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1.
晓晨 《激光与光电子学进展》2000,(11)
相干公司半导体研究组开发出一种专利器件结构 ,可使无铝激光二极管在工作温度达 6 0°C时仍能保持高电 -光转换效率。这种棒结构高温时的良好性能 ,加上窄光谱以及低光束发散使其很适合二极管抽运固体台式激光器、廉价医学和工业应用。50 W、80 8nm、75°C下准连续波工作时 ,测试结果表明 ,二极管的无铝激活区呈现长寿命、高性能和高可靠性 (在 10 9个 4 0 0μs脉冲后 ,退化小于 9% ,峰值功率 55W)的优点。在 6 0 W峰值功率时 ,对 30 %填充因子棒的测量结果表明 ,光谱宽度仍与 2 .2 nm半高全宽一样 ,快轴光束发散度 <36°半高全宽。对于… 相似文献
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激光二极管(LD)在20世纪90年代的主要市场是光纤通信的光源和数据存储的光读写头,高级的光纤宽带光源模块售价达1千美元,而CD盘只读光头售价只10美元. 相似文献
3.
通过优化张应变量子阱外延结构和设计线列阵双沟道深隔离槽腐蚀工艺,采用低压金属有机化学气相沉积法(LP-MOCVD)生长了GaAsP/GalnP/AlGaInP单量子阱分别限制异质结激光器材料,并利用该材料制备r填充因子为50%的lcm宽线列阵激光巴条,用扫描电子显微镜(SEM)分析了隔离槽的形貌.在准连续工作条件(200μs脉宽,2%占空比)下,封装在被动制冷标准铜热沉上的器件在测试设备允许的最大驱动电流300A时可获得259W的输出功率,未观察到腔面光学灾变性损伤的发生.最高功率转换效率在工作电流为104A时达52%,此时输出功率为100W,激射光谱的中心波长为807.8nm,半高宽为2.4nm,快慢轴远场发散角分别为29.3°和7.5°. 相似文献
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通过优化张应变量子阱外延结构和设计线列阵双沟道深隔离槽腐蚀工艺,采用低压金属有机化学气相沉积法(LP-MOCVD)生长了GaAsP/GaInP/AlGaInP单量子阱分别限制异质结激光器材料,并利用该材料制备了填充因子为50%的1cm宽线列阵激光巴条,用扫描电子显微镜(SEM)分析了隔离槽的形貌. 在准连续工作条件(200μs脉宽,2%占空比)下,封装在被动制冷标准铜热沉上的器件在测试设备允许的最大驱动电流300A时可获得259W的输出功率,未观察到腔面光学灾变性损伤的发生. 最高功率转换效率在工作电流为104A时达52%, 此时输出功率为100W,激射光谱的中心波长为807.8nm,半高宽为2.4nm,快慢轴远场发散角分别为29.3°和7.5°. 相似文献
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Hamamatsu的研究人员报道了一种无In的激光二极管,工作波长在342nm,这是迄今为止波长最短的电驱动半导体激光二板管。 相似文献
6.
杨蕾 《激光与光电子学进展》2000,37(10):31
美陆军航天和导弹防御司令部和以色列国防部已达成协议 ,再投入 46 6 0万美元用于反导弹激光武器的研究。此项研究始于 1 996年 7月。据主要承包商 TRW太空与电子集团透露 ,战术高能量激光计划已用去两国1 .30 80亿美元 ,正处在综合阶段 ,1 999年末、2 0 0 0年初进行实际发射演示。TRW因为生产推迟、转包以后成本超支 ,威胁要放弃这个项目后 ,该计划的合约在1 999年 6月份重新进行商讨。按照合同的新条款 ,TRW将投入追加资金的一半用于开发 ,直到激光能击落飞行中的卡秋莎火箭。演示成功后 ,TRW将再投入四分之一的资金来完成整个项… 相似文献
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N/A 《激光与光电子学进展》1970,7(10):42
最终用高功率激光器作为防御弹道导弹的武器的可能性似乎在增加,但某些困难的工程问题仍有待进一步解决。美帝国防部远景研究计划局要求从一九七一财政年度预算中拨出五百八十万美元用于此项探索工作。 相似文献
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沈琪 《激光与光电子学进展》1983,20(12):35
法国CIT-Alcatel公司的工程师们正忙于完善一种崭新的激光二极管结构,这一新结构用于计划在1985年建成连接科西嘉岛和法国大陆的280兆比特/秒光缆作为光头”。此结构可保证为系统长寿命所必不可少的低电流负载。 相似文献
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友清 《激光与光电子学进展》1997,34(10):16-17
在近红外光谱区工作的(0.76~1.0μm)的高功率二极管激光器已作为掺铒光纤放大器、Nd:YAG和Ho:YAG激光器的泵浦源使用。可购到的此波段二极管激光器是把砷化铝称(AlGaAs)包含在激活区(在0.76~0.84μm波长工作的激光器)或光学限幅包层中(在0.84~1.0μm波长工作的激光器)。虽然激活区中的铝使器件输出推进到所希望波长,但也引进缺点,就砷化镓(GaAs)和砷化铜镜(InGaAs)激活区激光器而论,缩短了器件寿命和限制了输出功率。包层中含有AlGaAs的器件只存在制作困难和串联电阻较高(从而限制了总体效率)的问题。… 相似文献
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为了测量两种有源区材料半导体激光器的温度灵敏度,文中对InGaAsP/GaAs无铝和AlGaInAs/AlGaAs/GaAs有铝的808 nm大功率半导体激光器,采用阈值电流法衡量两种有源区材料激光器的特征温度。在各种温度下实验性地测量激光器的P-I曲线,并采用线性拟合法得到阈值温度线性关系,实验结果表明有铝激光器温度性能明显优于无铝激光器。 相似文献