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从征 《激光与光电子学进展》1999,(11)
由于桑迪亚国家实验室所作的研究,强烈耦合锁相列阵垂直腔面发射激光器已变成现实。这一发展为以不同衍射极限光束质量的高功率垂直腔面发射激光器为基础的发射器铺平了道路。利用反传导耦合,研究人员已使发射868nm波长的两个垂直腔面发射激光器锁相,让它们完全同相发射。反传导耦合要求连结发射元件的光学材料具有增大的折射率,以便光很易于在元件之间漏掉。与另一种可选方案(消逝波)不同,反传导耦合使每单位长度有很强耦合,并且最低级次的横模优先。所希望的同相运转通过两个垂直腔面发射激光器单元甚至隔开很多波长距离而实… 相似文献
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Yan Chang-ling Ning Yong-qiang Qin Li Liu Yun Wang Qing Zhao Lu-min Sun Yan-fang Jin Zhen-hua Tao Ge-tao WangChao Liu Jun Wang Lijun Zhong Jingchang 《光机电信息》2004,(4):1-12
给出了长波长垂直腔面发射激光器的器件结构的发展现状,同时对GaInNAs/GaAs垂直腔面发射激光器进行了详细的介绍。最后,给出了所设计的新型1.3μm GaInNAs/GaAs长波长垂直外腔面发射半导体激光器的结构设计,有源区量子阱由980nm半导体激光二极管进行泵浦。这种器件设计实现了激光二极管泵浦与长波长垂直腔面发射激光器的有机结合,同时具有两者的优点。此外,本文还对器件的阈值特性和光输出功率进行了理论计算。 相似文献
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金刚石微透镜既可以作为输出耦合器又可以充当热沉.垂直外腔面发射激光器(VECSEL)用途广泛,制作简单,波长范围广,光束质量好,不像边发射激光器那样需要光束整形.尽管VECSEL只是平-平谐振腔集成到半导体芯片上的单片结构,但是它有单独的外部输出耦合镜.由于VECSEL的外腔输出镜的光学特性允许把聚焦或波长选择加到谐振腔的设计中,所以它比垂直腔面发射激光器(VCSEL)用途更加广泛. 相似文献
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阈值载流子浓度及输出波长是研究耦合垂直腔面发射激光器的一个重要方面.本文利用边界条件.结合激光器中间DBRS层的耦合传输矩阵.推导出了双波长激射时的阈值载流子浓度,以及中间DBR层数对输出波长的影响. 相似文献
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在980nm波长的大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的基础上制备了高输出功率的微小孔阵列半导体激光器,其最大输出光功率达到了1mW。介绍了针对微小孔阵垂直腔面发射激光器的特殊制备工艺,并对其特性进行了分析。 相似文献
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1 引言 半导体激光器主要有边发射和垂直腔面发射(VCSEL)2种形式.边发射的半导体激光器发出的光是多模激光,法布里一铂罗腔长度达数十微米,发出的光束发散角大,为不对称的椭圆光束;垂直腔面发射激光器(VCSEL)的谐振腔长度只有几个波长,可以发出单模激光,发散角小,光束圆形对称,其光束质量远高于边发射激光器. 相似文献
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友清 《激光与光电子学进展》1994,31(7):18
电注入垂直腔面发射激光器桑迪亚国家实验室的研究人员已报导首支电注入可见光垂直腔面发射激光器(VCSEL)。此次演示被认为是激光技术的一个重要进展,这种进展使可见光面发射半导体激光器更接近于实现潜在的广泛产品。这个成就是桑迪亚R.P.Schneider... 相似文献
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为了研究单向耦合垂直腔面发射激光器系统的混沌动力学及其在通信中的应用,采用数值仿真的方法,理论研究了两个单向耦合的垂直腔面发射激光器偏振模的同步特性,并通过对发射激光器偏振态相位的调制实现了该系统的编码。结果表明,主激光器和从激光器相应模式间可以获得高性能的同步,而且存在两个明显的同步区域——完全同步和注入锁定同步。加载的数字信息也可以在从激光器每个偏振分量中还原,这表明可以利用单模或多横模垂直腔面发射激光器进行多信道混沌通信。 相似文献
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傅恩生 《激光与光电子学进展》2005,42(1):58-58
很多研究人员,根据微机电系统原理大胆开发出波长可调谐垂直腔面发射激光器(VCSEL),作为光纤远程通信系统的光源。虽然至今大多数工作集中在悬臂梁结构,但美国加州Fremont的一个工程师小组,最近用桥结构对称抽运光模型(不耦合到芯)制成了微机电系统波长可调谐垂直腔面发射激光器。 相似文献
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二维光子晶体对面发射激光器横模控制研究 总被引:1,自引:0,他引:1
垂直腔面发射激光器的单模输出特性在光网络数据传输光互连、光存储和激光打印中有重要的应用.传统的氧化限制型垂直腔面发射半导体激光器由于串联电阻大、发热严重而很难工作在单模状态.二维光子晶体结构可以有效地控制垂直腔面发射激光器的横向模式,使器件工作在单模状态下.从理论上系统研究了光子晶体垂直腔面发射半导体激光器的单模条件,成功设计了一组单模光子晶体垂直腔面发射半导体激光器,并通过常规工艺制作出功率0.6 mW、边模抑制比大于30 dB、阈值电流4 mA、远场发散角8.4°、不受电流注入影响的单模光子晶体垂直腔面发射半导体激光器.实验证明:光子晶体可有效地进行横模控制. 相似文献
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从征 《激光与光电子学进展》1998,35(10):23-24
伯克利加州大学的研究人员用一种产生自协调波长的方法(在晶片之间或单一晶片内产生)已制成单片多波长垂直腔面发射激光器列阵。一个这样的列阵可提供光纤通信中波分复用所需的多个波长,现在对每一波长来说都需有单一封装的器件。可用于大批量生产的方法将驱使器件成本下降,使低成本波分复用成为可能。早在1991年初,ConnjeChans-Ha‘”“i”等人就推想。垂直腔面发射激光器对多波长列阵制作是种巨大的激光器结构,因为垂直胜面发射激光器仅在一个法布里一拍罗模式上共振,而输出波长可通过腔长改变。如果单片垂直腔面发射激光列阵能… 相似文献
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新型材料InGaNAs的生长与应用前景 总被引:1,自引:0,他引:1
详细介绍了一种新型半导体材料(InGaNAs)的生长特点及其在制作高特征温度的长波长量子阱激光器、长波长垂直腔面发射激光器、长波长光泵垂直外腔面发射激光器、半导体可饱和吸收镜和长波长谐振腔增强探测器方面的优势。 相似文献