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介绍了一种C波段反射型GaAs MESFET雷达介质稳频振荡器(RDRO),进行了理论分析和数学模拟,并借助计算机利用Ansoft公司的Serenade7.0软件进行优化设计。通过理论计算和计算机辅助优化,可以获得较好性能的振荡器。实现了谐频率f0=5.06GHz,输出功率8dBm,从室温到60℃范围内频率稳定度可达3ppm/C。 相似文献
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介绍了一种HEMT管介质振荡器的计算机辅助设计方法。电路采用传输型耦合的介质谐振器作为稳频元件,确定振荡器的谐振频率。通过理论分析和计算机辅助优化设计,可以获得性能较好的介质振荡器。所设计介质振荡器的基本性能为:谐振频率f0=12 GHz,输出功率P0=8.6 dBm,在偏离载频100 kHz处相位噪声小于-140 dBc/Hz。 相似文献
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本文分析了基于有源全通网络的多相正弦振荡器所特有的多频率振荡问题,得到了不同n值所对应的各振荡频率。给出了消除k>1振荡的方法和相位补偿电容(C1、C2)之间必须满足的关系,讨论了非理想运算放大器时的振荡频率,测试了三相和四相正弦振荡器,用PSPICE仿真了五相和六相正弦振荡器,实验和仿真结果与理论分析相符。 相似文献
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描述了一种3mm雪崩管集成振荡器。该振荡器由雪崩二极管,微带谐振装置,鳍线过渡段组成。通过对雪崩管振荡器的理论分析,利用电路设计软件ADS与三维仿真软件HFSS仿真优化,设计出了频率为95GHz的雪崩管集成振荡器。 相似文献
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提出以矩形耦合振荡器阵列为本振阵列,分析了矩形耦合本振阵列的相位控制原理及方法,推导了耦合本振阵列稳定锁相同步时,本振阵列阵元间形成均匀的相位分布,且等相位差只与边界上振荡器的自由振荡频率有关。利用耦合本振阵列阵元间等相位差的这一属性,调节耦合本振阵列边界上的振荡器自由振荡频率,改变耦合本振相邻阵元的等相位差,实现波达方向估计。文中对波达估计算法进行了计算机仿真,验证了其理论分析结果,为注频锁相耦合振荡器阵列应用于天线接收技术提供有力的理论基础。 相似文献
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在毫米波通信系统中,振荡器是最基本的微波频率源。本文介绍了一种串联反馈型介质振荡器的设计方法,
基于负阻理论和谐波平衡法,利用HFSS 和ADS 设计了10.5Ghz 的低相位噪声串联反馈型介质振荡器。HFSS 用来精
确仿真介质谐振器与微带线的耦合;ADS 用来对振荡器非线性仿真,优化相位噪声和输出功率。在设计过程中,采
用低噪声PHEMT 晶体管ATF-34143 作为振荡器的有源器件,高Q 值、高介电常数的介质谐振器作为稳频元件,确
定振荡器的谐振频率。 相似文献
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本文首先对线性的频率稳定理论用于近似正弦反馈振荡器的线性频率稳定理论,进行了评论性的回顾。在这方面,解释所谓的线性振荡器是清楚的。其后,是应用描述函数法和判决方程法所得到新的表达式,去阐述反馈振荡器考虑成一个非线性网络时的振荡频率和振荡幅度的稳定性。 相似文献
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介绍了微波低相位噪声介质振荡器的设计方法。就影响介质振荡器相位噪声的因素进行了讨论,从谐振回路有载Q值、有源器件、增益压缩量、电路模式等几个方面提出了降低相位噪声的方法,并给出了一个C波段微波低相噪振荡器的设计实例。测试结果表明:该振荡器工作频率3 900 MH z,输出功率大于10 dBm,相位噪声达到-102 dB c/H z@1 kH z;-128 dB c/H z@10 kH z。 相似文献
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《Microwave Theory and Techniques》1983,31(3):312-314
A simple model of the temperature stabilization of dielectric resonator FET oscillators (DRO's) is presented. Deduced from the oscillation condition, the model furnishes relations for oscillation power and frequency stability with temperature. A stack resonator with an appropriate linear resonance frequency/temperature characteristic has been developed and used to stabilize a DRO: frequency stability of +- 120 kHz over - 20°C to 80°C (/sup delta=/+- 0.1 ppm/K) at 11.5 GHz has been achieved. 相似文献
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《Microwave Theory and Techniques》1985,33(4):310-314
The long-term frequency drift of GaAs FET oscillators with temperature has been analyzed theoretically and experimentally in view of stabilization using dielectric resonators. It was found that the dielectric material stability and quality factor should be within certain limits, and, in addition, that the resonance frequency over the temperature characteristic should be quite linear. Such a material has been developed on the basis of BaTi/sub 4/O/sub 9/ and Ba/sub 2/Ti/sub 9/O/sub 20/ , and ultra-stable DRO's with frequency drifts of around +- 100 kHz for -50 to 100°C at 11 GHz (ap +- 0.06 ppm/K) have been realized. 相似文献
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本文提出了一种新的介质腔振荡器(DRO)光调谐方法及电路。利用GaAS光敏材料在激光照射下电导的变化,调节变容管两端的偏压,在3.4GHz得到了32MHz的光调谐范围,而DRO的输出的功率只有很的变化。 相似文献
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针对小型化条件下,影响介质振荡器输出功率、相位噪声等主要技术指标的因素进行了分析,提出了提高小型化微波功率介质振荡器的输出功率、降低相位噪声和改善器件散热的方法。通过优化电路结构和CAD仿真技术,解决了功率耗散大与盒体模块小、相位噪声要求高和腔体尺寸小这两个主要矛盾,研制出的DRO输出频率为Ku波段点频,输出功率达到了0.5W,工作效率为20%,相位噪声优于-80dBc/Hz@10kHz,体积为34mm×27mm×9mm。研制结果表明,该介质振荡器具有体积小、输出功率高、相位噪声较高等优点,性能可靠,满足系统小型化使用要求。 相似文献
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Jiayu Chen Ding Lu Shenggang Liu 《Journal of Infrared, Millimeter and Terahertz Waves》1995,16(3):615-622
In this paper, linear theory and 3 dimension numerical calculations (R.DRO) are reported, the operation complex frequency equation is given. The test is carried out on a dynamical model, theoretical and test results of R.DRO have been analysed. 相似文献
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A new type of DRO using whispering gallery modes is presented. The circuit realised in planar technology is characterised using the finite element method. This global electromagnetic analysis enables the output power and the oscillation frequency to be calculated. Theoretical and experimental results are compared for a DRO operating at 15.6 GHz 相似文献