分子束外延

二、引言在现代的科学技术中,随着微波器件、光电器件和光通讯的发展,特别是集成光学的提出,近几年新发展起来一种新的晶体生长技术一分子束外延(MBE)。分子束外延与气相外延(VPE)和液相外延(LPE)不同。它是在超高真空下(10~(10)乇)进行生长,加之装有一些控制设备和分析仪器,可以精确地控制结晶生长,同时还可以进行现场观察和研究结晶生长过程,又能精确地控制生长薄膜的均匀性和厚度,并能进行多种掺杂。用MBE能生长数埃至几个微米厚的高质量单晶薄膜,而用VPE和LPE目前都难以达到。由于上述特点,MBE特别适用于微波器件、光电器件和集成光路的研制,它是一种较为复杂的综合性先进技术。MBE是在蒸发工艺基础上发展起来的。然而MBE作为晶体生长技术是1969年由贝尔实验室J.R.Arthur和A.Y.Cho等人提出的,当时MBE还不完善,但是它的发展速度是相当快的。特别是最近几年,在基础理论和应用方面的研究都很活跃,MBE日     

分子束外延装置

如果支撑LSI的高集成化及高速化的微细化技术更进一步地发展,使设计尺寸达到1μm以下,那么不仅是横方面的微细化而且有源领域的纵方向的微细化即薄膜化和浅结形成也就变得重要了。特别有吸引力的是超高速器件的杂质剖面可任意设计。这时候,为了避免已经形成的结尺寸和杂质剖面发生大的变化,其必要条件是工艺温度要相当低。     

分子束外延技术

分子束外延(简称 MBE)设备是一种控制晶体生长的装置。现在,用 MBE 技术可以制备在自然界不存在的某些晶体。目前研究时采用该技术最多的材料是砷化镓(GaAs)、砷化铝(GaAl)和它们的混晶镓铝砷(GaAlAs)。在用 MBE 技术研究的材料中它们约占70%,其余的30%为硅(Si)、砷化铟(InAs)、铟镓砷(InGaAs)、碳化硅(SiC)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、碲镉汞(CdHgTe)等材料.     

砷化镓分子束外延

外延层是由喷炉蒸发膜组分元素及掺杂元素淀积的。在生长掺锡的砷化镓时,一个炉装锡,一个炉装满多晶砷化镓,一个装纯镓。所有的喷炉都用液氮包围起来,液氮上敷有一冷致开口,且设机械闸。因此分子束可以突然地开和闭。喷炉与衬底的温度用热偶测量。而分子束的组分用质量光谱仪分析,用一种离散高能电子衍射装置研究外延膜     

PbS分子束外延

本文介绍了一种自行设计的、能连续制备多层外延膜的简易分子束外延装置,并用此装置在Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te衬底上生长了PbS单晶薄膜。利用扫描电镜、X-射线分析,红外反射光谱等检测手段,对单晶膜的表面形态及结晶质量进行了观察和测试分析。     

分子束外延研究进展

简要介绍了用分子束外延（ＭＢＥ）技术制备二维电子气结构、量子线、量子点及高指数衬底表面ＭＢＥ生长等方面的研究进展     

分子束外延研究进展

简要介绍了用分子束外延（ＭＢＥ）技术制备二维电子气结构、量子线、最子点及高指数衬底表面ＭＢＥ生长等方面的研究进展。     

激光分子束外延

激光分子束外延是在传统分子束外延和普通激光淀积技术基础上发展起来的一种最新制备薄膜和人工超晶格方法。本文介绍了激光分子束外延的工作原理，与传统分子束外延和普通激光淀积技术的区别，主要特点和发展现状，并对其前景进行了简要的评价。     

全自动分子束外延装置

前言随着信息社会的高度发展,对半导体器件已有了更高的要求。提高半导体器件性能的方向之一,是以超LSI为代表的微细化以及高密度化,另一个方向是新型半导体材料的开发。如用GaAs制成各种器件。这类器件不仅包括集成电路,而且还有Si材料很难制成的半导体激光器件等光电子器件。     

分子束外延及其应用

最早发表有关化合物半导体分子束外延(简称MBE)的论文大约是五年前的事。之后,贝尔实验室及国际商业机械公司对分子束外延进行了研究发展,最近,它作为半导体单晶新的生长技术而引人注目。分子束外延可以生长极薄(几十埃)的外延层,且原子能级平坦,但用目前的汽相和液相外延法生长这样的薄层就很困难。本文就分子束外延及其应用问题加以阐述。     

分子束外延及其应用

一、引言随着半导体器件的发展而发展起来的分子束外延(MBE),是一种精密加工新技术。它是在超高真空下,把几个分子束喷射炉置于液氮屏蔽罩内,用需要进行生长的物质或掺杂物分别装入各喷射炉中,将炉温升到各自的蒸发温度产生相应的分子束,连续地打在适当温度的衬底上,实现单晶薄膜生长。分子束外延不仅能生长大面积、厚度和化学组份精确控制、均匀平滑的外延层,而且还能     

分子束外延及其应用

<正> 一、引言分子束外延(MBE)是指在超高真空(UHV)环境中,将具有不同强度和化学特性的分子束射到加热的单晶衬底上,使其在衬底上进行反应,从而实现外延生长的一种精密加工技术。从晶体生长角度考虑,可称之为外延,而从工艺方式上考虑时,因为材料是以原子或分子状态蒸发到衬底上的,所以也可以称之为分子束蒸发。在外延家族中,与液相外延(LPE)和汽相外延(VPE)相比较,MBE还比较年轻,是六十年代末期才发展起来的一种新技术,尽管目前还不够成熟,但它正在不断发展和完善着。特别是最近几年来,随着激光器件和微波器件的发展,对外延层的要求越来越高,不但结构复杂,而且厚度也非常薄,MBE以其独特的优点受到应有的重视。以美国的贝尔     

砷化镓分子束外延简介

一、概述从六十年代初期至今十余年内,用来生长砷化镓单晶外延膜的方法主要有两种:一种是利用化学反应从汽相往单晶衬底上淀积砷化镓的汽相外延生长法,另一种是从含有砷化镓材料的溶液中利用偏析作用在衬底上析出单晶的液相外延法。最近几年,国外又出现了一种被称为分子束外延的生长技术(也有称为真空淀积技术或真空蒸发技术),并用它成功地生长了砷化镓单晶薄膜。所谓分子束外延方法,就是在一超高真空系统中,使衬底保持在一适当高温下,通过将膜组分元素和掺杂剂元素分别装到分离的喷射炉中,并将炉温加到蒸发温度以产生相应的分子束,连续地打在衬底表面上,从而在衬底表面上进行淀积以后到单晶薄层。     

分子束外延国际讨论会

最近,分子束外延(MBE)技术,在基础理论和应用方面的研究都得到稳步发展。1979年5月8日至9日两日间,由美国电化学协会主持,在波士顿召开了分子束外延国际讨论会。所发表论文如表1所示。其中美国12篇,英国2篇,日本3篇,法国1篇。两天的会议主席分别由L.L.Chang(IBM)和A.Y.Ch(?)(Bell)担任。参加会议代表共150名,其中日本10名。为方便起见,将所发表的论文按基础理论研究和应用研究两类分别进行介绍。     

分子束外延InAlSb红外探测器光电性能的温度效应

采用分子束外延生长方法在InSb （100）衬底上生长p+-p+-n-n+势垒型结构的In1-xAlxSb外延层。运用X射线衍射对材料的晶体质量及Al组分进行测试和表征,InAlSb外延层的半峰宽为0.05,表明外延材料的单晶性能良好,并通过布拉格方程和维戈定律计算出Al组分为2.5%。然后将外延材料制备成多元红外探测并测得77~210 K下的光谱响应曲线,实验发现探测器的截止波长从77 K时的4.48 m增加至210 K时的4.95 m。通过数据拟合得出In0.975Al0.025Sb禁带宽度的Varshni关系式以及其参数Eg（0）、和的值分别为0.238 6 eV,2.8710-4 eV/K,166.9 K。经I-V测试发现,在110 K,-0.1 V偏压下,器件的暗电流密度低至1.0910-5 A/cm-2,阻抗为1.40104 cm2,相当于77 K下InSb探测器的性能。同时分析了温度对器件不同类型的暗电流的影响程度,并得到器件的扩散电流与产生-复合电流的转变温度约为120 K。     

分子束外延技术的新进展

科学院半导体研究所利用国产的分子束外延(MBE)设备,继制备成功具有国际水平的高纯N型GaAs单晶薄膜之后,新近,又研制出高迁移率的选择掺杂AlGaAs/GaAs异质结,并对这种异质结的二维电子气物理性质进行了研究,观测到了它在4.2K下著名的Shubnikov-de-Hass振荡和量子化霍尔“平台”效应。     

用于分子束外延衬底温度检测的红外探测装置

报道了一个与Ｒｉｂｅｒ３２Ｒ＆Ｄ分子束外延系统联用并可在材料生长过程中同时检测材料衬底温度的简易红外探测装置，介绍了用该装置所实现的生长过程恒温控制改善了ＧａＡｓ外延材料晶格的完整性。     

分子束外延低温生长GaAs的Raman光谱研究

我们对从ＧａＡｓ衬底剥离下来的低温下分子束外延生长的ＧａＡｓ（ＬＴＧ－ＧａＡｓ）薄膜进行了喇曼光谱测量，研究了不同温度下生长的ＬＴＧ－ＧａＡｓ在退火前后晶体完整性的变化．我们首次观测到了１９０℃生长样品中Ａｓ沉淀物所引起的喇曼峰，并证明８００℃快速热退火３０秒后产生的Ａｓ沉淀物是无定形Ａｓ．