器。实验表明,光/电前置放大器的接收频宽在1～1200MHz频率内频响为±1.5dB。     

一款前置放大器的低噪声设计与分析

描述了有关放大器的噪声机理和特性,详细论述了前置放大器的低噪声设计步骤和过程,并根据晶体管的噪声特性曲线和噪声系数等值曲线对输入晶体管的偏置进行了理论计算。     

红外探测器专用前置放大电路低温特性的研究

红外探测系统被广泛地应用于航空航天、军事、通信等领域。前置放大器低温性能的改善直接影响到整个系统探测精度的提高。从理论上分析了MOS器件低温性能参数的变化,设计了一种红外探测器处理电路专用的CMOS低功耗电流型前置放大器,并采用0.35 ?滋m标准CMOS工艺流片,进行了常温(300 K)和低温(77 K)测试。测试结果表明,该运放电路在低温工作时放大倍数线性度良好,功耗等性能得到改善;但是带宽、失调、输入线性范围等性能下降。针对实验结果给出了初步理论分析。     

一款JFET低噪声前置放大器的设计

在对级联网络及结型场效应管的噪声分析基础上,采用结型场效应管等分立元件设计了一款低噪声前置放大器实用电路。并对其幅频特性、输入阻抗和等效输入噪声进行了测量,结果表明其输入阻抗高达71Mn。等效输入噪声电压为0．7nV／√Hz,是一种适合于较高内阻传感器的较理想的低噪声前置放大器电路。     

S波段低噪声放大器CAD设计

介绍了S波段低噪声放大器 (LNA)的设计原理 ,对影响电路稳定性和噪声性能的、易被忽视的因素进行了详细分析。与以往同类文章有很大不同 ,文中重点分析实际电路可能产生的非连续性、寄生参数效应等因素对电路各个性能指标的影响 ,并针对这些因素进行软件仿真计算 ,最后给出工作带宽为 2 .0～ 4.0GHz、增益G >2 2dB、噪声系数NF <0 .7dB的两极低噪声放大器的仿真结果和最终的微带电路     

实用大动态低噪声低源阻集成前放组件

报道了１６０ 路大动态低频低噪声低源阻集成前放组件性能、结构及实现的技术途径     

低温、低频双极晶体管的噪声分析

建立了低温双极晶体管的低频噪声模型，对低温、低频双极晶体管的噪声进行了分析，并给出了噪声电压随工作温度、工作电流以及频率的三维变化曲线，指出了双极晶体管获得最小噪声的最佳工作温度和最佳工作电流。通过对低温双极晶体管的ＣＡＴ噪声测试，证明了我们的噪声分析结果。     

HgCdTe光导探测器的一种恒流偏置低噪声放大电路的设计

在多元光导探测器的工程应用中,串音是影响系统性能的一个重要因素。其中,由公共地线电阻引入的电子学串音可以通过提高偏置电阻来抑制。本文从HgCdTe光导探测器的工作特性出发,设计了等效内阻很高的恒流偏置低噪声前置放大电路。对电路的工作原理和噪声性能进行了分析和讨论,给出了电路的噪声模型,导出了电路的等效输入噪声表达式,并进行了电路实现和低噪声性能测试。     

红外密集度光电立靶中放大电路的设计

提出了一种红外光电立靶测试系统中前置放大电路的设计方案。该方案打破了传统设计中采用超大β管或利用仪表放大器增益可编程性来获取所需放大倍数的方法，选用低噪声运算放大器和仪表放大器组成电路。同时简单论述了低噪声放大电路设计中的屏蔽和接地措施.     

高增益低噪声热释电红外探测器前置放大器设计研究

提出一种新的高增益低噪声热释电红外探测器电路模型.采用双极型结型场效应(BJFET),通过改变时间常数解决了热释电前置放大器输出信号弱和易受干扰的关键问题,理论推导了热释电电路的输出电流和电压响应,系统地分析了改进的前置放大器的噪声和温度特性.经实验验证:该电路实现了大电流、宽频带、高增益、低噪声等优化特性.     

工作在液氮温度下的低频低噪声双极晶体管的研究

对双极晶体管的低温物理模型和低频噪声模型进行了研究，认为低温下硅双极晶体管电流增益下降的主要原因是低温下非理想基极电流的增加。同时指出，低温下硅双极晶体管１／ｆ噪声的增大，是由于低温下电流增益的减小和载流子在体内和表面的复合增加。通过优化设计，做出了一种低温、低频、低噪声硅双极晶体管。测试表明，在室温（３００Ｋ）下，电流增益、低频转折频率、１ｋＨｚ点的噪声电压分别为β≥８００，ｆ＿Ｌ≤３０Ｈｚ，Ｅｎ（１ｋＨｚ）≤１．５ｎＶ／　　；低温（７７Ｋ）下，电流增益、低频转折频率、１ｋＨｚ点的噪声电压分别为β≥３０，ｆ＿Ｌ≤３００Ｈｚ，Ｅｎ（１ｋＨｚ）≤１．２ｎＶ／。     

短波低噪声大动态放大器的设计与实现

短波频段信号密集,并且强度差别巨大,在通信侦察天线系统中,为适应该频段复杂的电磁环境,对天线共用器的噪声系数和线性度等指标提出了严格的要求。利用大功率的MOSFET晶体管,采用平衡放大结构,并通过计算机仿真软件优化设计,实现了一个1.5~30MHz全频段的低噪声、大动态的短波放大器。     

低噪声前置放大电路设计

介绍了一种中、低频低噪声前置放大电路的设计方案.理论分析影响低噪声前置放大电路的因素;采用抑制噪声和直流漂移电路减小噪声干扰;并对设计电路进行测试和分析.以宽带前置放大电路为例,设计了低噪声的前置放大电路.