快速成型生产微米零件

传统的立体光刻系统在一个盛着液体聚合物的槽上扫描聚焦的激光束，形成计算机辅助设计（ＣＡＤ）三维立体图像并把它一片一片地固化成所需的形状。当然，这些系统在部件大小方面有着一定的限制，但是起码能提供２５μｍ的分辨率，生长该系统的费用与所需的分辨率成正比。英国Ｓｕｓｓｅｘ大学Ｃ．Ｃｈａｔｗｉｎ和他的同事们在英国工程和物理科学研究协会资助下已经开发了微型立体光刻术的另一种方法。据报道用这种技术能产生形状复杂的微米大小的零件，这种零件不可能或者很难用传统的立体光刻术或者硅的加工工艺复制。该系统与传统的系统…     

激光快速柔性制造金属零件基本研究

为激光熔覆快速柔性制造金属零件(LRFM),研制了一种新型的同轴送粉喷嘴,制造了一些简单形状的NiCrSiB合金零件,研究了这些金属零件的微观组织、成分均匀性、硬度分布和抗拉强度。要提高激光熔覆快速制造零件的精度必须保证制造过程的稳定性,因而对整个制造过程的主要影响因素进行闭环控制。     

亚微米尺寸金属电极的制备工艺

亚微米尺寸金属电极在高电子迁移率晶体管(HEMT)等半导体电子学器件中有重要应用,其制作是器件制作中的关键工艺,对器件性能有着重要影响。本文选择合适的涂胶旋转转速、烘烤温度(180℃)和时间,可以有效地减少电子束曝光后所产生的气泡。通过对聚甲基丙烯酸甲酯/聚二甲基戊二酰亚胺(PMMA/PMGI)双层胶进行电子束曝光和显影,确定了合适的曝光剂量为550 μC/cm2。通过调整显影液配比,并将显影时间控制在合理范围,获得了光滑完整的PMMA/PMGI双层光刻胶曝光图形。开发了双层光刻胶电子束曝光工艺,制备出宽度为200 nm的金属电极。     

选区激光熔化快速成型制造精密金属零件技术

对金属粉末材料进行了自动化成型工艺实验，结合实验，研究了影响金属零件直接自动化成型的硬件因素、软件因素和材料因素。其中硬件的影响主要是激光的光束质量和功率、聚焦系统、扫描系统和铺粉系统等;软件的影响主要是扫描策略、切片软件的使用和CAD模型的建立等;材料方面的影响主要是材料的成分、熔点、粒度和粉末的粒径等。通过针对不同成分和粒度的粉末材料的实验，获得了从CAD模型到分层制造出金属实体的样件，结果表明，成型零件的致密度达100%，尺寸精度小于0.1 mm，是完全冶金结合的具有较高成型精度的金属零件。     

激光熔覆快速制造金属零件研究与发展

论述了激光快速直接制造的国内外研究和发展现状,介绍了激光快速制造金属零件的方法,重点说明了基于激光熔覆的快速制造技术和激光制造技术涉及的关键问题:精密高质量同轴送粉熔覆系统、激光熔覆的工艺优化与稳定性和激光熔覆过程的检测与闭环控制。展示了激光熔覆快速制造的典型金属零件和应用领域。提出了激光熔覆制造进一步研究的方向。     

基于机器视觉的零件尺寸测量

提出了一种基于机器视觉的非接触测量方案,力求把非接触测量手段与零件尺寸测量问题更有效地结合起来。采用超分辨率重构技术消除噪声以及由有限检测尺寸和光学元件产生的模糊,从图像中获得更多的细节和信息。利用最小二乘回归亚像素边缘检测技术进行边缘定位及角点提取。基于机器视觉CCD摄像机采用线性回归法进行摄像机的标定。最后,实验分析和比较了基于机器视觉的零件尺寸测量的应用效果。     

基于图像处理的零件尺寸测量研究

提出了一种基于图像处理的机器视觉的非接触测量方案,力求把非接触测量手段与零件尺寸测量问题更有效地结合起来。采用了超分辩率重构技术消除噪声以及由有限检测尺寸和光学元件产生的模糊,从图像中获得更多的细节和信息。利用最小二乘回归亚像素边缘检测技术进行边缘定位及角点提取。基于CCD摄像机采用线性回归法进行摄像机的标定。最后,实...     

折弯零件结构极限尺寸的确定

在电子通信设备中,许多结构零件都是采用板式结构。而折弯零件是钣金结构设计和加工制造中最常见的零件。折弯零件的结构设计是否合理;尺寸选择是否得当;结构形式与其尺寸有何关系;加工时,是否与折弯设备发生干涉,并受到那些加工条件的制约……,对这些问题,本文给予了明确的解答,仅供结构设计人员、工艺人员等同行参考。     

一种新的亚微米制造技术

已经研制成功一种制作亚微米线宽和器件的新技术。此技术不需要电子束或其它外加的刻蚀技术,而只用常规光刻法和一次边缘选择镀工序。在此工序中,把金属镀到已刻图案的金属层的边缘上。然后,此已镀边缘作为下步等离子腐蚀的掩模,以腐蚀其下层的导体或介质。此技术作出的线宽小至0.04微米,并能用来制造多种微波器件。特别是已用它来制作栅长为0.1微米的镀金铬栅 GaAsMESFET。此法所得 GaAsMESFET 的性能,比得上用比较复杂和花费大的制作栅图案技术制造出来的器件。譬如,在离子注入的 GaAs 上制作的5微米源-漏间距,0.3微米栅长和250微米栅宽的 MESFET,12千兆赫下最大可用增益超过10分贝。     

亚微米器件制造技术的发展动态

主要从光刻隔离,金属互连线三个方面讨论了亚微米器件所面临的挑战及其发展趋势。     

镀涂零件表面尺寸标注的特殊性

镀涂零件表面尺寸标注的特殊性国营第七六○厂（４５３０５９）杨超培我国国家标准ＧＢ４４５８．４—８４第１章“基本规则”中的第１．３条规定，“图样中所标注的尺寸，为该图样所示机件的最后完工尺寸，否则应另加说明”；第５章“其他标注”中第５．３条规定，“对于...     

边缘恢复的大尺寸平面零件测量方法

针对平面零件在背光源照射下成像存在伪边缘而造成测量精度下降的问题,提出了一种从被测物伪边缘中恢复准确边缘的测量方法。首先,采用Canny算子提取平面零件的像素边缘,在此基础上利用高斯曲面拟合算法实现亚像素边缘定位,得到伪边缘;然后,提出一种基于方向角差值的边缘点判别法从伪边缘中区分上下边缘点并提出欧氏距离平均值法获得被测物上边缘;最后,利用相似三角形法将上边缘转换到测量平面,结合摄像机标定参数求解平面零件的尺寸。实验结果表明,在1 200 mm800 mm的视野范围内,对不同厚度的平面零件进行尺寸测量,绝对误差小于0.08 mm,相对误差小于0.05%。     

基于单片机的零件尺寸数控测量装置

本文主要介绍一种基于单片机的零件尺寸测量装置的工作原理,在此基础上针对测量装置的机械系统和控制系统进行设计。该产品可以对小型轴类零件外径尺寸和管类零件的内外径尺寸进行测量。     

利用共焦显微技术测试亚微米尺寸

当集成电路制造工艺线宽进入亚微米领域时，精确、稳定的测试亚微米、深亚微米线宽／间距尺寸，将成为重要而迫切的研究课题。本文主要阐述以光学原理为基础的共焦显微技术，以及利用共焦技术制造的LWM200型测试仪的性能，测试0．5μm，0．3μm的黑／白条宽，及其仪器测试性能分析。     

向微米、亚微米进军——日本超大规模集成电路制造设备一瞥

<正> 从某种意义上说,集成电路制造设备就是物化了的集成电路制造技术。本文拟从设备的角度介绍日本超大规模集成电路(VLSI)制造技术的一些近况。目前,日本集成电路企业生产的64KRAM(线宽3～2微米)占世界产量的80％,不少企业又计划在一、两年内开始生产256KRAM(线宽1.5微米)、同时,正在研制中的VLSI的线宽已突破(小于)1微米而进入亚微米的阶段。因此,实现微米,亚微米级微细加工是日本集成电路制造技术面临的中心课题。电子束曝光是突破光波波长的局限,实现亚微米级图形加工的一个基本手段。但是,由于目前的电子束曝光机的加工速度慢,不适于     

半导体器件与集成电路制造中的亚微米技术

本文叙述了当前世界上亚微米、深亚微米技术的发展趋势,分析了我国亚微米技术的现状,最后介绍了机械电子工业部第十三研究所在亚微米技术方面的进展及其在半导体器件与集成电路制造中的成功应用。