低温合成光纤用石英管

采用胶体－凝胶法合成了凝胶石英管。该项技术在低温下合成，可有效防止凝胶的开裂，缩短工艺周期。在合适的烧结条件下，可得完全致密的透明石英管。     

粘接剂对CO2激光器Pt/SnO2催化剂性能的影响

就不同的粘接剂对小型封离式CO2激光器内CO转化催化剂的物理性能和反应性能的影响进行了研究。得出用铝基型粘结剂比用硅基型粘结剂制备出的催化剂其机械强度几乎高1倍,但用硅基型粘结剂制出的催化剂其反应活性好。如以硅溶胶或硅溶胶加碳纤维作粘结剂制备出的催化剂,在室温和-20℃时,于1×104h-1空速条件下,其CO的转化率都是100%,在-35℃时也有很好的反应活性,其CO的转化率为79.3%和95%。     

粘接剂对CO_2激光器Pt/SnO_2催化剂性能的影响

就不同的粘接剂对小型封离式CO2 激光器内CO转化催化剂的物理性能和反应性能的影响进行了研究。得出用铝基型粘结剂比用硅基型粘结剂制备出的催化剂其机械强度几乎高 1倍 ,但用硅基型粘结剂制出的催化剂其反应活性好。如以硅溶胶或硅溶胶加碳纤维作粘结剂制备出的催化剂 ,在室温和 - 2 0℃时 ,于 1× 10 4 h- 1空速条件下 ,其CO的转化率都是 10 0 %,在 - 35℃时也有很好的反应活性 ,其CO的转化率为 79.3%和 95 %。     

SnO_2纳米晶薄膜栅FET式气敏元件的研制

利用溶胶 凝胶法合成出纳米晶SnO2 薄膜 ,该薄膜可以利用化学腐蚀方法光刻腐蚀 ,因此采用传统硅平面工艺可以制作出纳米晶SnO2 薄膜栅FET式气敏元件 ,实现了制备纳米晶材料的溶胶 -凝胶工艺与硅平面工艺的兼容。对器件的测试结果表明 ,纳米晶SnO2 薄膜栅FET式气敏元件可以在常温下工作 ,元件的漏电流在乙醇气体中减小 ,掺杂镧以后 ,漏电流变化幅度增大     

SnO2纳米晶薄膜栅FET式气敏元件的研制

利用溶胶－凝胶法合成出纳米晶ＳｎＯ２薄膜,该薄膜可以利用化学腐蚀方法光刻腐蚀,因此采用传统硅平面工艺可以制作出纳米晶ＳｎＯ２薄膜栅ＦＥＴ式气敏元件,实现了制备纳米晶材料的溶胶－凝胶工艺与硅平面工艺的兼容。对器件的测试结果表明,纳米晶ＳｎＯ２薄膜栅ＦＥＴ式气敏元件可以在常温下工作,元件的漏电流在乙醇气体中减小,掺杂镧以后,漏电流变化幅度增大。     

纳米晶材料的软化学制备技术

介绍了软化学制备纳米晶材料的各种制备方法及其优缺点。重点介绍了沉淀法、水热法、溶胶-凝胶法、低温燃烧合成和溶胶-凝胶自燃烧法的工艺原理、特点及其合成实例。     

红外宽频吸收硅基复合气凝胶的制备及表征

以正硅酸乙酯为硅源,采用酸碱两步催化法经过溶胶-凝胶和冷冻干燥制备出SiO2气凝胶基材,并在凝胶老化过程中添加三乙胺盐酸盐得到兼具中远红外吸收特性的硅基复合气凝胶。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、氮吸附-脱附和傅里叶红外吸收光谱对气凝胶的结构和性能进行了表征。结果表明:胺盐在硅气凝胶网络结构中穿插结晶;基材的比表面积、最大孔容和平均孔径分别为524.5 m2/g、1.2 cm3/g和9.2 nm,复合材料的比表面积、最大孔容和平均孔径分别为37.93~138.7 m2/g、0.08~0.28 cm3/g和7.1~8.8 nm;基材和复合气凝胶的表观密度分别为0.25 g/cm3和0.35~0.51 g/cm3;复合气凝胶在中远红外窗口具有宽频吸收的特性,且三乙胺盐酸盐含量的增加,中红外相对吸收强度成比例增强。     

红外宽频吸收硅基复合气凝胶的制备及表征

以正硅酸乙酯为硅源,采用酸碱两步催化法经过溶胶-凝胶和冷冻干燥制备出SiO2气凝胶基材,并在凝胶老化过程中添加三乙胺盐酸盐得到兼具中远红外吸收特性的硅基复合气凝胶。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、氮吸附-脱附和傅里叶红外吸收光谱对气凝胶的结构和性能进行了表征。结果表明:胺盐在硅气凝胶网络结构中穿插结晶;基材的比表面积、最大孔容和平均孔径分别为524.5 m2/g、1.2 cm3/g和9.2 nm,复合材料的比表面积、最大孔容和平均孔径分别为37.93~138.7 m2/g、0.08~0.28 cm3/g和7.1~8.8 nm;基材和复合气凝胶的表观密度分别为0.25 g/cm3和0.35~0.51 g/cm3;复合气凝胶在中远红外窗口具有宽频吸收的特性,且随着三乙胺盐酸盐含量的增加,中红外相对吸收强度成比例增强。     

溶胶-凝胶工艺对纳米级富锆PZT粉末制备的影响

采用溶胶-凝胶工艺制备了纳米级富锆PZT粉末,分析比较了不同溶胶-凝胶过程对制备工艺和合成粉末性能的影响.研究表明合适的反应前驱物、溶液pH值、胶凝剂和热处理条件,对于提高制备粉体结晶度和活性,简化制备工艺、降低反应成本是极其重要的;以硝酸铅为铅源合成粉末具有较好的活性.     

二氧化硅复合气凝胶红外隐身材料的制备及表征

以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,采用酸碱两步催化法经过溶胶-凝胶和冷冻干燥制备出SiO2气凝胶基材,并在凝胶老化过程中通过加入不同含量β-氯乙基二甲胺盐酸盐(β-DCH)制备出兼具中远红外吸收特性的硅基复合气凝胶。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、氮吸附-脱附和傅里叶红外吸收光谱对气凝胶的结构和性能进行表征。结果表明:基材和复合气凝胶的表观密度分别为0.25g/cm3和0.36～0.54 g/cm3;基材和大部分复合气凝胶均为非晶型,只有当复合气凝胶中N:Si摩尔比为1时才有微弱的β-DCH结晶峰出现;所添加的胺盐以球形颗粒或无规则块状附着于硅气凝胶网络结构中;基材属于介孔材料,比表面积、最大孔容和平均孔径分别为:524.5m2/g、1.209 cm3/g和9.216 nm,添加胺盐后复合气凝胶不断向非多孔、大孔材料过渡,比表面积、最大孔容和平均孔径分别为:1.688～103.5 m2/g、0.0079～0.2695 cm3/g和10.42～18.68 nm。复合气凝胶在中远红外窗口具有宽频吸收的特性,且随着β-DCH量的增加,中红外相对吸收强度成比例增强。     

镍锌铁氧体的制备研究进展

总结了镍锌铁氧体的制备方法包括传统的固相法、水热合成法、溶胶凝胶法、化学共沉淀法、自蔓延燃烧法、喷雾法以及微乳液法等方法,并介绍了不同方法制备的镍锌铁氧体的晶体结构和性能。其中,化学共沉淀法、溶胶凝胶法及自蔓延燃烧法制备方法应用较为普遍,而喷雾法和水热合成法在制备纳米级镍锌铁氧体晶体及相关功能化材料中有着重要的应用。     

纳米晶SnO2气敏薄膜的制备与表征

以Sn(OH)4水合胶体为原料,采用溶胶-凝胶方法在Si片上制备了SnO2纳米晶薄膜,利用差热、热重、X光衍射以及原子力显微镜对薄膜的合成以及特性进行了分析,结果表明:在600°C条件下烧结结晶的纳米晶薄膜表面平整,具有金红石结构,平均粒度在10nm左右.以该薄膜为敏感体采用平面工艺制成的FET式气敏元件在常温下对乙醇蒸汽具有非常好的选择性.     

纳米晶SnO_2气敏薄膜的制备与表征

以 Sn( OH) 4 水合胶体为原料 ,采用溶胶 -凝胶方法在 Si片上制备了 Sn O2 纳米晶薄膜 ,利用差热、热重、X光衍射以及原子力显微镜对薄膜的合成以及特性进行了分析 ,结果表明 :在60 0℃条件下烧结结晶的纳米晶薄膜表面平整 ,具有金红石结构 ,平均粒度在 1 0 nm左右 .以该薄膜为敏感体采用平面工艺制成的 FET式气敏元件在常温下对乙醇蒸汽具有非常好的选择性 .     

基于硅溶胶的Au-SiO2复合溶胶的制备及其性能

对Au-SiO2复合溶胶制备和性能进行了初步研究。通过正交实验设计,分析了相关因素对硅溶胶性能的影响规律,确定了合适配比的硅溶胶。采用透射电子显微镜(TEM)测试结果,对比分析了Au-SiO2复合溶胶与硅溶胶的差异,对Au-SiO2复合溶胶的研究为Au-SiO2复合薄膜的制备奠定了基础。     

纳米晶材料的软化学制造技术

介绍了软化学制造纳米晶材料的各种制备方法及其优缺点。重点介绍了沉淀法、水热法、溶胶－凝胶法、低温燃烧合成和溶胶－凝胶自燃烧法的工艺原理、特点及其合成实例。     

纳米晶SnO2气敏薄膜的制备与表征

以Ｓｎ（ＯＨ）４水合胶体为原料,采用溶胶－凝胶方法在Ｓｉ片上制备了ＳｎＯ２纳米晶薄膜,利用差热、热重、Ｘ光衍射以及原子力显微镜对薄膜的合成以及特性进行了分析,结果表明：在６００℃条件下烧结结晶的纳米晶薄膜表面平整,具有金红石结构,平均粒度在１０ｎｍ左右。以该薄膜为敏感体采用平面工艺制成的ＦＥＴ式气敏元件在常温下对乙醇蒸汽具有非常好的选择性。     

CMP浆料SiO_2水溶胶纯化稳定性技术的研究

介绍了CMP浆料SiO2水溶胶的Na+含量过高对集成电路可靠性的影响,讨论了硅溶胶纯化制备过程中容易凝胶的不稳定现象。中试实验中,采用阳离子交换的方法,去除Na+等金属离子。改变SiO2水溶胶pH值,测量其Zeta电位,得到最稳定SiO2水溶胶pH值在10左右。分析一次阳离子交换和两次阳离子交换过程,得到Na+浓度、pH值和Zeta电位变化规律。加入有机碱调节pH值,并起到螯合金属离子的作用。最后得到Na+浓度为1×10-6～2×10-6 mol/L、pH值在10～10.5、Zeta电位在-40～-45 mV的稳定碱性硅溶胶。为碱性CMP浆料SiO2水溶胶工业化纯化制备生产提供了理论依据。     

扫描电镜测定硅溶胶的粒度

硅溶胶是一种水溶液胶体,它是以SiO_2为基体在水中分散的两相体系。由于硅溶胶的粒径大小及分布对于最终态的物理和化学性质有着严重影响,因此测定其粒度有重要意义。硅溶胶的粒径向来是用透射电镜测定,我所使用扫描电镜观察了硅溶胶粒子形貌并测定其粒度,做到制样简单,重复性好。制样方法:取一滴硅溶胶放在20ml高级醇溶剂中,充分搅匀后取一小滴在负载6×6mm被刻蚀过的盖玻片的样品台座上,真空抽干后立即用离子溅射镀膜仪喷金后待用。采用上述制样方法,用JSM—35c摄制硅溶胶的扫描显微图象,如图1a。由图1a显示了二氧化硅胶团粒子是无定形、密聚的、海绵状的几乎是平均大小的球体形貌。我们选择扫描图象上均匀分散的几百至上千个粒子加以测量,根据平均粒径公式计算,所得统计计算结果如表1。     

拉脱维亚溶胶—凝胶技术研究现状

1.引言在过去二十年中,使用溶胶—凝胶法制备玻璃质材料及晶态材料的研究引起了人们的高度重视,运用溶胶—凝胶法制备的材料,具有独特的组成结构和微观结构,使之有可能获得实际的应用。拉脱维亚大学固体材料研究所和里加工业大学硅材料研究所的材料研究科学家们十年来一直致力于溶胶—凝胶技术的研究。本文回顾了里加工业大学硅材料研究所在溶胶—凝胶技术方面所作的工作。叙述了合成材料的应用的可能性及范围以及与传统方法制备材料的比较结果。     

用于压电和电容微麦克风的体硅腐蚀相关研究

用溶胶-凝胶法制备的锆钛酸铅压电薄膜的微麦克风和纹膜电容式微麦克风都是基于微电子机械系统技术的硅基单片微麦克风。在其工艺制作过程中,在表面硅微加工之后进行体硅的湿法腐蚀,由此产生了硅片的正面保护和体硅腐蚀的控制等新的工艺问题。从各种正面保护方法和体硅腐蚀自停止技术两方面对这一问题进行了研究和解决。保持了微麦克风具有20~40 mV/Pa的开路灵敏度,并且使圆片级成品率达到70%以上。