单晶圆湿式处理市场取得长足进步

随着半导体向65nm和45nm工艺发展，前段（FEOL）和后段（BEOL）晶片清洗技术都面临着新挑战。SEZ亚太区技术行销副总裁陈溪新认为，半导体结构和材料变得越来越脆弱，而清洗效果和材料损失的要求却变得越来越严格。特别对于关键层而言，更需要革新技术加以应对，而这正是SEZ的优势所在。     

微电子制造科学与技术计划中的硅片清洗

在由得州仪器公司、美国国防部远景规划局和美国空军联合资助的微电子制造科学与技术（ＭＭＳＴ）计划中，硅片清洗的目标是开发旨在完全取代湿法清洗工艺的单片、全干法或汽相清洗工艺。氢氟酸（ＨＦ）汽相清洗和等离子体处理在去除氧化物、氮化物和金属刻蚀后的残余物方面取得了成功。但是，有效的干法工艺并不能取代炉前清洗所用的工业标准（ＲＣＡ）清洗和水冲洗。全干法工艺可能都还要花５到１０年才能成熟。以后几年，将开始采     

LED用蓝宝石晶片湿法腐蚀清洗技术的研究

介绍了蓝宝石晶片的清洗原理：通过分析蓝宝石的表面净化原理和对湿法腐蚀清洗工艺试验的研究,提出了一种适用于工业化生产蓝宝石晶片的清洗剂和净化工艺,满足了LED领域的蓝宝石晶片表面洁净度要求。     

员工培训实用基础教程（四）

4．2孔导通化工艺（改进式工艺方法） 化学镀铜工艺在电子工业中应用十分广泛。在印制电路板制造过程中，用化学镀铜工艺实现孔的导通化，再进行通孔电镀铜加厚，使双面或多层板的线路实现互连。在大规模集成电路（VLSI）和超大规模集成电路（ULSI）生产过程中，需要在半导体晶片上形成多层的极薄金属层，然后再蚀刻成尺寸极小的金属线，这也需要进行化学镀铜工艺。所以化学镀铜的用途是很广也很重要的。     

电子清洗工艺的部分选择因素

从清洗工艺和免清洗工艺的技术特点及经济成本的角度出发，为正在选择洗净工艺的用户提出了一些需要考虑的因素。     

半导体单晶抛光片清洗工艺分析

通过对Si,CaAs,Ge等半导体材料单晶抛光片清洗工艺技术的研究,分析得出了半导体材料单晶抛光片的清洗关键技术条件.首先用氧化性溶液将晶片表面氧化,然后用一定的方法将晶片表面的氧化物去除,从而实现对晶片进行清洗的目的.采用这种先氧化再剥离的方法,可有效去除附着在晶片表面的杂质及各种沾污物.对于不同的材料,氧化过程以及剥离过程可以在不同的溶液中相互独立地进行;也可以组合在一起,使用一种混合液同时实现氧化及剥离.采用氧化、剥离的清洗原理,可提高半导体材料抛光片的清洗工艺技术水平,同时也对新材料抛光片的清洗工艺起到一定的指导作用.     

深沟槽工艺产品晶片周边硅针缺陷的解决方法

在功率金属氧化物半导体器件生产中,有些为了达到特殊的器件性能,采用深沟槽工艺,其沟槽深度可达几十微米,该类产品在关键的深沟槽刻蚀中,晶片边缘经常会有硅针缺陷产生,该缺陷在后续湿法清洗过程中,会成为颗粒的主要来源,影响晶片良率和污染湿法清洗机台。文章阐述了两种通过优化沟槽光刻工艺来解决此种缺陷的方法,一种为沟槽层光刻采用倒梯形工艺,另一种为沟槽层光刻采用负光阻工艺,两种方法旨在将晶片周边保护起来,在深沟槽刻蚀中下层材质不被损伤,解决深沟槽工艺产品周边硅针缺陷问题。     

非离子型表面活性剂结合金刚石膜电化学氧化的新型抛光后晶片清洗工艺

本文针对抛光后晶片的颗粒和有机污染物提出了一种新型清洗方法,它结合了非离子表面活性剂和掺硼金刚石膜（BDD）阳极电化学氧化的优势。非离子表面活性剂可以在抛光后晶片上形成一层保护膜,使晶片表面颗粒易于去除。颗粒去除对比实验结果通过金相显微镜观察得知,体积比为1%的非离子表面活性剂的颗粒去除效果最佳。然而表面活性剂保护膜本身属于有机物,它最终也需要被去除。金刚石膜阳极电化学氧化（BDD-EO）可以用来去除有机物,因为它可以有效降解有机物。三个有机污染物去除对比实验分别为：一是先用非离子表面活性剂再用BDD-EO,二是单纯用BDD-EO去除有机物,第三种是用传统RCA清洗技术。通过XPS检测结果表明,用BDD-EO清洗的晶片表面的有机残留明显少于传统RCA技术,并且晶片表面的非离子表面活性剂也可以有效去除。     

45nm节点清洗／光刻胶去除的挑战

在今年四月份于德州奥斯汀举行的表面预处理与清洗会议（SurfacePreparationandClean—ingConference．SPCC）上，来自IMEC超级清洗工艺项目的项目经理PaulMetens列举了45和32nm节点所面临的清洗挑战。他认为最大的清洗挑战包括：在微粒去除和损伤之间取得平衡；尽可能地减小在前段工艺（FEOL）应用中光刻胶去除和清洗所造成的硅损失：金属栅叠层的电化腐蚀问题；     

化合物半导体

Z99-51304-24 9914827MOCVD 法生长 AtGaAs 的组分控制研究[会]/公延宁//第六届全国固体薄膜学术会议论文集.—24～26(D)Z99-51304-155 9914828砷化镓抛光晶片表面吸附问题的分析[会]/郑红军//第六届全国固体薄膜学术会议论文集.—165～168(D)采用 ASS(俄歇电子能谱)测试方法,分析了经过不同方法后步清洗工艺处理的 GaAs 抛光晶片表面态,结果表明,抛光晶片表面吸附物主要是与晶片表面悬挂键相结合的残留反应生成物、残余抛光液-氧,而化学吸附-氧是影响 GaAs 抛光晶片清洗、封装工艺技术发展的关键问题之一。     

超声技术在半导体行业中应用探讨

晶片的洁净程度直接决定了晶片的价值,而晶片最前端工艺就是清洗。现代化超声技术的应用可让晶片更洁净。超声波清洗的功率、频率、尺寸、安装方式的选择都与晶片清洁程度有着密切关系。主要对超声波的原理和频率的选定进行了介绍。     

RF系统

SSEC3308是一种单晶圆湿法处理设备，小型机的产能为每小时180片晶圆。它有八个工艺模块，可以任意配置成各种特定的应用，比如两面清洗，湿刻，以及去胶工艺。晶圆可以通过晶圆盒（cassette），或者以300毫米FOUP、200毫米SMIF pods的形式进行处理。所有的工艺参数都是PC控制的。     

超大规模集成电路的重要支撑材料——超净高纯试剂

1国内外超净高纯试剂技术发展现状 超净高纯试剂（Ultra—clean and High—purity Reagents）在国际上通称为工艺化学品（Process Chemicals），美、欧和中国台湾地区又称湿化学品（Wet Chemicals），是超大规模集成电路（IC）制作过程中的关键性基础化工材料之一，主要用于芯片的清洗、蚀刻，另外超净高纯试剂还用于芯片掺杂和沉淀工艺。超净高纯试剂的纯度和洁净度对集成电路的成品率、电性能及可靠性均有十分重要的影响。     

名词术语释义——大马士革镶嵌工艺

采用Cu—CMP的大马士革镶嵌工艺是目前唯一成熟和已经成功用于IC制造中的铜图形化工艺。据预测，到了0．1μm工艺阶段，将有90％的半导体生产线采用铜布线工艺。在多层布线立体结构中，要求保证每层全局平坦化，Cu—CMP能够兼顾硅晶片全局和局部平坦化。     

SEZ公司新推出单晶圆湿法处理技术3（采访2）

semiconC hina期间，单晶圆湿式处理解决方案的领导厂商SEZ也向半导体行业带来了新的产品，SEZ亚太区技术与行销副总裁陈溪新先生介绍，SEZ公司新推出的平台——Esanti TM是一套灵活的、具备多反应仓的单晶圆处理平台，专为满足未来技术节点前段工艺过程（FEOL）清洗需求而设计的，能够完成45nm及其更低尺寸器件制造过程中FEOL（前段工艺过程）严苛的清洗和光刻胶剥离。[第一段]     

器件工艺对碲镉汞位错的影响

用化学腐蚀法观察到，器件工艺过程中的机械应力和效应力使碲镉汞（ＨｇＣｄＴｅ）晶片的位错大幅度增殖，汞气氛下低温热处理（２２０℃）使（ＨｇＣｄＴｅ）体材料的位错密度增殖３～４倍，并分别对实验室结果进行了分析讨论．     

晶片CMP后表面纳米颗粒的去除研究

对晶片化学机械抛光(CMP)后表面吸附的纳米颗粒去除进行了研究,分析了晶片表面吸附物的种类及吸附机理。由于晶片表面吸附的有机物多为大分子物质,它在晶片表面的吸附除了容易处理的物理吸附外,还会和晶片表面构成化学键,形成难以处理的化学吸附。对清洗过程中颗粒的去除有严重的影响,提出利用电化学清洗,结合表面活性剂和兆声波清洗的方法去除晶片表面的纳米颗粒。经金相显微镜观察和原子力显微镜检测,晶片表面纳米颗粒能得到很好地去除,效果明显优于单纯的兆声波清洗方法。     

InSb晶片清洗研究

随着红外探测器件制备工艺的不断发展,人们对InSb晶片表面质量的要求也越来越高,但是晶片在生产过程中不可避免地会引进各种杂质。研究了一种利用兆声超声并结合药液去离子水清洗InSb晶片的方法,并对清洗后的InSb晶片进行了表面颗粒度、表面有机物和表面粗糙度等方面的测量。实验结果表明,该方法能够有效去除InSb晶片表面的颗粒、有机物和金属离子杂质,但是也会略微增大晶片表面的粗糙度。     

ZESTRON位于上海的新技术

中心为了加强对亚太地区的本地化支持，ZESTRON拓展了其在中国上海的技术中心。在新的技术中心内，用户仅需一天即可了解全球主流生产商的不同清洗设备的概况，例如喷淋（批量和在线）、超声、喷流等。此外，用户可以选用他们最青睐的设备免费测试清洗他们的基板（PCB、网板、托盘等）以寻找最合适的清洗工艺。在清洗实验中，     

激光加工在太阳能电池制造中的应用与机遇

光发电（Photovoltaics，简PV）作为全世界能源结构的一个领域，在过去5年得到了前所未有的认可与发展。未来5—10年。硅晶片与各种各样薄膜PV技术的改革创新预计能降低PV能源的成本并与电网持平。如果出现这种情况，市场需求将会更大幅度地拉动光发电行业的发展。太阳能电池流水线式制造工艺需要自动化生产设备的支持，才能满足光发电行业高速发展所带来的挑战。激光处理在这种大批量生产方式中可提供一些方面的支持。本文描述了PV技术的概况，讨论了当前和新兴的激光加工在PV制造中的应用，并指出实用化给激光技术和系统带来的一些必须应对的挑战。