光触发GaAs/GaAlAs异质结负阻激光器

采用GaAs/GaAlAs多层液相外延技术研制成一种光触发异质结负阻激光器。文中简述了器件的工作原理和某些特性。     

低阈值GaAs/GaAlAs PNPN负阻激光器

一种PNPN型异质结负阻激光器业已研制成功,它的具体结构是n·GaAs/N·Ga_(1-x)Al_xAs/p·GaAs/p·Ga_(1-y)Al_yAs/P·GaAs/n·GaAs/P·Ga_(1-z)Al_zAs;其中,x=0.2～0.3,y≤0.20,z=0.1。本文研究了这种激光器的工作原理和制备工艺,分析了存在异质结构时器件的电导通机理,测量了器件的某些电参数及激射特性。器件的转折电压V_s为15～20V,维持电压V_H约为1.5V,维持电流I_H约为10～100mA。激射阈电流密度最低可达2500A/cm~2。将激光器置于简单的张弛振荡线路中能够较容易地实现自振激射。     

GaAS/GaAlAs pnpn负阻激光器异质基区输运特性及载流子限制因子

本文从求解连续方程出发,分析了作者们参与研制的GaAs/GaAlAs pnpn负阻激光器中含有双异质结激光器结构的晶体管异质基区的输运特性,讨论了各自的影响.求得了激射有源区中载流子限制因子的分析表达式.     

GaAlAs/GaAs DH 激光器的L-I特性

对所研制的质子轰击条形GaAlAs/GaAs DH激光器的L-Ⅰ特性及其随温度的变化进行了测量。研究了L-Ⅰ特性随考验时间的变化。个别激光器考验已超过10~4小时,仍可保持正常激射。部分激光器的L-Ⅰ特性出现了扭折,研究了这种扭折附近的近场光强分布及发射光谱。基于实事实,提出了一种有源区Al含量横向不均匀分布的物理模型,可定性地解释扭折的产生。     

GaAlAs/GaAs DH激光器的自脉动特性

本文对 L-I特性曲线扭折的 GaAlAs/GaAs DH激光器光输出中自脉动振荡现象,进行了时间分辨光谱,瞬态近场分布的测试.根据实验结果,用有源区Al含量不均匀分布而产生不同发射波长的双光丝的模型,定性地解释了自脉动振荡的现象.     

GaAs/GaAlAs光双稳激光器稳态及动态特性的实验研究

本文报道了GaAs/GaAlAs侧向增益波导限制双稳激光器的静态及动态实验结果,对L—1特性,通态模式竞争、延迟特性、张弛振荡、有脉动、混沌现象等进行了研究,并对结果进行了讨论。实验表明,对于双区共腔双稳激光器,由于腔内可饱和吸收体的存在,使得其稳态及动态特性比普通均匀注入激光器复杂,与之有关的物理研究尚待进一步开展。     

条型GaAs—GaAlAs双异质结激光器的发射光谱特性

介绍了条型GaAs—GaAlAs双异质结激光器的发射光谱类型,即Ⅰ型、Ⅱ型、Ⅲ型和Ⅳ型光谱。探讨了它们的可能起因,得到:有源区及其周围的不均匀性将导致多模结构。根据模式形成条件和模式频率及间隔表达式,为获得单模结构,首先必须克服这种不均匀性,同时还需降低阈值电流密度,提高镜面反射率,采用短腔结构等。对不同电流下模式的漂移与竞争进行了测量,得到:当Ⅰ增加时,λ向短波方向漂移,这是由于准费米能量空间平均值增大使光子能量增大之故。对于热阻较大的器件,实验的结果与上面的结论相反,其原因是温度升高λ向长波漂移。也就是说,在这样的器件里,温度的作用占优势。文章最后给出了发射光谱与电流密度及温度的关系。     

GaAlAs/ GaAs 半导体功率放大激光器的研究

研究一种GaAlAs/ GaAs 材料的高功率半导体功率放大激光器(LD - SLA) 。器件为双 异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD) 与半导体功率放大器(SLA) 集成一体,使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜,使器件端面的反射率和透射率由不镀膜时的29 %、71 %提高到90 %以上,进一步提高激光输出。保护器件端面、提高器件使用寿命     

GaAlAs/GaAs多量子阱激光器结构设计

本文详细地讨论了多量子阱激光器材料的结构设计、量子阱结构对激射波长的影响以及波导限制层铝含量x值对光限制因子的影响.用由密度矩阵理论推导的线性光增益公式,计算了光增益.从受激阈值条件得到最佳阱数和最佳腔长.为多量子阱激光器材料结构设计提供了有效的方法.     

增益导引GaAlAs/GaAs锁相列阵激光器

本文报道采用氧化物掩蔽Zn扩散平面条形结构的增益导引GaAlAs/GaAs锁相列阵激光器的工艺和特性。获得了阈值电流小于200mA,输出功率大于240mW的实验结果。远场测试表明其具有良好的锁相特性。     

大功率GaAs/GaAlAs单量子阱激光器

采用MOCVD技术在φ40mmGaAs衬底上研制成大功率GaAs/GaAlAs单量子阱激光器。该激光器激射波长为830～870nm,室温CW阈值电流密度小于350A/cm~2,最低值为310A/cm~2,输出光功率大于200mW/(单面,未镀膜)。     

GaAlAs/GaAs DH激光器升温加速老化

对DH激光器进行升温加速老化,以了解DH激光器高温退化特性,以及这些特性与器件参数间的关系,探讨其退化机率、退化概率;并推算其室温下的平均寿命。本文只限于讨论推算寿命问题。     

GaAlAs/ GaAs 半导体功率放大激光器的研究

研究一种GaAlAs／GaAs材料的高功率半导体功率放大激光器(LD—SLA)。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD)与半导体功率放大器(SLA)集成一体，使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜，使器件端面的反射率和透射率由不镀膜时的29％、71％提高到90％以上，进一步提高激光输出。保护器件端面、提高器件使用寿命。     

5000小时室温连续激射GaAs/GaAlAs双异质结激光器

简述了所研制的质子轰击条形双异质结激光器的结构和工艺。在直流正向电流下对激光器性能进行了测试分析,大部分激光器的阈电流I为50～150毫安,微分量子效率η_d为30～70％,部分激光器得     

GaAs/GaAlAs双异质结发光管和激光器热阻的测量

一、引言GaAs/GaAlAs双异质结发光管和激光器的热阻R_T是一个重要的热学参数。它将影响发光管的输出功率,激光器的阈值电流密度,决定着器件在室温下连续工作的寿命。通常,热阻大的器件,由于结区温度高,器件很容易退化烧毁,寿命短;热阻小的器件,结区温度低,器件能够长寿命地连续工作。热阻的定义:R_T=(T_J-T_(HS)/P),T_J是结区温度,T_(Hs)是热沉温度,它等于环境温度,P是器件的注入电功率。因此,对热阻R_T的测     

非对称大光腔GaAlAs／GaAs激光器及其特性

本文分析了非对称大光腔结构在提高激光器灾变性光学损伤阈值光功率方面的优点；报道了我们研究非对称大光腔ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ激光器的初步结果：未涂覆单而输出光功率（ＣＷ）大于８５ｍＷ；阈值电流范围为６０—８０ｍＡ；微分量子效率每面２５％；器件为基横模工作．     

GaAs/GaAlAs反应离子刻蚀腔面激光器

采用反应离子刻蚀GaAs/GaAlAs双异质结构激光器的一个腔面,已经获得室温下连续激射的效果,其阈电流比解理腔面高18％左右,量子效率低14％左右.     

GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长法生长出 Ga Al As/Ga As梯度折射率分别限制单量子阱材料 ( GRIN- SCH- SQW)。利用该材料制作出的列阵半导体激光器输出功率达到 10 W(室温 ,连续 ) ,峰值波长为 80 6～ 80 9nm     

GaAlAs/GaAs DH激光器的红外透射研究

本文介绍了红外透射技术的装置和原理,报导了主要研究结果.实验表明,红外透射技术是研究GaAlAs/GaAsDH激光器的又一有效工具.我们获得的有关GaAlAs/Ga AsDH激光器的外延层、条区结构和作用区发光情况的综合照片,是用普通的光学显微镜或扫描电子显微镜所不能得到的.     

GaAs/GaAlAs DH激光器的扫描电子显微镜分析

前言用扫描电子显微镜(SEM)的二次电子(SE)、电子束感生电流(EBIC)、阴极萤光(CL)信号分别观查了GaAs/GaAlAs DH激光器管芯的形貌、外延层和结区中的微缺陷;用Ga-Kα分布曲线分析了GaAlAs限制层的Al含量;还分析了近结区光电特性。结果表明:外延层的Al组分均匀,有源区结线平直;发现键合工艺存在三个问题,一是大部分管芯在键合时焊料In从热沉漫延到镜面上,复盖了有源区;二是上引线的欧姆接触处的周围存在接触势垒;其次发现引线工艺造成了管芯的损伤。此外,管芯中有形变孪