α－Fe_2O_3粉体材料的制备与气敏性能研究

采用相转移法研制单分散ａ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３超细粉，研究了制备工艺对Ｆｅ＿２Ｏ＿３萃取率的影响，并对起细粉进行了Ｘ射线衍射、透射电镜和红外光谱表征。结果表明：无机溶胶的ｐＨ值、表面活性剂的用量、草取剂等对超细粉的产率有影响，超细粉的颗粒尺寸约４０ｎｍ，为稳定的非晶态单分散Ｆｅ＿２Ｏ＿３．就所制备的超细ａ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３粉末的气体灵敏度而言，相转移法优于化学沉淀法。     

纺锤形纳米γ—Fe2O３的气敏性能

用Ｎa2CO3代替ＮaOH作沉剂,制备了纺锤形纳米γ－Fe2O３,采用ＸＲＤ和ＴＥＭ对材料进行了表征,经测试,发现材料在３００℃工作温度下对ＬＰＧ有选择性检测能力（对Ｈ２的选择系数为４）,并具有相当的气敏稳定性,此外,还发现γ－Fe2O３的气敏机理不仅是体控性机制,在一定温度下,表面吸附氧也起到一定作用。     

NiO—Fe2O3气敏材料制备过程的跟踪研究

用化学共沉淀法在不同条件下制备Ｆｅ２Ｏ３掺杂不同浓度ＮｉＯ的气敏材料，再利用分光光度法对其上层清液及沉淀中的Ｆｅ＾３＋，Ｎｉ＾２＋进行跟踪检测。结果表明，通过调整掺杂量选择适当的沉淀剂及最适宜的酸度，可得到较理想的气敏材料。     

MO2—α—Fe2O3材料的气敏特性

采用化学共沉淀的方法合成了Sn~(4 ),Ti~(4 ),Zr~(4 )掺杂的。α-Fe_2O_3气敏陶瓷材料。用X射线衍射仪和透射电子显微镜分析了材料的微观结构及化学组成。用RQ-1型气敏元件特性测试仪测试了掺杂元素、掺杂量、工作温度,检测气体等对α-Fe_2O_3气体灵敏度和工作阻值的关系。结果表明:少量MO_2(M=Sn,Ti,Zr)的掺杂能显著提高α-Fe_2O_3的气体灵敏度,并且能够降低。α-Fe_2O_3气敏元件的工作电阻,有利于α-Fe_2O_3气敏材料的实用化。     

纺锤形纳米γ-Fe2O3的气敏性能

用Na2CO3代替NaOH作沉淀剂,制备了纺锤形纳米γ-Fe2O3,采用XRD和TEM对材料进行了表征.经测试,发现材料在300℃工作温度下对LPG有选择性检测能力(对H2的选择系数为4),并具有相当的气敏稳定性.此外,还发现γ-Fe2O3的气敏机理不仅是体控性机制,在一定温度下,表面吸附氧也起到一定作用.     

超微粒a－Fe_2O_3气敏机理初探

超微粒ａ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３气敏机理初探徐甲强，沈瑜生（化学工程系）（中国科技大学）关键词气敏机理；超微粒氧化铁；表面吸附；气敏效应；电子能谱中图分类号ＴＱ１７４．０５Ｏ６４９．４氧化物气敏材料的敏感机理主要有两种类型：一种是表面控制型（借助气体的表面吸...     

In2O3热线型乙醇气敏元件研究

在纯度为９９．９９８％的超微细粉体Ｉn2O3中，掺杂入适当配比的ＰtO2,MgO,CaO等金属氧化物构成气敏材料，用Ｐt丝作热敏材料，采用热线型元件制作工艺，７０００１７０烧结１h，可制作出乙醇气敏元件，测试表明：该元件灵敏度高，响应恢复快，功耗低（≤２００ｍＷ），对汽油、烟雾等其他干扰气体有良好的选择性。     

ZnO气敏陶瓷的制备与气敏性能研究

ＺｎＯ气敏陶瓷的制备与气敏性能研究徐甲强，朱文会，陈源（化学工程系）关键词氧化锌；陶瓷微结构；气敏材料中图分类号ＴＮ３０４．９９ＴＱ１７４．０５ＺｎＯ是一种ｎ型半导体材料，具有多种功能。例如：半导体性，压电性，萤光性和光电效应等。在压敏、光催化、光电...     

过渡金属氧化物掺杂r-Fe_2O_3气敏材料研究

采用化学方法合成了气体灵敏度和选择性良好的r-Fe_2O_3 微细粉末,并且利用化学共沉淀的方法合成了具有不同气敏性能的过渡金属氧化物(MnO,NiO,ZnO)掺杂的r-Fe_2O_3气敏材料,这些材料的颗粒≤0.1um.过渡金属氧化物掺杂可以改变r-Fe_2O_3气敏材料的陶瓷微结构,但不宜用来改善r-Fe_2O_3的相稳定性.通过掺杂可以改变r-Fe_2O_3气敏材料的选择性和灵敏度.r-Fe_2O_3是以体控制型为主的气敏机制.过渡金属氧化物掺杂的r-Fe_2O_3对C_2H_5OH,C_2H_2和LPG具有良好的选择性和较高的灵敏度.     

稀土掺杂α-Fe_2O_3气敏材料研究

采用化学共沉淀法合成了微细化、低结晶度、高气孔率的RE-α-Fe_2O_3多晶体气敏材料。稀土掺杂改善了α-Fe_2O_3气敏材料的显微结构,使α-Fe_2O_3气敏材料的灵敏度增加,而且提高了对C_2H_2气体的选择性。这表明,α-Fe_2O_2的气敏机理与体效应,表面效应和稀土催化有关。     

热分解法制备纳米NdFeO3气敏材料的研究

以分析纯的K3[Fe（CN）6]和NdCl3为原料，利用室温固相反应法制备纳米NdFeO3的前驱体Nd[Fe（CN）6]，通过热分解前驱体得到气敏材料NdFeO3，用TG-DSC，XRD，TEM对产物进行了表征，并对其气敏性能进行了初步研究．结果表明：热分解法与溶胶-凝胶法相比可降低复合氧化物的生成温度及煅烧时间，形成的钙钛矿型NdFeO3粉体呈现圆柱状晶形，直径约为30nm，长度为40nm～50nm．用热分解法制得的NdFeO3气敏元件呈现P型半导体特性，对H2S气体具有一定的灵敏度．     

超微粒SnO2的制备与气敏特性研究

本文采用化学沉淀法合成了平均晶粒尺寸在22nm左右的超微粒SnO_2及第一过渡系金属(Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn)氧化物掺杂的SnO_2气敏材料。利用综合热分析仪及X射线衍射仪对材料的热性质和物质结构进行了分析。实验表明,用纯SnO_2制备的气敏元件,无需掺杂即具有很好的灵敏度,但稳定性较差,响应恢复较慢;而经高温处理的SnO_2气体灵敏度又较低。通过对SnO_2气敏元件制备工艺及工作条件的选择,发现NiO、CuO、ZnO掺杂的SnO_2元件具有工作温度低(100～250℃)、响应速度快(<10s)、恢复时间短(<30s)、及灵敏度和稳定性良好的特点,是一类很有发展前途的气敏材料。     

ZrO2掺杂SnO2厚膜的制备及其气敏性能研究

采用化学共沉淀法成功地制备了ZrO2掺杂的SnO2超微粉,用丝绸印刷法制备了厚膜型气敏传感材料,并制成了平面型气敏元件.研究了不同掺杂量、不同烧结温度的厚膜材料的气敏性能.实验表明掺杂降低了纯SnO2厚膜的电阻及敏感温区的温度,并且烧结温度对气敏性能影响较大.在200℃下,掺杂量为1%的ZrO2-SnO2厚膜对浓度为2×10-5的H2S气体具有较好的灵敏度(β=5.2),响应恢复时间均＜1 min.     

用PECVD制备的SnO_2薄膜气敏特性研究

ＳｎＯ２薄膜制备及其应用日益受到人们的重视。本文阐述了用低温等离子体化学气相沉积法制备ＳｎＯ２薄膜的工艺，并研究了所制得的纯净及掺杂Ａｇ，Ｐｄ的ＳｎＯ２薄膜的气敏特性。此法制得的元件对还原性气体，尤其是低浓度Ｈ２Ｓ，Ｃ２Ｈ５ＯＨ具有很高的灵敏度及快速的响应．     

SnO2主体材料气敏振荡特性的进一步研究

经对以ＳnO2为主体材料的掺杂Ｐd的振荡型气敏元件的实验研究和分析,对其振荡机理获得了进一步的认识：掺杂Ｐd是发生电导振荡的必要条件;高浓度的Ｈ２对振荡的抑制作用;某些气体对元件的振荡特性变能产生影响,而振荡频率的高代取决于气体吸附反应产物的能力;该类型气敏元件在低温或常温下对Ｈ２具有较好的敏感特性。     

纳米SnO2的制备及其气敏特性研究

通过对溶胶－凝胶法体系共沸蒸馏可制备的纳米ＳnO2，经Ｘ射线衍射、电子显微镜观测以及ＢＥＴ表面吸附实验均表明该ＳnO2材料具有颗粒细小、均匀、分散性好的特点，将该ＳnO2基料掺杂制成的气敏元件可对燃性气体具有较高的灵敏度。     

WO3-SnO2薄膜的溶胶-凝胶制备及其气敏特性研究

以无机盐ＳnCl2.2H2O为主体原料、Ｈ２ＷＯ４为掺杂剂、无水乙醇为溶剂,采用溶胶－凝胶工艺制备了nw:nsn=1:1000的ＷＯ３－ＳnO2薄膜,并对共气敏性能进行了研究,实验表明,掺杂量为１％的ＷＯ３－ＳnO2薄膜在常温下对Ｈ２Ｓ,ＮＯx气体具有较好的气敏性能,对Ｈ２Ｓ气体的敏感温度为１００℃,对ＮＯx气体的最佳敏感温度为７０℃。     

SnO2微粉的制备及其LPG气敏特性研究

应用溶胶－凝胶法,以非醇盐为起始物,研制了纳米级ＳnO2微粉,通过掺杂不同的催化剂和添加剂的实验,获得了对ＬＰＧ具有较高灵敏度和选择性的实用元件,比较发现,其灵敏度和选择性优于用常规方法制备的ＳnO2元件。     

掺杂纳米NiO粉体材料的气敏性能研究

采用固相研磨法对纳米NiO粉体气敏材料进行掺杂,用静态配气法测试了掺杂后材料对还原性气体的气敏性能.结果表明:掺杂WO3可以明显地提高纳米NiO的检测灵敏度,且随着掺杂量的增加,灵敏度提高显著.     

CoFe2O4的制备、结构表征与气敏性能

采用共沉淀方法,以可溶性钴盐和铁盐为源物质,以氢氧化物作为沉淀剂,制备出了具有尖晶石结构的CoFe2O4复合氧化物粉末.由CoFe2O4粉体制成的旁热式厚膜气敏元件无需掺杂,对乙醇、丙酮、乙酸具有较高的灵敏度.