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本文论述了半导体致冷器件的原理、结构和特性;讨论了半导体致冷装置的设计原则和计算方法;介绍了半导体致冷器件的应用领域;提出了开发半导体致冷器件和半导体致冷装置的问题与建议。 相似文献
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简述了半导体致冷器的工作原理。给出了用于我所研制的温控光控Ⅳ型实用化封装半导体激光器中的致冷器——VBD0.76-18-1.4L微型半导体致冷器(尺寸9×7×3mm~3)几种很重要的半导体致冷关系:致冷工作电流与温差的关系I_c——△T曲线,致冷器热平衡过程T——t曲线,致冷器作热源时加热电流与热端温度关系I_n——T_h曲线。指出了环境温度对致冷效果的影响趋势。并给出了配合致冷器使用的感温元件——热敏电阻(10KⅡ级)的温度与电阻值关系T——R曲线,以及VBD0.76-18-1.4L致冷器用于我所实用化封装半导体激光器的一些实验结果。提出了半导体致冷器使用中应注意的一些问题。 相似文献
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本文深入分析了半导体致冷器(温差电致冷组件)的工作原理,并从理论上讨论半导体致冷器最大温差△T_(max)、最大致冷量Q的测试原理。描述最新研制成功的△T·Q智能测试系统。 相似文献
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本文首先介绍了半导体致冷技术的优点并简要说明了热电器件的三种工作模式,接着介绍了国内外半导体致冷器的几种系列产品并着重介绍了半导体致冷技术在高技术、低温试验仪器和设备、家用电器冰箱和空调器等方面的应用概况,最后指出,这是一种具有广泛应用前景的新技术。 相似文献
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文章介绍了光伏型碲镉汞探测器在干冰温度的特性。给出了理论估算和实际测量的结果。进行了探测器和半导体致冷器的互连试验。笔者认为以半导体致冷器致冷的碲镉汞探测器用于10.6μm CO_2激光通讯是可行的。 相似文献
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本文论述了四级微型半导体致冷器与红外探测器金属杜瓦瓶的钎焊方法。实验证明:预先在致冷器底面和杜瓦瓶底座挂上钎料,采用钎剂和保护气体加热钎焊,可降低加热温度,提高钎焊质量;采用快速冷却可大大减小由于长时间热滞所导致致冷器性能的下降,从而为半导体致冷的红外探测器提供了最佳的组装方法和实验参考。 相似文献
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《电子工业专用设备》2006,35(4):7-7
日前,西安高新区管委会与美国应用材料公司在西安喜来登大酒店举行投资签约仪式。至此,世界最大的纳米制造(半导体)设备企业——美国应用材料公司将在西安高新区设立全球开发中心,届时西安将成为应用材料公司除美国本部外的又一个全球技术中心。该项目总投资2.55亿美元,是目前陕西省最大的外商投资工业项目。 相似文献
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《电子工业专用设备》2006,35(10):77-77
一贯孱弱的中国半导体设备业忽然成了美国风投追逐的对象。获悉,国内目前唯一能为φ300mm半导体工厂生产设备的公司——中微半导体公司(下称“中微”)再获美国多家风投公司3500万美元(约合人民币2.8亿元)的联合注资。美国华登国际、光速风险投资合伙人、红点风投、中西部合伙人、湾区合伙人、全球催化剂合伙人、美国科天投资继续扮演了投资角色。国际投行巨头高盛则参与了投资。而在2年前首轮融资中,上海市政府也曾作为投资方与风投一起共同注资3000多万美元。中国半导体设备企业确实正走向半导体产业链核心环节。就在一周前,国内最大设备制… 相似文献
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菲利浦Usfa热象设备荷兰菲利浦Usfa公司在1962年开始热成象研制工作,最初侧重于空中目标的被动跟踪。其时,现有的工艺对操作系统来说已不能满足要求,目前的研制项目开始于70年代初期。从这时起,Usfa集中采用闭路循环致冷机来避免使用需要再补给的气瓶和其他致冷器时碰到的后勤问题。1977年,Usfa提出了UA7011军用小型致冷器,其工作温度为77K左右,采用菲利浦Elcoma M3和M5杜瓦瓶。这些致冷器运转5000h以上没有发生故障。目前采用的一种型式是把致冷器设置在离压缩机30cm的上方处,这样致冷器就可与世界上任何杜瓦瓶/探测器,包括和美英的通用组件/系 相似文献
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半导体致冷温度控制器 总被引:5,自引:0,他引:5
介绍了一种半导体致冷器件的致冷温度控制方法,包括温度控制原理及控制与检测电路等。该控制器采用连续式控制方式,实际控温精度可优于±0.08℃,并具有冷却温度预设置,上下限取警等功能。 相似文献
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这里介绍用于星载红外辐射计的两级固体致冷器的研制与轨道运行。主要致冷剂是甲烷(CH_4),它将聚焦光学系统和探测器维持在64K。而第二级致冷剂是氨(NH_3),它将会聚光学系统的一些部分冷却到152K,并对CH_4提供绝热保护。致冷器和一个独特的收缩装置互连,允许放入探测器组件与致冷系统,而无须和致冷器进行光学和电学互连。该系统在雨云F号飞船上于1975年6月射入轨道,为上述辐射计提供了6个月的致冷温度,温度变化约1K。 相似文献