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在石英晶振的生产过程中,切割后的晶振片需要对其共振频率进行快速测量,并通过机械手按频率分选。本文介绍了一种结合单片机、直接数字频率合成器(DDS)和增益鉴相器的简单石英晶振共振频率检测系统,利用晶振阻抗随激励信号频率而变化的特性,在100ms内测得其共振频率,控制成本的同时保证了一定的测量精度。 相似文献
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对基于π网络零相位法测量石英晶体负载谐振频率的3种测量方法进行了分析对比,重点对基于实体电容法的石英晶体负载谐振频率测量技术进行了分析研究.在此基础上,设计适用于实体电容法测量石英晶体负载谐振频率的测试系统.实验表明负载谐振频率的测量误差达到±5×10-6以内. 相似文献
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由于谐振型传感器在感测被测之量变化时 ,表现为谐振频率的偏移 ,因此 ,为提高传感器的分辨率和灵敏度 ,对探索频偏的精确测定很为重要 .本文首先对 Duffing方程进行仿真 ,指出 Duffing方程在从混沌状态到大周期转变时 ,同时具有幅值敏感性和频率敏感性 ,进一步提出频率敏感性可应用于传感器微弱频率变化的提取 .仿真表明该方法还能实现对不同频率变化精度的预性测量 ,文中还进一步分析了其理论基础 ,提出了驱动力等效性观点 相似文献
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介电常数是材料的重要特性之一,采用互补开口谐振环微带传感器实现了不同厚度待测物质介电常数的无损测量。方形互补开口谐振环蚀刻在微带线接地平面上,与微带线耦合实现谐振,分析了谐振器的等效电路,讨论了介电常数与谐振频率之间的关系。通过有限元分析,谐振频率的负二次方与待测物质的介电常数实部值存在线性关系,且线性关系受待测物质的厚度影响;介电常数的虚部值对谐振频率的影响可忽略不计;最终建立了介电常数实部值与谐振频率和样本厚度之间的数学解析式。实验测试结果表明,当待测样品的厚度大于2 mm时,实部介电常数的相对测量误差小于3.5%。 相似文献
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叙述了非电量测量中调幅谐振法技术,提出在调幅谐振法中引入比较测量从而使灵敏度得到很大的提高。并从原理、数学推导以及简单的实验证明能提高灵敏度。 相似文献
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本文介绍了一种基于自适应周期的快速频率采集的谐振式压力传感器的频率测试系统。该系统利用STM32输入捕获功能实现了快速高精度频率采集,响应时间小于20ms,测量范围10~150kHz,频率测量精度优于±0.05Hz。采用频率自适应的周期数迭代方法,明显提升了系统的频率测量范围和准确度,适用于传感器的频率变化过程。利用该系统进行传感器性能测试,20ms采样条件下传感器输出波动小于±5Pa;快速变温过程(5℃/min)传感器的输出与标准器的偏差小于±30Pa,满足航空用压力传感器的频率测试要求。 相似文献
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针对采用压电元件的动态应变测量系统的低频失真问题,提出一种采用数字滤波器的低频特性补偿方案。通过动态标定试验,获得了压电应变测量系统的阶跃响应特性,以应变计测量结果为期望输出,以压电式传感器测量结果为补偿滤波器的输入,采用M atlab中的系统辨识工具箱设计了数字补偿滤波器。应用结果表明:该方法可使得测量系统的低频下限由原来的2.2Hz降低到10-3Hz以下,低频响应不足引起的失真得到了很好的恢复。 相似文献
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谐振式光学陀螺是一种基于Sagnac效应的高精度新型角速度传感器,通过检测谐振腔顺逆时针两路光路的谐振频差得到角速度。谐振式光学陀螺的小型化关键是实现光源的小型化。基于半导体窄线宽小型化光源调制方式的特点,分析了谐振谷的频率跟踪锁定问题,实现了陀螺的频率跟踪控制。 相似文献
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品质因数与共振频率对无线电能传输的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
谐振耦合式无线电能传输技术是一种新兴电能传输方式,提高传输功率和效率已成为其应用发展的瓶颈问题。通过仿真与实验探究了提高频率和改善线圈参数两种不同提高系统品质因数的方法对能量传输效率、功率与传输距离之间的影响规律。结果表明,提高系统共振频率可明显提高系统能量有效传输距离,但导致最高输出功率明显下降,而对传输效率影响不明显;改善线圈参数可显著提高最高输出功率,而对输出效率和有效传输距离影响不明显。系统频率响应仿真与实验结果显示,小幅偏离共振频率点引起输出功率急剧下降。系统共振频率随接收端与发射端间耦合系数增加出现分裂现象,造成能量传输功率下降。 相似文献
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Research on double-barrier resonant tunneling effect based stress measurement methods 总被引:2,自引:0,他引:2
Piezoresistive effect of semiconductor materials is often used in microsensors as a sensing principle. Resonant tunneling diodes (RTDs) have been proved to have negative differential resistance effect, and their current–voltage characteristics change as a function of stress, which can be generated by external mechanical loads, such as pressures, accelerations and so on. According to this, the Meso-piezoresistive effect of RTDs can be used for stress measurement. This paper discusses two double-barrier resonant tunneling effect based stress measurement methods, including an RTD-Wheatstone bridge based method originally proposed. According to the results from the RTD-Wheatstone bridge based experiment, the piezoresistive sensitivity of RTD is adjustable in a range of 3 orders. And the largest piezoresistive sensitivity of RTD is larger than that of common semiconductor materials, such as silicon and GaAs. 相似文献
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