光折变多重全息图分批热固定的光擦除特性

研究光折变多重全息图分批热固定方法．依据热固定的基本理论模型研究离子补偿后的全息电子光栅在分批记录和定影过程中的光擦除特点。引入批间光擦除时间常数对多重全息图分批热固定的批间擦除特性进行定量描述．给出了测量批间光擦除时间常数的实验方法．并测得实际品体的批间光擦除时间常数：研究结果表明，被记录光激发的已定影全息图的获陷电子对其离子光栅的屏蔽作用，使得多重全息光栅的各批间光擦除时间常数τF远大于每批内光栅间的擦除时间常数τE，实验结果与理论预期一致。证实了批间光擦除时间常数与批内光擦除时间常数的差异是采用分批存储热固定技术高效存储热固定高密度全息图的基本依据。     

光折变晶体中全息图的热固定过程研究

报道了Fe∶LiNbO3和Ce∶Fe∶LiNbO3晶体中红光波段记录的光栅的热固定实验 ,详细描述了光折变晶体中全息图热固定的定影和显影工艺。在定影过程中测量了光栅峰值衍射效率随温度的变化。显影实验表明用原参考光显影会引起光栅的自增强衍射、布拉格角偏移、选择角增宽和背景噪声增加 ,采用非相干光显影可避免这些缺点。提出了一种降低光相干性的方法 ,从而可以采用原记录光路进行显影。     

光折变晶体全息图的热固定特性优化的研究

采用红光对单、双掺铌酸锂晶体中全息光栅的热固定效率及光擦除和暗存储寿命的特性进行了深入的实验研究。实验中高掺杂和强还原晶体难以显影出离子光栅 ;对于较少掺杂的未还原晶体 ,获得离子光栅的热固定效率达 5 0 % ;高掺杂晶体中离子光栅的暗存储寿命达 4个月 ,比热固定前电子光栅的暗存储寿命提高了十几倍。实验表明热固定效率和光栅的暗存储寿命不能同时提高 ,这与理论预期一致。     

LiNbO3晶体中光折变光栅的各向异性衍射

光折变晶体中光栅的各向异性衍射可用来提高光折变存储器读出信号的信噪比。本文通过极化率张量对LiNbO3晶体中光栅形成和衍射的偏振特性进行了理论分析,并关重对光栅矢量与晶体光轴共面的情形进行了实验研究。观察到的各向异性衍射读出角度的测量结果与理论计算相符。     

光折变晶体用于溶液扩散的研究

本文将光折变晶体铌酸锶钡作为全息记录介质,用于测量蔗糖溶液的扩散系数,得到了与文献一致的结果,讨论了实验中应注意的问题。     

光折变晶体内的光振荡和光学限幅器

提出了一种利用光折变晶体光振荡的光学限幅器,在SBN晶体中得到了口字型和8字型光振荡通路,给出了光振荡的阈值条件以及作为光学限幅器的透射率与耦合系数的关系,并讨论了控制光振荡形式以改变限幅器性能的途径。     

光折变晶体BSO双光子耦合放大特性研究

本文分析了利用折变晶体实现光放大的原理、方法及特性,为利用光折变晶体实现光放大提供了理论依据,并指出了具体过程中的一些关键因素。     

光折变晶体中的相位共轭

近几年来,光折变相位共轭器及其在非线性光学中的应用取得了有意义的进步。本文主要叙述光折变晶体中的四波混频以及各种光学相位共轭器的结构,简单地介绍了相位共轭器在光信息处理中的一些应用。     

高密度盘式全息存储及其热固定的实验研究

利用空间-角度复用方式与球面参考波相结合的全息复用存储技术，在盘状LiNbO3：Fe晶体单一扇形区域内成功存储10000幅高分辨率图像，存储面密度达33．7bits／μm^2。在此基础上，将分批热固定的方法应用于盘式体全息存储，分4批次存储了5000幅高分辨率图像，从而将存储面密度进一步提高到50bits／μm^2。会聚的球面参考波及优化的光路配置减小了参考光的反射光斑尺寸，同时也减少了有害的杂散光从晶体表面反射进入成像光路，保证存储图像能得到良好的再现。     

利用栅增强技术提高光折变多重存储衍射效率

提出了一种结合折射率栅自增强读出和固定技术的光折变多重存储的记录方法,利用自增强读出时折射率栅在记录晶体中（ｚ向）移动的特点,把同一位置记录的不同全息图的折射率置于晶体中ｚ方向分离的位置,最大限度的利用了晶体各处的折射率的最大动态范围,提高了多重存储衍射效率。     

光折变晶体中反射型多重全息图的 布喇格偏移

从理论上研究了光折变反射型全息光栅的布喇格偏移问题,着重研究了布喇格偏移随写入时间的演变。实验证实了反射型光栅确实存在布喇格偏移现象,验证了布喇格偏移量随写入时间的演变与折射率调制度随写入时间的演变有相同的规律。实验表明,在大容量全息存储中,曝光时间很短的全息图可以在记录角度读出,而布喇格偏移的影响可以忽略     

光折变晶体全息存储中散射噪声特性的研究

采用信噪比损失系数 (LSNR)深入研究了光折变铌酸锂晶体中散射噪声对全息输入图像像质的影响。对不同掺杂物质、不同掺杂浓度、不同处理方法以及不同记录方式的大量晶体进行了实验研究 ,并重点考察了物光束引起的散射噪声的特性。实验结果表明 ,氧化态晶体的散射噪声的影响小于生长态和还原态晶体 ,反射光路较之透射光路和邻面入射 ( 90°)光路更不易受散射噪音影响     

LiNbO3晶体中引入Е歇位相差实现 选择性擦除

在晶体中进行大容量多重体存储，需要对晶体中记录数据进行修改，这就使得选择性擦除必不可少。介绍了铌酸锂晶体中实现选择性擦除的原理，着重介绍了在物光和参考光中引入Е歇位相差的几种方法，通过引入Е歇位相差来记录互补全息图，利用全息图及其他的互补全息图的非相干叠加来消除原全息图对晶体折射率的调制，从而实现对未定影全息图的选择性擦除。实现了在晶体中某一数据页面内部分数据的擦除，并从理论上对实验结果进行了分析。并给出了在某一数据页面内进行部分擦除的实验结果。     

LiNbO3晶体中引入π位相差实现选择性擦除

在晶体中进行大容量多重体存储 ,需要对晶体中记录数据进行修改 ,这就使得选择性擦除必不可少。介绍了铌酸锂晶体中实现选择性擦除的原理 ,着重介绍了在物光和参考光中引入π位相差的几种方法 ,通过引入π位相差来记录互补全息图 ,利用全息图及其他的互补全息图的非相干叠加来消除原全息图对晶体折射率的调制 ,从而实现对未定影全息图的选择性擦除。实现了在晶体中某一数据页面内部分数据的擦除 ,并从理论上对实验结果进行了分析。并给出了在某一数据页面内进行部分擦除的实验结果     

电镜超薄切片批量染色的新方法

超薄切片染色是透射电镜生物样本制备中的关键环节。本文介绍了一种透射电镜超薄切片染色的新方法,利用简单自制的染色液防污存储与批量染色装置,可对超薄切片载网进行批量化染色,不但极大提高染色效率,而且减少了染色过程中染色液、样品的污染,达到染色液的重复利用,同时减少重金属对操作者的伤害和对环境的污染。