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介绍了移动通信的发展动向和移动通信对半导体技术的要求。给出了具体的器件技术包括Si双极晶体管、SiMOSFET、GaAsHBT、HJFET和HEMT以及电路技术。 相似文献
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介绍了移动通信用 Ga As HBT功率放大器的设计、制作 ,给出了电路拓扑。该两级放大电路在 180 0 MHz、3.6 V偏压下 ,相关增益 >30 d B,1分贝压缩点输出功率达到 2 8.8d Bm,饱和输出功率 >30 d Bm,最大效率 >37%。采用 Φ 76 mm工艺制作 ,工艺成品率高 相似文献
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首先介绍了当前移动通信的发展概况,进而阐述了移动通信对半导体器件的要求、GaAs技术在移动通信领域中的应用,最后主要介绍了开发应用的具体实例。 相似文献
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GaAs MMIC在移动通信中的应用 总被引:1,自引:1,他引:1
李涵秋 《固体电子学研究与进展》1995,15(4):396-402
便携式无线通信系统是GaAsMMIC潜在的民用大户。在简要陈述该新兴市场现状及前景的基础上,着重讨论GaAsMMIC占据该市场并成为其核心技术的策略。 相似文献
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简介了移动电话单片功率放大器的设计、制作,给出了电路拓扑和版图.该三级放大电路在800-900MHz内,小信号增益>35dB,饱和输出功率>32dBm,效率>34%。采用50mm全高于注入全平面干法工艺,均匀性、重复性好,工艺成品率高。 相似文献
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砷化镓PHEMT功率器件具有工作频率高,输出功率密度大,效率高,功率增益高等特点,我们研制的0.5μm栅长GaAsPHEMT小功率晶体管,栅宽1mm,直流跨导250ms/mm,栅漏反向击穿电压大于13V,在20GHz下最大可用增益为8dB,X波段输出功率为0.8W/mm,可应用于22GHz以下的窄带功率放大器和18GHz以下的宽带功率放大器。 相似文献
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作为无线通信用高频模拟IC的选择,GaAs器件崭露头角,尤其是GaAs金属半导体场效应管(MESFET),由于它的噪声、增益、功耗等性能优于其他工艺,因而在前端(低噪声放大器、功率放大器、上变频器、混频器等)或单片微波IC(MMIC)应用中占有相当优势。下一代无线通信设备市场发展必将转向批量大、成本低、价格性能比高和竞争能力强的半导体器件,其中不仅包括蜂窝电话和个人通信服务(PCS)的话音通信,而且将覆盖大量的无线局域网(WLAN)、无线电缆、无线局部回路(WLL)、卫星系统以及话音与数据通信为… 相似文献
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讨论了移动通信对抗中的几种遮盖性干扰技术。首先通过对锯齿波调频的傅里叶变换 ,提出了阻塞式干扰下功率谱扩展衰减因子概念 ;然后提出了分段阻塞式干扰的几种方法 ,着重分析了瞄准式干扰的必要性和可行性 ;最后对几种干扰信号样式作了分析对比。 相似文献
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数字移动通信网中的用户认证方案 总被引:3,自引:0,他引:3
刘建伟 《信息安全与通信保密》1995,(1)
本文根据Harn L提出的修正ELGamal签名方案和Rabin的公钥加密体制,提出了一种适用于数字移动通信网的公钥用户认证方案。该方案克服了GSM和CT—2等系统中所采用的秘密密钥方案不够安全的缺点,并具有较低的计算复杂度和较高的安全性。 相似文献
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移动通信市场僵局的成因及破解之道 总被引:2,自引:0,他引:2
近年来,我国移动通信市场增量不增收,ARPU值不断下降,已经明显具有了僵局的特征。所以,如何避免僵局、打破僵局成为人们关注的话题。我国移动通信市场僵局的形成有着复杂的原因,主要是运营商在双寡头垄断市场所坚持的不同博弈均衡。首先以经验曲线理论说明价格战的适用范围,然后通过博弈分析阐述移动通信市场僵局形成的原因,最后提出僵局的解决之道。 相似文献
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2004年是全球电信市场回暖的一年,移动通过市场的各个领域都有了很好的发展,在移动通信系统方面,移动通信网络建设和技术发展都进入了快车道,在移动通信业务方面,一按即通(PTT)业务,以及移动电视业务成为了运营商关注的焦点。在移动通信设备领域,3G终端问题得到缓解,3G系统快速发展起来。此外,移动号码可携带政策在2004年也得以实施。从移动通信系统发展、移动通信业务、通信设备、通信管制政策等方面总结2004年的移动通信发展情况。 相似文献
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经历了20世纪90年代的超高速发展和2001年的世界经济减缓、高科技股市泡沫的破灭,2002年将是移动通信产业转变增长模式、调整结构和走向成熟的一年。展望未来,这一产业仍将以远远高于国民经济增长的速度发展。然而,我们也将面临着一系列的挑战:调整面向最终用户的需求、调整面向竞争的增长模式、选择走向第三代的道路等。 相似文献
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我国新一代移动通信体制问题及若干对策 总被引:1,自引:0,他引:1
发展第三代(3G)移动通信系统已经在全于范围内达成了共识。本文针对中国新一代移动通信体制问题进行了相关讨论,并就若干发展战略进行了探讨。 相似文献