使用零电流开关的电容器充电电源

介绍一种为电容器充电面临别设计的电源。这种电源使用了串联谐振拓扑结构,运用了较为成熟的零电流开关技术以及导通时间和开关频率都固定的简单控制方式。实验样机是给一个１．０μＦ的人工线电容充电,从０Ｖ充到５６００Ｖ,约需２．８ｍｓ,充电能量达５６００Ｊ／ｓ。当重复频率为３００Ｈｚ时,平均输出功率为４７００Ｗ。     

开关增益运算放大器作为检相器或混频器

一些运算放大器．比如Analog Devices公司的AD8041和Intersil公司的EL5100,提供禁用引脚．它使人们能把数个运算放大器的输出并联用于视频多路传输。除了这种多路传输以外．人们还能用这种禁用功能把运算放大器配置作为检相器或混频器。图1描绘了禁用功能如何实现低频检相器。人们可以按相位参考信号的速率来开关该电路的放大器的增益。     

半导体光开关工作电流和速率的理论分析

本文从载流子连续性方程出发，采用半导体双异质结概念，从理论上推出了计算半导体光波导开关工作电流和速率的理论公式，为器件选取工作电流和提高开关速率提供了理论依据．     

半导体光开关工作电流和速率的理论分析

本文从载流子连续性方程出发，采用半导体双异质结概念，从理论上推出了计算半导体光波导开关工作电流和速率的理论公式，为器件选取工作电流和提高开关速率提供了理论依据。     

数值模拟研究半导体断路开关的电流截断特性

半导体断路开关（SOS）效应的发现,促进了全固态脉冲功率源技术的发展和应用。采用一维流体模型,利用SOS数值模拟程序对SOS二极管P^＋-P-N-N^＋结构的电流截断特性进行了数值模拟研究。研究了SOS二极管P区扩散深度、外电路参数对SOS电流截断特性的影响。结果表明：P区扩散深度、次级储能电容C2、反向泵浦电感L^-的大小对SOS的反向电流截断时间均有较大影响;随着次级储能电容和反向泵浦电感的增大,电流截断时间增大,反向电流峰值和反向电压峰值减小。该研究对SOS二极管工艺设计和外电路优化设计具有理论意义和实用价值。     

铝电解电容器的低漏电研究与控制

介绍了铝电解电容器漏电流产生的根源,分析了影响漏电流的因素,通过研制工作电解液、选用高品质材料、改进制造工艺来控制铝电解电容器的低漏电。     

钽电解电容器生产工艺和漏电流分析

钽电解电容器在电子元器件中占据着非常重要的地位,钽电容器是电容器中体积小而又能达到较大电容量的产品,最早在1956年由美国贝尔实验室首先研制成功的,它的性能稳定,可靠性优异,在将尽一个世纪以来没有哪种电容器通过完全替代钽电解电容器,钽电容器封装形式多种多样,体积尺寸设计多样化,其所具备的稳定性高、容量大、小型方便、高性能以及较强的自愈能力等优势使钽电容器不仅广泛在军事通讯,航空航天等领域应用,而且还在向工业控制,影视设备、通讯仪表、手机、电脑、飞机、工业控制电子线路或者火箭雷达等领域扩展,覆盖范围非常广,其地位和重要性在电子电路中可圈可点。文章主要针对钽电解电容器关键生产工艺流程以及漏电流情况做了简单阐述,希望能进一步提高钽电解电容器的生产制造水平。     

改进的光耦电路可降低LED电流并防止老化

光耦似乎能在不同地电势工作的电路之间实现简单的直流隔离．但这只是表面现象。光耦会从被隔离电路上吸取电能．转换相对缓慢,并且具有LED老化的不确定性。现在有一些不用光耦的替代品．如Analog Devices公司的ADUM 12xx或德州仪器公司的ISO72x。本设计实例将描述一种光耦的简单改进方法。     

基于漏电保护开关的几点探讨

随着我国经济的不断发展,我国工业生产以及居民用电不断增加,漏电保护已经成为了人们最为重视的问题之一.国家对于用电安全方面已经制定了有关强制性方面的要求,在很多地方都要安装漏电保护开关,这对于避免漏电造成火灾以及防止人身触电都具有非常重要的作用,所以要充分重视智能漏电保护开关的研究.本文主要探讨了有关智能漏电保护开关的相关问题,希望能够对相关人士有所帮助.     

评述术语"电流模电路"和"电流反馈运算放大器"

近年来电子电路文献中出现两个新术语"电流模电路"和"电流反馈运算放大器",它们各自具有若干特点.本文针对这两个术语的科学性以及这些电路是否真正具备这些特点提出一些自己的想法.