CdTe—ZnTe超晶格及其改进型结构一级声子喇曼散射分析

本文通过对常规结构CdTe-ZnTe超晶格和新型结构[(CdTe)_2-(ZnTe)_1]×9-(CdTe)_(60)复合超晶格一级声子喇曼峰位置和线型实验上和理论上的综合比较分析,证明新型结构因减小了晶格失配而使超过临界厚度的ZnTe层结构完整性得到很大改善。分析中首次强调指出一级纵光学声子峰线型对该类超晶格结构分析的重要性。     

CdTe/ZnTe超晶格的多声子共振喇曼谱研究

用共振喇曼散射研究了CdTe/ZnTe应变层超晶格的多声子谱.实验结果表明,我们首次观察到了多达10级的ZnTeLO的多声子喇曼散射,和反映超晶格结构的子带跃迁介入多声子共振喇曼散射过程的实验现象.     

(CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱结构的静压光致发光和共振喇曼散射研究

(CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱是由(CdTe)_m(ZnTe)_n短周期超晶格限制在ZnTe势垒中组成的新结构。它可以提高CdTe/ZnTe异质生长的临界厚度。静压下的光致发光研究表明加压后(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格和ZnTe势垒层的光致发光峰分别以8.80和 9.47meV/kbar的速率向高能移动。利用这种静压下的带隙变化,实现了与514.5和488.0nm激发光的共振喇曼散射。观察到高达4阶的多声子共振喇曼散射。并发现与(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格共振时的类ZnTe LO声子模频率比与ZnTe热垒共振时的ZnTe LO声子频率低1.4cm~(-1)。反映了在(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格中LO声子的局域效应。     

分子束外延生长CdTe／ZnTe超晶格室温喇曼散射

首次报道了室温和非共振条件下,分子束外延(MBE)生长的CdTe/ZnTe超晶格的喇曼散射测量和分析。观察到最低级次的CdTe和ZnTe纵光学声子限制模,并用应力和限制效应精确计算了频移,得到的ZnTe纵光学声子频移理论值与实验结果符合得较好。特别指出,当CdTe和ZnTe层厚小于2nm时,声子频移的限制效应不可忽略,对所测样品的喇曼全谱作了分析。     

ZnTe-ZnSe应力超晶格的喇曼散射

喇曼散射对于研究晶体结构,特别是对超晶格中的应力场,是一种有力的方法.通过对声子带的测量,可以确定超晶格层的应力强度.日本大阪大学 Nakashima 等人测试了 ZnTe-ZnSe 超晶格结构的喇曼散射,以分析结构的质量和应力状态.作者的十六个样品中 ZnTe 和 ZnSe 分别具有不同的厚度.ZnTe 层:ds_e=5～50(?),ZnTe 层 dr_e=5～50(?)。样品用热壁外延方法(HWE)生长在(100)GaAs 衬底上。当衬底     

雷达

TN95 95061292印MHz声表面波脉压线小批最生产的工艺研究/王群力(西安电子工程所)11火控雷达技术一1995,(2).一.48~51 着重介绍某雷达接收机所用的关键器件一一高性能60MH:声表面波脉压线生产中的工艺问题以及提高器件的可靠性和成品率.(许)TN95 9506]297船摇扰动和雷达天线两轴稳定系统/曾金荣,曾劲松11雷达与对抗一1995.(2)一28~犯 文章分析了舰船摇摆对雷达天线角指向产生扰动的原因及雷达天线两轴稳定系统用速率陀螺构成稳定环路、隔离船摇干扰、提高雷达跟踪精度的方法.图5参4(许)TN95 95061293通过实践完善雷达馈线设计的体会/李…     

Ge/Si超晶格喇曼谱研究

我们用喇曼光散射的方法,观察了应变层超晶格的折迭声学声子,从而验证了材料的超晶格多层结构.将实验中观察到的频率和理论计算值进行比较表明,所研究样品的标称值和喇曼实验是基本相符合的.根据光学限制模的频率移动,估算了超晶格样品中Ge层和Si层的应变分布.     

半导体技术

TN301 95040518半导体超晶格微结构中多能谷效应(1)/阵舫时(南京电子器件所)11半导体杂志一1995,20(1)一22一33 从半导体量子阱的量子限制效应出发,研究了布里渊区中的多能谷效应。应用这一模型导出了超晶格中的谐波直接带隙,从而解释了锗硅应变超晶格发光特性,由此设计出优化的锗硅应变超晶格结构。图6表3参26(木)TN301 95040519半导体超晶格物理和器件(15)/彭英才(河北大学)11半导体杂志一1995,20(1)一礴9~55 论述了量子细线与量子点微结构中的电子输运问题。图1参8(木)一46一TN304 95040520曾崩探测器用硅材料中微缺陷的初步探讨/浦树…     

半导体技术

TN3 96020256半导体柔性制造技术/金圣东(电子部13所)11半导体技术一1995,(分一1~3 (文)半导体柔性制造工作/党冀平(电子部13所)刀半导体技术一1 995,(6)一3一9 图5表l参5(文)TN396020257TN3 96020258用于SMT的柔性制造技术及现状/苏世民(电子部 一23一13所)//,矜导体技术一]995,(6卜一25一32 图6表4(文)TN3 96020259军用McM的柔性生产技术现状/王毅(西安微电子所)lj半导体技术一1 995,(6)一33一43 图29表5(文)侧七京大学微电子所)刀半导体学报一19肠,170工一11~15 利用TEM、AES、XPS技术分析研究了不同退火气氛对sIMOX材料的影…     

半导体超晶格中光学声子的喇曼散射研究

报道了在室温和非共振条件下,(GaAs)_n(AlAs)_n超晶格结构的喇曼散射测量结果。在适当的散射配置下,观察到分别限制在GaAs和AlAs层中的LO和TO声子模。根据线性链模型,把喇曼散射测量到的光学声子限制模的频率按q=2πm/[α_0(n+1)]展开所得到的光学声子色散曲线,与体材料GaAs和AlAs的光学声子色散曲线符合良好。     

半导体技术

TN301 95060484超晶格共振R.二朋谱F.。线形的理论和实验研究/潘少华,陈正豪,金奎娟,黄绮,赵铁男,刘竞青(中国科学院物理所)11科学通报一1995,40(l2)一1090~1092 半导体超晶格具有人工‘剪裁,能带的功能,因此通过对材料和结构参数的适当设计,可使导带的子带内电子共振Raman跃迁的能量连续统与Raman声子能量相重叠,不难观察到由Fan。干涉而导致的Raman谱非对称线形.文章报道了有关理论与实验.图1参5浦)的光调制反射谱(PR)和热调制反射谱(TR)进行了实验研究.对PR结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁,并与理论计算结果作了比…     

GaAs/AlAs短周期超晶格中的纵光学声子限制模

本文报道在室温和非共振条件下,GaAs/AlAs短周期超晶格结构中的纵光学声子限制模的拉曼光谱测量结果.首次观察到限制在GaAs和AlAs层中的全部纵光学声子模.从测量的拉曼散射峰的频率得到的超晶格结构的声子色散曲线,与GaAs和AlAs 体材料的声子色散曲线进行了比较,二者符合尚好.因此,短周期超晶格结构的拉曼光谱测量有可能成为测定晶体声子色散曲线的一种新方法.     

一般性问题

TN一0 94020(X)1世界激光工业与市场近况/王克武(中国科学院上海光学精密机械所)11国外激光一1993,(10)一20~35 简要介绍1992年世界激光工业与市场情况及近期发展趋势,并按激光器件种类、应用领域、地理区域分别阐述.结论是,连续两年发展停滞的激光市场,近期前景也不容乐观.图2表3参14(南)微电子学和有关分立器件与材料的发展研究/黄义贞(电子部46所)11半导体技术一1993,(6).we礴1~46 对功能半导体材料硅、砷化稼、磷化锢材料、硅基和m一V族基的超晶格量子阱及其新型功能材料进行介绍分析,提出了发展建议和措施.(文)TN一0 94020(X)2从传…     

Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的折迭纵声学声子

用喇曼光谱研究了Ge_xSi_(1-x)/Si(x=0.5)应变层超晶格的折迭纵声学声子.在Ge_xSi_(1-x)和Si的层厚分别为50和250A的样品中,我们首次观察到了多达9级的折迭纵声学声子模.与理论计算比较,鉴认了不同波矢值的声学声子模.理论与实验结果间符合得相当的好.它表明 Rytov模型对长周期 Ge_xSi_(1-x)/Si 超晶格可以较好地得到应用.     

GaAs(100)衬底上金属有机物化学汽相淀积法生长的CdTe膜喇曼光谱研究

本文报道了GaAs(100)衬底上CdTe外延膜的喇曼光谱,并提出利用实验上测得的CdTe外延膜LO声子峰宽度和位置来确定外延膜应变的处理方法.结果表明,对于厚度达2.5 μm的 CdTe外延膜,仍有应变存在,且应变大小与样品生长条件有关.从喇曼谱的分析中还提取了样品质量的有用信息其质量分析结果得到X射线双晶衍射和扫描电子显微镜表面形貌分析结果的支持.     

GaAs/AlAs超短周期超晶格中的纵光学声子模

在室温和非共振条件下,测量了超短周期(1—3个单层)GaAs/AlAs超晶格的 Raman散射光谱.样品用分子束外延方法生长在(001)晶向的半绝缘 CaAs衬底上.实验结果表明,在这种超短周期超晶格中存在两种作用:一种是光学声子的限制效应,另一种是混晶化效应.对于单层超晶格,在各种散射配置下的 Raman光谱都与Al(0.5)Ga_(0.5)As三元混晶的Raman光谱十分相似.而对于4个单层或者更厚的超晶格样品,混晶化效应基本可以忽略,仅仅表现为界面效应,光学声子的限制效应起主导作用.     

应变对PbSe材料晶格振动的影响

在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的喇曼光谱测量到位于136～143cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83～88cm-1之间的纵光学声子与横光学声子的耦合模(LO-TO)振动,以及位于268～280cm-1之间的2LO声子振动.而且PbSe薄膜的LO声子频率随薄膜厚度的不同明显移动,随着薄膜的厚度减小声子频率线性增大,这是由外延膜与衬底之间的失配应力不同引起的.为了理解PbSe声子振动模喇曼活性的物理原因,还比较分析了PbSe体单晶的喇曼光谱,同样,PbSe体单晶样品也呈现出喇曼活性的散射峰.     

应变对PbSe材料晶格振动的影响

在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的喇曼光谱测量到:位于136～143cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83～88cm-1之间的纵光学声子与横光学声子的耦合模(LO-TO)振动,以及位于268～280cm-1之间的2LO声子振动.而且PbSe薄膜的LO声子频率随薄膜厚度的不同明显移动,随着薄膜的厚度减小声子频率线性增大,这是由外延膜与衬底之间的失配应力不同引起的.为了理解PbSe声子振动模喇曼活性的物理原因,还比较分析了PbSe体单晶的喇曼光谱,同样,PbSe体单晶样品也呈现出喇曼活性的散射峰.     

半导体技术

TN301,TN304.23 00040574(n 11)面上生长的IH一v族半导体的喇曼散射研究/张旺,李国华,朱作明,陈哗,韩和相,汪兆平,周伟,孙中哲(中国科学院半导体所)11红外与毫米波学报.一1 999,18(5)一385一391报道不同指数面(nll)上生长的Gao.SAI05As和Ino52AI。铭As系列样品的民光学声子模的室温喇曼散射测量结果在背散射条件下不同的偏振配置下,观测到这些样品中对应的LO模和TO模的相对强度随着不同的指数面呈现出规律变化,同时把这一实验结果(n 11)指数面上生长的闪锌矿结构材料的喇曼散射选择定则的理论预计相比较,实验结果与理论预期的一致.…     

GaAs/AlAs超晶格中的TO声子限制模

本文报道在室温和非共振散射条件下,GaAs/AlAs 超晶格结构中TO声子限制模的拉曼散射测量结果.超晶格样品用MBE方法生长在<001>晶向的GaAs衬底上.在背散射条件下,具有E对称性的TO 声子是拉曼禁戒的.但是利用近布儒斯特角入射和大孔径的散射光收集透镜,我们观测到分别限制在GaAs和AlAs层中的TO声子模.其中,限制在AlAs层中的TO模是首次报道.从测量的TO声子限制模频率得到的声子色散曲线与GaAs和AlAs体材料的TO声子色散曲线进行比较,二者符合良好.进一步证明,超晶格结构的拉曼散射测量是测定晶体声子色散曲线的有效的实验方法.