Ce:Fe:LiNbO3晶体光栅热固定的研究

在LiNbO3晶体中掺进CeO2和Fe2O3,以Czchralski法生长CeFeLiNbO3晶体,对晶体进行氧化还原处理.测试CeFeLiNbO3晶体的吸收光谱,发现CeFeLiNbO3晶体的吸收边相对LiNbO3晶体发生红移.氧化态的CeFeLiNbO3晶体的吸收边相对还原态的CeFeLiNbO3晶体发生紫移.采用热固定法测试CeFeLiNbO3晶体(氧化,生长,还原)的显影效率.CeFeLiNbO3晶体(还原)的显影效率低于CeFeLiNbO3晶体(氧化)的显影效率.测算并推导出热固定光栅在常温下的寿命.     

Pr:Fe:LiNbO3晶体光折变性能的研究

在Fe∶LiNbO3中掺进Pr6011生长Pr∶Fe∶LiNbO3晶体。对晶体进行氧化－还原处理。测试晶体的指数增益系数、衍射效率、响应时间、光电导和信噪比。测试结果Pr∶Fe∶LiNbO3晶体的响应时间缩短,信噪比提高,克服了Fe∶LiNbO3响应时间长,光电导和信噪低的缺点。以Pr∶Fe∶LiNbO3晶体作为存储元件实现了全息关联存储。     

In:Mn:Fe:LiNbO3晶体光存储性能研究

在Mn:Fe:LiNbO3晶体中加入抗光折变元素铟,使用Czochralski法生长In:Mn:Fe:LiNbO3晶体,并对晶体进行氧化还原处理,测试了晶体紫外-可见吸收光谱.结果表明:铟的掺入使晶体吸收边发生移动,生长态晶体吸收边稍向紫移,氧化处理晶体吸收边紫移程度较大,还原处理晶体吸收边红移.通过二波耦合实验,使用输出功率30 mW的He-Ne激光器进行单光写入与擦除实验,测试了晶体记录过程中的响应时间与擦除时间.研究结果表明:In3 的掺入可通过提高擦除时间与响应时间之比,较大地提高晶体的动态范围;用生长态摩尔分数1%的In:Mn:Fe:LiNbO3晶体进行擦除时,衍射效率达到30%,衍射效率不随时间变化.     

Ce:Eu:LiNbO3晶体制备及光折变性能

为了昨到光折变性能优良的晶体材料，在LiNbO3中掺进CeO2和Eu2O3，生长Ce:LiNbO3和Ce:Eu:LiNbO3单晶体，对晶体进行极化和氧化还原处理，并利用XRD、UV-VIS及二波耦合光路测试了晶体的晶格常数、吸收光谱、指数增益系数和响应时间。结果表明，Ce:Eu:LiNbO3晶体的晶格常数比Ce:LiNbO3晶体小，其吸收边比CeLiNbO3晶体红移更多，指数增益系数比Ce:LiNbO3晶体大，而响应时间比Ce:LiNbO3晶体的要短，Ce:Eu:LiNbO3是优良的光折变晶体材料。     

Zn∶Fe∶LiNbO3晶体光折变性能研究

生长了Zn:Fe:LiNbO3晶体,测试了晶体的光折变性能,并且对晶体进行了正反向极化工艺处理技术,有效地提高了Zn:Fe:LiNbO3晶体的光折变性能,使得Zn:Fe:LiNbO3晶体的响应速度大大加快,散射噪声变小,存储图像清晰.     

Ti:Fe:LiNbO_3晶体的生长及其光折变性能的研究

采用熔体提拉法生长了不同掺杂浓度的Ti：Fe：LiNbO3晶体．研究了掺杂杂质离子浓度变化对晶体光折变性能的影响，测定了晶体经热化学还原处理前后的透射谱．用ESR方法证实，未经还原处理时，Ti：Fe：LiNbO3晶体中Ti离子以Ti4 形式存在．与Fe：LiNbO3和Ti：LiNbOa相比，Ti、Fe复合掺杂，通过电荷补偿效应，使未经还原处理的晶体中Fe2 增加，从而使光吸收增强；可以通过改变Ti、Fe掺杂浓度的方法来控制晶体中Fe2 离子的浓度，达到控制并改善晶体光折变性能的目的．本文还对Ti：Fe：LiNbO3晶体的全息性能进行了研究，测得Ti：Fe：LiNbO3晶体响应时间缩短，衍射效率高达90％以上．Ti：Fe：LiNbO3晶体是一种优质的光折变材料．     

掺铟LiNbO3晶体抗光折变效应增强机理的研究

在LiNbO3中掺进不同浓度的抗光折光折变杂质离子In^3 ,生长In(2mol％）：LiNbO3和In(3mol％）：LiNbO3晶体。研究In:LiNbO3晶体的结构和In^3 离子在LiNbO3晶体中的占位,利用光斑变形法和全息法测试了In:LiNbO3晶体的抗光折变性能,分析了In^3 使LiNbO3晶体抗光折变效应增强的机理。     

Fe：Mn：LiNbO3晶体的生长及光学性能研究

采用坩埚下降法生长了掺杂Fe^3＋和Mn^2＋的LiNbO3单晶。晶体经极化处理后,用X-射线衍射仪测试了晶体的晶格常数,讨论了掺杂离子对晶格常数的影响。利用二渡耦合实验测试了晶体的指数增益系数、衍射效率和响应时间,结果表明：Fe：Mn：LiNbO3晶体的最大指数增益系数达到40cm^-1,Fe：Mn：LiNbO3的最大衍射效率分别为76％,二波耦合响应时间为2．5min。Fe：Mn：LiNbO3是一种性能优良的光折变晶体。     

Zn：Fe：LiNb03晶体光折变性能研究

生长了Zn：Fe：LiNbO3晶体，测试了晶体的光折变性能，并且对晶体进行了正反向极化工艺处理技术，有效地提高了Zn：Fe：LiNb03晶体的光折变性能，使得Zn：Fe：LiNb03晶体的响应速度大大加快，散射噪声变小，存储图像清晰。     

交变极化改善重掺Zn：Cu：Fe：LiNbO3晶体光折变性能及体全息存储特性研究

生长了Zn：Cu：Fe：LiNbO3晶体，对晶体进行了多次交变极化，有效的提高了Zn：Cu：Fe：LiNbO3晶体的光折变性能，使得Zn：Cu：Fe：LiNbO3晶体的响应速度大大加快，散射噪声减小，体全息存储图像质量得到较大改善。     

Optimal recording wavelength for maximum diffraction efficiency of thermal fixing in LiNbO3:Fe

Optimal recording wavelength for maximum diffraction efficiency of thermal fixing in LiNbO(3):Fe crystal is investigated. Holographic gratings are recorded using three typical recording wavelengths including 488, 514, and 633 nm. Optimal switching from recording to thermal fixing is taken into consideration. The fixed holograms are developed by an original recording setup. Diffraction efficiencies of recording and thermal fixing are measured by a two-wave coupling technique. The theoretical and experimental results are analyzed and compared. With a blue beam, the nonvolatile hologram with maximum fixing efficiency is achieved. This work can obtain high persistent diffraction of the nonvolatile holographic storage in LiNbO(3):Fe crystals.     

Threshold effects for resistance to optical damage and nonvolatile holographic storage properties in In:Mn:Fe:LiNbO3 crystals

The threshold concentration for In2O3 was found in In:Mn:Fe:LiNbO3 crystals by measurement of the infrared spectra of the crystals. The resistance of the In:Mn:Fe:LiNbO3 crystals to optical damage is characterized by changes in photoinduced birefringence as well as by distortion of the transmitted beam pattern. The resistance increases remarkably when the concentration of In2O3 exceeds its threshold. The resistance to optical damage of a In(3.0 mol. %):Mn:Fe:LiNbO3 crystal is 2 orders of magnitude higher that of a Mn:Fe:LiNbO3 crystal. The dependence of defects on the resistance to optical damage of the In:Mn:Fe:LiNbO3 crystals is discussed in detail. Nonvolatile holographic storage was achieved for all crystals, and the sensitivity of the In(3.0 mol. %):Mn:Fe:LiNbO3 crystal is much higher than that of the others.     

Fe2O3的掺杂对TSSG法生长Zn:Fe:LiNbO3 晶体的结构和光折变性能的影响

本文利用TSSG方法生长了不同掺Fe2O3浓度的Zn∶Fe∶LiNbO3晶体,并对晶体进行了红外光谱、紫外光谱、晶格常数和居里温度的测试和分析.利用二波耦合实验测得的写入和擦除曲线,计算了晶体的写入时间常数、擦除时间常数和最大衍射效率.并讨论了Fe2O3的掺杂对材料结构和光折变性能的影响机制.     

双掺杂LiNbO3晶体的生长及其实时图象微分的研究

采用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｎＮｂＯ３晶体和Ｃｅ：Ｎｄ：ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体的抗光致散射能力、衍射效率和响应时间。以双掺杂ＬｉＮｂＯ３晶体作为全息记录材料,Ｃｅ：Ｃｕ：ＫＮＳＢＮ晶体构成自泵浦位相共轭镜,进行了实时图象边缘增强的研究,并探讨了不同的记录晶体对实验结果的影响。     

Ce：Cu：SBN晶体的生长及其光折变效应的研究

简述了Ｃｅ：Ｃｕ：ＳＢＮ晶体的生长,测试了晶体的衍射效率、简并四波混频位相共轭反射率和响应时间,以Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作为存储介质,以Ｃｅ：Ｃｕ：ＳＢＮ晶体作为自泵浦位相共轭镜,实现了实时关联存储。     

Thermal fixing of 10,000 Holograms in LiNbO3:Fe

We discuss thermal fixing as a solution to the volatility problem in holographic storage systems that use photorefractive materials such as LiNbO(3):Fe. We present a systematic study to characterize the effect of thermal fixing on the error performance of a large-scale holographic memory. We introduce a novel, to our knowledge, incremental fixing schedule to improve the overall system fixing efficiency. We thermally fixed 10,000 holograms in a 90 degrees -geometry setup by using this new schedule. All the fixed holograms were retrieved with no errors.