银盐明胶计算全息图的软模复制方法研究

提出一种复制银盐计算全息图（SHCGH）的新方法，在SHCGH母板上浇注一张橡胶软模板，软模再经第二次浇注，将CGH浮雕结构转移到各种物件表面。对复制品与母板的浮雕深度转移进行了测量，并通过选择第二次浇注材料，改善了复制品的光学再现效果。     

全息光栅表面衍射效率均匀性的改善

在记录全息图时,要求由物光和参考光所形成的干涉场在曝光期间保持稳定。这一要求在采用连续激光器时由曝光装置的刚性来保证,而采用脉冲激光器则是通过缩短曝光时间来满足这一要求。如果我们只有小功率的连续激光器,而记录材料的感光性能又很差（对于这种材料来说,相干定律有时不起作用）,那么,就只得采用较细的激光束,而且,也只能将小物体记录在不大的全息片上。在重铬酸盐明胶层上记录全息图时就会发生这种情况。重铬酸盐明胶对于位相全息图光刻胶是一种极好的材料。而采用光刻胶则提供了用机械压制法复制浮雕型全息图的可能性。     

浮雕型全息图复制镍版的扫描电子显微镜观察

本文介绍复制镍版表面扫描电镜观察的结果，记录有全息图的光刻胶金属化的方法是影响全息图复制质量的关系。从复制效果看，化学喷镀镍比化学喷镀银好。     

用于微器件加工的AZ4620厚胶光刻工艺研究

对AE4620厚胶紫外光刻工艺进行了实验研究,探讨了其工艺特性及光刻胶层的刻蚀面形与各种工艺条件的关系,提出了刻蚀高深宽比、最佳浮雕面形所需的工艺条件.通过对光刻工艺过程的研究,可为较好地控制正性光刻胶面形,制作微机械、微光学器件提供了参考依据,对微浮雕结构的深刻蚀具有重要的指导意义.     

AZ9260光刻胶制作连续非球面微透镜阵列的研究

为解决研制深浮雕连续非球面微光学元件所面临的浮雕深度和面型控制这两大难点。选取吸收系数小的AZ9260正性光刻胶进行实验研究。提出了采用低温长时间前烘和连续升温后烘技术实现深浮雕结构和非球面面型的控制，并得到口径为300μm、抗蚀剂厚度为35．49μm、石英刻蚀深度为72．36μm双曲线柱面透镜的最佳光刻工艺参数。实验曲线与标准双曲线拟合所得最大误差为2．3637μm，均方根差为0．9779μm。     

光刻胶灰化技术用于同步辐射闪耀光栅制作

在分析光刻胶光栅浮雕图形缺陷成因的基础上,首次将光刻胶灰化工艺引入到全息－离子束刻蚀制作闪耀光栅工艺中,并成功地为国家同步辐射实验室光化学站制作了１２００１／ｍｍ,闪耀波长为１３０ｎｍ的锯齿槽形光栅。测试结果表明光刻胶灰化处理对制作大面积优质的光刻胶光栅非常有效和实用。     

一种利用光变图像光刻系统的存储方法

文中提出了一种高密度光变图像的存储方法,利用光变图像激光光刻系统,采用空间光调制器(SLM) 进行子图输入,在平面记录材料光刻胶上进行2D 光变图像和文字的光学存储,制成易于复制的浮雕位相型衍射图像。     

浮雕矩形光栅刻槽深度的衍射测量方法

当激光束投射在浮雕光栅上,透过光栅的衍射光斑就反映了浮雕光栅的表面信息.提出一种浮雕矩形光栅刻槽深度的高精度衍射测量方法.分别采用两个激光波长垂直入射光栅表面,测量透过光栅的0级和1级衍射光强比,实现对光栅刻槽深度的间接测量.此测量方法理论精度优于1nm.给出了对石英浮雕矩形光栅的实验测量结果.该测量方法的突出特点是:所用仪器设备简单,对环境噪声不敏感,测量速度快,特别适用于在线检测.     

衍射光学元件的扫描刻蚀深度在线检测

基于楔形光学平板的等厚干涉原理,提出了一种透射衍射光学元件扫描离子束刻蚀深度的在线检测方法,用一块与被刻蚀光学元件材料相同的楔形薄片作为陪片,在刻蚀过程中将其遮档一半,利用陪片等厚条纹的错位去测量其刻蚀深度,从而间接检测出被刻蚀光学元件的刻蚀深度.在KZ-400大型离子束刻蚀装置上建立了这种在线检测装置.多次实验表明,在线检测结果同台阶仪的测量结果基本吻合,二者相差不超过10 nm.本检测方法能够可靠、准确地用来确定刻蚀终点,已经成功应用于位相型Ronchi光栅等大口径位相衍射光学元件的刻蚀制作.本方法还可以用于对其他透明材料的微结构进行扫描刻蚀深度在线检测.     

反应离子束刻蚀应用于光刻胶灰化技术研究

以AZl500光刻胶为例，将氧气作为工作气体的反应离子束刻蚀工艺用于光刻胶图形的灰化处理，以去除经紫外曝光-显影后光栅中的残余光刻胶。研究结果表明灰化速率有随束流密度呈线性增加的趋势。经过反应离子束刻蚀后，光栅槽底残余光刻胶被去除干净，同时线条的宽度变细，在一定程度上达到修正光刻胶光栅线条占空比的目的。用原子力显微镜检测，无光刻胶的K9基片表面在灰化工艺前后其粗糙度无明显变化。该工艺具有良好的可控性，解决了在厚基片上制作大口径衍射光学元件时残余光刻胶的去除问题。     

基于光刻胶热熔法的全息光栅表面粗糙度平滑处理

根据表面热动力学原理提出了一种成本低廉、制作周期短、易于实现的光刻胶热熔法,阐述了光刻胶热熔法的基本原理,探讨了光刻胶热熔对光刻胶光栅表面刻槽形状的影响。实验中,分别对经过和未经过热熔处理的光刻胶光栅做了离子束刻蚀。结果表明,利用表面张力作用可使熔融状态下的光刻胶光栅刻槽表面变得平滑,粗糙度降低,并且成功地在K9玻璃基底上得到了槽形较好的全息光栅。     

镀铬基片全息光栅光刻胶掩模槽形参量光谱检测方法

为了检测全息光栅掩模槽形,运用严格耦合波理论(RCWT)分析镀铬基片光栅光刻胶掩模反射0级衍射效率光谱曲线与槽形参量的关系。测量了400~700 nm波长范围内60°入射角条件下的镀铬基片全息光栅光刻胶掩模反射0级衍射效率光谱曲线。将实验曲线与不同槽形参数对应理论曲线相减、求标准差进行匹配,标准差最小者为匹配结果,从而找到被测掩模的槽深和占宽比(光栅齿宽占光栅周期的百分比)。结果表明,该方法图形匹配速度快,误差容限大,匹配结果与电镜结果相符。对于要求同时检测矩形或接近矩形槽形的全息光刻胶光栅掩模的槽深和占宽比,该方法完全适用。     

Easy-to-prepare assembly array of Tungsten microelectrodes

This paper provides a detailed process flow for fabricating an easy-to-prepare, inexpensive, dense array of tungsten microelectrodes. We designed the process flow to minimize routine tasks by separating an initial preparation of a master mold from a routine preparation of substrate replication, array assembly and tip processing. Sandblast processing first produced a glass mold with a pattern of a series of protruding lines at a requested interval of a few hundred micrometers. Copying the groove pattern onto polystyrene mass-produced a replica substrate. Tungsten probes were then aligned on the substrate, and the tips of probes were finely processed in the block.     

GaAs(100)面光栅皱折的形成

使用光致抗蚀剂的全息干涉曝光、显影方法在GaAs(100)面衬底上形成光致抗蚀剂光栅图形.采用选择化学腐蚀将光致抗蚀剂光栅浮雕图形转换到GaAs(100)面衬底上.已成功地在GaAs(100)面衬底上制作了周期为0.33微米的光栅皱折.在GaAs(100)面上的光栅皱折具有良好的V-形沟槽轮廓.     

A new technique for fabrication of OEICs-the etched back planarprocess-and its application to the fabrication of planar embeddedInP-InGaAs p-i-n photodiodes

The etched back planar process utilizes a nonselective reactive ion beam etching (RIBE) technique both for semiconductor layers and for photoresist. Application of the technique to the fabrication of a planar InP-InGaAs embedded p-i-n photodiode is discussed. The groove depth on the wafer was reduced from 5.3 μ to 0.6 μm, and the wafer was nearly planarized. Estimates based on photoluminescence intensity variation and the characteristics of the fabricated p-i-n photodiode indicate that little damage was incurred during the process. These results indicate that fabrication of planar OEICs by means of this process is feasible     

等离子体蚀刻衍射光学元件

本文研究了将光致抗蚀剂衍射光学元件的连续沟槽蚀刻到基底层上的技术。实验分析了基底层沟槽与原版沟槽的形状和深度之间的关系。     

用于二元光学器件制作的激光直写系统

通过双远心成像光路，激光直写（LDW）系统SVG—LDW 04把液晶空间光调制器（LCD-SLM）上的光斑直接成像在光刻胶板上，得到高质量的光斑图形。放置在SLM的共轭面上的CCD成像调焦装置能够实时地在监控像面质量。控制SLM的输入图形、曝光量（刻蚀深度）及系统的运行方式，LDW系统能够制作不同特性的二元衍射光学元件。给出了典型的（2台阶、4台阶）位相衍射器件制作的实验结果。     

用亚波长正弦介质光栅设计1/4波片

采用扩展边界条件法,得出亚波长正弦介质光栅正入射反射型1/4波片的结构参数。发现在一定精度范围内TE波与TM波的相位差能够在一段较大的槽深区域满足设计要求,从而降低了实际控制刻蚀深度的难度。讨论了线偏振光转化为圆偏振光的方位角问题。     

用光刻胶作记录材料的全息图象拍摄

光刻胶常用作模压全息母版拍摄的记录材料。本文在叙述了它本身和模压工艺的特点后,指出要拍摄出质量好的光刻胶母版应当注意到的问题。诸如拍摄参数的选择应同时考虑到衍射效率和信噪比,照明的均匀性问题,必须用逆共轭光再现的问题,以及消偏振,相干长度,外界振动对拍摄的影响问题。最后分析说明拍摄的主要矛盾在于,只有用相干性好的大功率激光束,才能提高拍摄的信噪比,获得高质量的全息图片。本文是在大量的实验和检测的基础上写成的.     

The effect of pulse phase errors on the chirp scaling SARprocessing algorithm

The chirp scaling (CS) SAR processing algorithm uses the linear FM property of the transmitted pulses to provide accurate range cell migration correction. However, when the transmitted pulse is not linear FM, or if the FM rate is not known exactly, processing errors due to chirp scaling will result. This paper presents the resulting processing error in the CS algorithm, given pulse phase errors that exceed those expected in SAR systems. The registration and phase error that result in chirp scaling are negligible for typical or stable pulse phase errors, or can be avoided if phase modulation coefficients are estimated from the replica. A fast Fourier transformed pulse replica is sufficient to form the range matched filter in the CS algorithm, giving slightly better range resolution than the range/Doppler (R/D) algorithm