基于功率MOS型场效应管的4 kV纳秒脉冲源

为了用固体开关器件替代国外氢闸流管,开展了大功率高速高压半导体固体开关及与其相配的高速高压组合电路研究。利用功率MOS型场效应管的开关原理,提出了对功率MOS型场效应管的栅极"过"驱动技术,提高了功率MOS型场效应管的开关速度,研制出基于功率MOS型场效应管的输出脉冲幅度大于4 kV,前沿小于10 ns,脉冲宽度大于100 ns的高压快脉冲驱动源。     

对VN系列VMOS功率场效应管输入电容的改善设计

VN系列VMOS功率场效应管自1984年7月设计定型以来,用户以及本研制小组针对系列产品中普遍存在的问题作了一些探讨并提出了改进意见.其中主要一点是VN系列产品的输入电容(C_(?)过大的问题.VMOS功率场效应管目前主要用于各种微功率驱动电路、高频电路以及大容量电流源电路中,这些电路一般要求输入阻抗高,开关速度快,频率响应     

600V/5A场控横向光激双向可控硅开关

SIPMOS(西门子功率MOS)工艺,除用于制造MOS管外,还可制造集双极与MOS功能为一体的器件,如场效应管控制的三端双向可控硅光激开关。该器件有两个反并联的横向闸流管,采用纵向MOS管驱动,高灵敏的光电晶体管为MOS管提供栅压。横向闸流管通过互联的指型结构得以有效地利用芯片面积。 这种光激开关器件的芯片面积为4×4mm~2。正、反向阻断电压均高于600V,2mA的发光二极管(LED)电流即可触发开关,持续电流为5A,电流传输比达2500:1     

具有自驱动有源缓冲器的GaN基高效准谐振反激式功率变换器

提出了一种具有自驱动有源缓冲器的GaN基高效准谐振(QR)反激式功率变换器,以解决准谐振反激式功率变换器中开关管关断时电压过高的问题。电路以GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件为主开关管和同步整流器开关管,自驱动有源缓冲器由钳位电容和有源开关管组成。该变换器在主开关管关断期间将开关管的电压浪涌钳位为恒定电压,由于有源开关管驱动信号由变压器的次级侧电流控制,因此不需要单独的控制电路。为验证所提出的变换器和控制电路的有效性,搭建了一个60 W的AC-DC功率变换器,测试结果表明,主开关管的最大电压浪涌约为450 V,具有高达91.6%的能量转换效率。     

基于IR2136与MOSFET的无刷直流电机驱动电路设计

针对传统驱动电路的设计,需要采用相互独立的电源为功率开关管供电,使得硬件结构复杂,可靠性下降,为此,基于功率驱动芯片IR2136与场效应管MOSFET,从信号隔离、三相逆变驱动、过流保护电路等方面,对无刷直流电机驱动电路进行设计。重点阐述了三相逆变驱动电路中的自举电路设计和功率管的驱动保护优化设计。采用TMS570控制板,对该驱动电路进行功能测试,结果表明,设计的驱动电路能够驱动电机平稳运行,且工作稳定可靠。     

场效应管的特性、检测及使用（中）

四、VMOS场效应管(V-MOSFET) 1.概述VMOS场效应管全名为垂直型金属—氧化物—半导体场效应晶体,即V-MOSFET,简称为VMOS管。该管为一种功率型场效应管,其结构如图1所示。符号有两种画法:第一种带保护稳压管的VMOS场效应管符号如图2(a)所示:另一种不带保护稳压管的符号如图     

新型故障保护模拟开关

系统在上电或掉电时,信号端与电源端常常出现过压现象,传统的解决方案是在外部加限流电阻或控制上电时序。尽管这是一种合理的方案,但实现起来比较困难。一旦失误可能会引起过流,损坏器件。图1并联场效应管结构一种新的解决方案是在片内集成故障检测电路,检测到故障时关断开关,保护后续电路不受故障影响,通过严格限制故障电流,能够避免功率耗散引起的过热现象。典型的CMOS模拟开关输出级是一个P型场效应管（P1）和一个N型场效应管（N1）相并联,这种互补结构可以实现满摆幅输出（图1）。内部电路倒相后分别驱动P1和N1的栅极（P…     

如何用万用表检测功率场效应管

与晶体三级管相比,功率场效应管具有输入阻抗高,开关速度快,驱动电流小,工作电流大,热稳定性好等诸多优点。 由于场效应管的结构、原理和普通三极管不同,其检测方法也不相同。我在日常工作中用如下方法判别功率场效应管。     

IPM智能功率模块在变频实验装置中应用的研究

采用智能功率模块IPM作为开关器件进行交直交变频调速,开关频率高,开关损耗小,并且由于IPM模块卓越的自保护功能,集电力半导体器件、驱动电路、保护、检测电路于一身,具有功率齐全、体积小、使用可靠等优点.采用HEF4752作为SPWM信号的发生芯片,可以省去微处理器,单纯由硬件发生信号,在要求的精度范围之内,不但降低了成本,而且减小了发生电路的体积、简化了电路,便于有针对性地教学.通过示波器检测,信号发生电路的SPWM波形清晰,可以用于教学应用之中.     

连续可调纳秒脉冲LD驱动电源的研制

为了满足单模尾纤输出脉冲半导体激光器及其后级光放大的要求,研制了一种重频、脉宽及峰值电流均连续可调的纳秒脉冲驱动电源.该电源使用功率场效应管作为开关,通过分析其驱动特性,采用合适的栅极驱动电路,从而缩短了脉冲宽度,增加了带负载能力;同时电源中的保护电路采用自断电等保护措施,能有效保证LD的安全工作.实验结果表明,该驱动电源工作稳定,能满足单模尾纤输出脉冲LD重频、脉宽、峰值可调的要求.     

全固态广播发射机大功率场效应管的维护浅谈

广播发射机的全固态化技术发展依赖于大功率场效应管制造技术的突破,全固态广播发射机的功放级广泛地采用了金属氧化物半导体场效应管即:MOS-FET.固原市广播电视台引进的海纳公司1kW系列全固态广播发射机的功率放大器采用4块场效应管放大,引用先进的功率合成技术,使单台发射机实现kW级功率输出,本文结合该机运行5年来情况,阐述一下维护大功率场效应管的经验. 1 激励器 激励器是意大利RVR公司生产的30W原装激励器,可以在87.5～ 108MHz之间间隔0.01 MHz任选规定频率,直接频率合成,保证高质量的线性偏差和极小的失真;激励器具有驻波比保护电路,在驻波比高于要求或锁相电路失控时,无功率输出.     

给莺歌C51—3—RC彩电增添过压保护功能

《家庭电子》95年第三期发表的徐曙华同志的“一只电容引起大面积元器件损坏”文章,觉得有些问题必须修正:第一该机芯稳压电源应为并联自激调频式开关电源。因为开关电源的开关频率并没有由行频锁定,其输出电压是通过取样比较,将误差放大后去控制开关脉冲频率达到稳定。第二C_(508)不是隔直缓冲电容,而是开关管脉冲信号(开关信号)耦合电容。第三本机芯电源部份有过流保护,行电路有过压保护(IC201TA7698第(30)脚并未直接接地),该文章所说电源指示     

具有保护功能的功率开关管IRSF3010的特点及其应用

具有保护功能的功率开关管ＩＲＳＦ３０１０的特点及其应用李明１、引言ＩＲＳＦ３０１０是美国ＩＲ公司生产的一种三端单片智能功率场效应管，ＴＯ—２２０封装，与现有的功率ＭＯＳＦＥＴ完全兼容，其输入电流非常小（３００μＡ），Ｎ沟道逻辑电平控制。它具有短路保护...     

半自激单端开关稳压电源

在小于200W无工频变压器交流输入、直流输出开关稳压电源中,常见自激式和他激式两种电路程式。自激式电路简单、成本低,但可靠性差、稳压范围窄、效率低于80%;他激式开关电源可靠性高、稳压范围宽,但电路复杂、成本高,在小功率场合由于激励部分的功率消耗,效率也难以提高。本文介绍笔者最近设计的半自激单端开关稳压电源,它能吸收两者的优点,又能克服两者的缺点。     

双运放线性相位检波器

如图1所示,本电路由两只运放和两只场效应管组成模拟线性相位检波器,加在基准输入端的方波基准信号控制两只开关场效应管的通断。当两只场效应管导通时,第一只运放被接成增益为1的反相放大器;当两只场效应管截止时则该运放变成增益为1的同相放大器。     

功率电子的电路保护新选择

在线性变压器或电源出现故障时，某些元器件会产生过热现象。在开关型充电器发生故障的情况下，一些可能随之出现故障的元器件包括磁性元件或开关场效应管。在线性充电器中，没有场效应管或电子线路进行功率转换，变压器的线圈是最有可能出问题的器件。     

功率电子的电路保护新选择

在线性变压器或电源发生故障时，某些元器件会产生过热现象。在开关型充电器发生故障的情况下，一些可能随之发生故障的元器件包括磁性组件或开关场效应管。在线性充电器中，没有场效应管或电子线路进行功率转换，变压器的线圈是最有可能出问题的。     

用非线性光纤连接的长周期光栅对的光开关特性

提出用一根掺铒光纤连接两个对称的长周期光纤光栅(EDF-LPFG)对构成的新型全光开关.数值模拟了在交叉相位调制下对应于不同抽运功率的信号光的透射谱;还研究了在不同光栅的有效折射率调制幅度和光纤吸收系数下,信号光透射率随抽运光功率的变化.导出了器件的阈值开关功率公式.EDF-LPFG对光开关的阈值开关功率比单LPFG光开关的开关功率降低了5个数量级,不到25 mW.     

基于0.18μm CMOS工艺的300GHz高响应度探测器

基于0.18μm CMOS工艺设计了一种300 GHz高响应度探测器。该探测器集成了双馈差分天线和双场效应管（FET）对称差分自混频电路。双馈差分天线较单馈天线有更高的精确度及更优的抗干扰性。差分自混频电路能有效地抑制共模信号，减小噪声输入。双场效应管后增加一级放大电路，将自混频电路输出的微弱信号进一步放大以增大响应度。天线与电路间的匹配网络实现了信号的最大功率传输。在全波电磁场仿真软件HFSS下对双馈天线进行建模与仿真优化，并与电路进行联合仿真。结果显示探测器在栅源电压为0.43 V、输入功率为-40 dBm时，最大响应度为11.25 kV/W，最小噪声等效功率为■。     

双开关正激转换器及其应用设计

与3次绕组和RCD钳位等常见变压器磁芯复位技术相比,双开关正激技术不需要特殊的复位电路．更易于实现．且保证可靠的磁芯复位,适用的功率等级比单开关正激技术更高。安森美半导体的NCP1252是一款增强型双开关正激转换器．具有可调节开关频率及跳周期模式,带闩锁过流保护等多种保护特性,适合计算机ATX电源、交流适配器、UC38xx替代及其它任何需要低待机能耗的应用。