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半导体量子阱中强耦合磁极化子的性质 总被引:3,自引:3,他引:0
首次采用线性组合算符结合改进的LLP幺正变换的方法,研究了电子与体纵光学声子强耦合情况下半导体量子阱中磁极化子的性质。导出了无限深量子阱中强耦合磁极化子的振动频率、基态能量和自陷能与阱宽和回旋共振频率的变化关系。对RbCl量子阱进行数值计算,结果表明:强耦合磁极化子的振动频率、基态能量和自陷能随回旋共振频率的增大而增大。振动频率和自陷能随阱宽的增加而增大;基态能量随阱宽的增加而减小,且在阱宽较窄时,表现出奇特的量子尺寸效应。 相似文献
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磁场中极性晶体膜内电子—表面声子强耦合对磁极化子自陷能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用线性组合算符法和变分法,研究了磁场中极性晶体膜内电子与表面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合系统的基态能量,得到了磁极化子自陷能随膜厚和磁场强度变化的规律,计算了不同支声子与电子相互作用对磁极化子自陷能的贡献以及随磁场的变化。 相似文献
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晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内表面磁极化子自陷能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用Huybrechts的线性组合算符法和变分法 ,研究了晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内电子与表面光学 (SO)声子强耦合、与体纵光学 (LO)声子弱耦合体系的影响 ,得到了作为距离晶体表面的深度、磁场和温度函数的表面磁极化子的自陷能 .对AgCl晶体进行了数值计算 ,结果表明 ,不同支声子与电子相互作用对表面磁极化子自陷能的贡献以及它们随距离晶体表面的深度、磁场和温度变化的情况大不相同 . 相似文献
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量子阱中强耦合极化子自陷能的温度依赖性 总被引:1,自引:0,他引:1
额尔敦朝鲁 《红外与毫米波学报》2005,24(2):89-92
采用Huybrechts的线性组合算符法和改进的LLP变分法,研究了晶格热振动对无限势垒量子阱中电子与界面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合极化子性质的影响.推导出作为阱宽和温度函数的极化子自陷能的表达式.对KI/AgCl/KI量子阱进行了数值计算,结果表明,极化子的自陷能随阱宽增加而减小、随温度升高而减小,但不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献以及它们随阱宽和温度的变化情况大不相同. 相似文献
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采用线性组合算符和幺正变换方法研究了磁场和库仑场对半导体量子点中强耦合极化子性质的影响.导出了强耦合束缚磁极化子的振动频率和基态能量与量子点的有效受限长度、库仑束缚势、磁场的回旋共振频率和电子-声子耦合强度的变化关系.数值计算结果表明:强耦合束缚磁极化子的振动频率和基态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随磁场的回旋共振频率的增加而增大.基态能量随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增加而减少. 相似文献
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自旋对强耦合表面磁极化子自陷能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
应用么正变换和线性组合算符法研究了半无限极性晶体中强耦合表面磁极化子的振动频率λ0和自陷能Etr的性质。讨论了电子自旋和磁场对它们的影响。对RbCI晶体给出的数值计算结果表明:λ0随磁场B的增加而增加;当ms=-1/2时,Etr随B的增加而增加;当ms=1/2时,Etr随B的增加而减少;电子自旋能与自陷能之比P随B的增加而增加。 相似文献
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非对称量子点中强耦合磁极化子的性质 总被引:1,自引:0,他引:1
采用线性组合算符和幺正变换方法研究了非对称量子点中强耦合磁极化子的性质。导出了非对称量子点中强耦合磁极化子的振动频率和基态结合能随量子点的横向和纵向有效受限长度、磁场的回旋频率和电子-声子耦合强度的变化关系。数值计算结果表明:非对称量子点中强耦合磁极化子的振动频率和基态结合能随量子点的横向和纵向有效受限长度的减小而迅速增大,表现出奇特的量子尺寸效应。振动频率和基态结合能随回旋频率的增加而增大,随电子-声子耦合强度的增加而增大。 相似文献
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CdF_2半导体中表面磁极化子的性质 总被引:5,自引:0,他引:5
本文讨论电子和表面光学声子耦合强、与体纵光学声子耦合弱时对CdF2半导体表面磁极化子性质的影响.采用线性组合算符法和微扰法导出了CdF2半导体中表面磁极化子的有效哈密顿量.在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论了对CdF2半导体中表面磁极化子性质的的影响.对CdF2半导体进行数值计算,结果表明,CdF2半导体中表面磁极化子的振动频率λ和诱生势Vis随坐标z的增加而减小,随磁场B的增加而增加;诱生势Vib随坐标z的增加而增加,但与外磁场B无关;有效势Vef随坐标z和磁场B的增加 相似文献
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Taking into account the interaction of an electron with both bulk longitudinal-optical and surface longitudinal-optical phonons, we study the temperature dependence of the properties of a magnetopolaron in a quantum well in arbitrary magnetic field strength at a finite temperature. It is indicated that the temperature dependence of the self-trapping energies of the magnetopolaron is tremendously related to the strength of the magnetic field. The results also show that the electron-surface LO phonon interaction as well as the electron-bulk LO phonon interaction play important roles, especially when the quantum well width is getting thinner. 相似文献
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利用线性组合算符和幺正变换相结合的方法,研究了声子色散对极性晶体中磁极化子性质的影响.计及纵光学(LO)声子色散,在抛物近似下导出了极性晶体中磁极化子基态能量、自陷能和基态Landau能随声子色散系数、回旋共振频率和电子-纵光学声子耦合强度的变化关系.数值计算结果表明基态能量随声子色散系数、电子-纵光学声子耦合强度的增大而减小.自陷能随声子色散系数和电子-纵光学声子耦合强度的增大而增大.基态Landau能随电子-纵光学声子耦合强度的增大先增大到最大值后又减小,随声子色散系数的增大而增大. 相似文献
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磁场和库仑场对量子点中强耦合束缚极化子性质的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
采用线性组合算符和幺正变换方法研究了磁场和库仑场对半导体量子点中强耦合极化子性质的影响.导出了强耦合束缚磁极化子的振动频率和基态能量与量子点的有效受限长度、库仑束缚势、磁场的回旋共振频率和电子-声子耦合强度的变化关系.数值计算结果表明:强耦合束缚磁极化子的振动频率和基态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随磁场的回旋共振频率的增加而增大.基态能量随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增加而减少. 相似文献
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声子之间相互作用对半导体量子点中磁极化子性质的影响 总被引:3,自引:3,他引:0
研究了半导体量子点中磁极化子的性质.采用线性组合算符和微扰法,导出了半导体量子点中磁极化子的基态能量.在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用时,讨论了对半导体量子点中磁极化子的基态能量的影响.通过数值计算表明,半导体量子点中磁极化子的基态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随磁场的增加而增加,对于弱磁场声子之间相互作用的影响不能忽略. 相似文献
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稳恒磁场中极性晶体膜内电子—表面声子强耦合磁极化子的有效质量 总被引:2,自引:0,他引:2
采用Tokuda改进的线性组合算符、Lagrange乘子和变分法,讨论了磁场中极性晶体膜内电子-表面光学(SO)声子强耦合和电子-体纵光学(LO)声子弱耦合磁极化子的有效质量,得出了磁极化子的有效质量随膜厚的增加而先减小后增加,最后趋于一个稳定值,随磁场的增加而增加。 相似文献
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在考虑声子之间相互作用和电子自旋的情况下,应用么正变换和线性组合算符法研究了电子自旋对SiC半导体弱耦合二维自旋磁极化子能量磁场效应的影响。数值计算给出了下列结果:电子自旋使自陷能分裂为二,且随磁场B增加其分裂间距增大;电子自旋能量与电子在磁场中的Landau基态能之比恒为0.23;电子自旋能量与自能之比小于电子自旋能量与自陷能之比,但非常接近,它们随B增强而近似线性增大,当B为0和10T时,它们分别为0和0.008;电子自旋能量与声子之间相互作用能量之比也随B增加而线性增大,当B为0和7.949T时,其比值分别为0和1。该结果有助于设计和研制自旋场效应晶体管,自旋发光二极管和自旋共振隧道器件等。 相似文献