首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
2.
半导体量子点激光器的发展   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文综述了半导体量子点激光器的发展和研究现状,并简单介绍了量子点材料的自组装生长,量子点在其他光电子器件上的应用及其发展趋势。  相似文献   

3.
半导体量子点和量子线材料及其制备技术   总被引:5,自引:0,他引:5  
综述了半导体量子点和量子线材料的最新发展动态及其制备技术。  相似文献   

4.
半导体量子点的电子结构   总被引:4,自引:1,他引:4  
半导体量子点是一种具有显著量子尺寸效应的介观体系。文中从固体能带理论出发,对箱形量子点、球形鼻子点、巨型鼻子点以及磁场中量子点的电子结构进行了讨论。  相似文献   

5.
半导体量子点材料   总被引:1,自引:0,他引:1  
张臣 《半导体情报》2000,37(5):1-4,11
综述了半导体量子点材料的最新发展动态和发展趋势。  相似文献   

6.
浅谈半导体量子点与纳米电子学王家俭(山东大学物理系济南250100)关键词量子点,库仑阻塞现象,单电子晶体管,纳米电子学目前,以集成电路为基础的微电子技术,已在国民经济和现代战争中起到不可估量的作用。随着电路尺寸不断缩小、集成度的提高,已进入甚大规模...  相似文献   

7.
半导体量子点的器件应用   总被引:4,自引:1,他引:4  
半导体量子点的生长和性质已成为当今研究的热点。以S-K生长模式已成功地生长了无缺陷的半导体量子点。由于其较强的量子效应,量子点结构的光电器件和电子器件有望比量子阱结构的器件具有更好的性能。介绍了量子点在光电器件中的一些应用,包括单电子晶体管、激光器和红外探测器等。  相似文献   

8.
半导体量子点被认为是制备量子光源的最佳方案。量子点量子光源的可控性、纯度、亮度、全同性和相干性都有了很大的提高,已接近于应用水平。归纳了基于半导体量子点的量子光源研究进展中的关键问题,指出了半导体量子点量子光源在3个方面的主要进展,并讨论了关键制备技术,即半导体量子点作为单光子光源,实现了高全同性、高纯度、高收集效率等特性; 通过降低精细结构分裂效应等措施,量子点量子光源实现了具有高比特率、高保真度特性的光子纠缠; 量子点量子光源与平面电子线路和纳米光子系统的芯片集成取得了显著成效。在此基础上,对半导体量子点量子光源在量子信息领域的研究前景进行了展望。  相似文献   

9.
概述了半导体量子微结构中的量子效应,并介绍了谐振隧道器件,评述了新的量子微结构,如单电子隧道器件,电子波衍射晶体管和量子线量子箱激光器的开发,还讨论了量子微结构的尺寸要求和研究课题。  相似文献   

10.
阐述了半导体量子点自组织生长方法的基本原理,并介绍了半导体量子点的一些特性,如激子束缚能、载流子动力学、排列规则和光学性质。  相似文献   

11.
用简谐势描述量子点中电子所受的约束 ,通过简谐势模型利用自洽迭代的方法计算了Cd S、Pb S等半导体纳米粒子的充电电容 ,从而找到了其在室温下形成单电子器件的最大粒径 .  相似文献   

12.
用PL谱测试研究了半导体量子点的光致发光性能,分析了不同In组分覆盖层对分子束外延生长的量子点发光特性的影响,及导致发光峰红移的原因.结果显示,In元素有效抑制界面组分的混杂,使得量子点的均匀性得到改善,PL谱半高宽变窄.用InAs覆盖的In0.5Ga0.5As/GaAs自组织量子点实现了1.3um发光.  相似文献   

13.
综述了半导体量子点材料的最新发展动态和发展趋势。  相似文献   

14.
半导体量子点中强耦合磁极化子的性质   总被引:3,自引:6,他引:3  
采用线形组合算符和么正变换研究了磁场对半导体量子点中强耦合磁极化子基态的影响.结果表明,磁极化子束缚能、磁极化子振动频率随有效束缚强度增大而减小,随电子-体纵光学声子耦合强度增大而增大,随磁场强度增大而增大,即均由于半导体量子点的受限和磁场的增大而使量子点的极化加强,因此半导体量子点的极化是不容忽略的  相似文献   

15.
顾修全  陈凡  张家正  王明月 《微纳电子技术》2011,48(12):767-772,808
半导体量子点太阳电池目前是一个十分热门的研究领域,在未来新能源利用领域具有潜在的应用价值。首先,介绍了几种量子点敏化电极的制备技术。然后,着重评述了CdS,CdSe和PdS量子点敏化太阳电池近年的研究进展。通过对大量最新的相关文献进行总结发现,电池的性能主要受量子点的组装技术、能带结构以及基体材料等因素的影响。最后,分析了该领域中目前存在的问题,并提出了今后研究的对策,包括采用两种量子点共敏化方法以提高光俘获效率,采用沉积钝化层的方法以降低载流子复合。  相似文献   

16.
利用分子束外延技术和 S- K生长模式 ,系统研究了 In As/Ga As材料体系应变自组装量子点的形成和演化 .研制出激射波长λ≈ 960 nm,条宽 1 0 0μm,腔长 80 0μm的 In( Ga) As/Ga As量子点激光器 :室温连续输出功率大于 3.5W,室温阈值电流密度 2 1 8A/cm2 ,0 .61 W室温连续工作寿命超过 3760小时  相似文献   

17.
硅基量子点器件由于其独特的性能以及和硅集成电路相容的特点成为研究的重点。量子点中电子和空穴强的量子限制作用使其表现出一些新颖的物理性能,从而在微电子和光电子器件方面有着重要的应用价值。本文介绍了硅基量子点器件的一些应用,包括单电子晶体管、红外探测器、发光二极管。  相似文献   

18.
肖玮  肖景林 《半导体学报》2006,27(12):2118-2122
采用线性组合算符和幺正变换方法研究了磁场和库仑场对半导体量子点中强耦合极化子性质的影响.导出了强耦合束缚磁极化子的振动频率和基态能量与量子点的有效受限长度、库仑束缚势、磁场的回旋共振频率和电子-声子耦合强度的变化关系.数值计算结果表明:强耦合束缚磁极化子的振动频率和基态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随磁场的回旋共振频率的增加而增大.基态能量随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增加而减少.  相似文献   

19.
应用线性组合算符方法和幺正变换方法,研究在抛物势作用下的柱型量子点中极化子的性质。对Zns、AgBr量子点的数值计算表明:量子点中极化子的基态能量E^o随有效受限ι^o长度zo、柱高L的减小而增加,ι^o或L愈小,增加愈快;当ι^o或L减小到某一值(α=0.649、L=20.0nm;ι^o=7.2nm;或α=0.649、ι^o=20.0nm、L=10.0nm)时,极化子能量将大于零;平均声子数随耦合常数的增加而增加。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号