基于单片机的语音提醒系统设计开发

本文旨在设计一个基于单片机的语音提醒系统。该系统以STC89C51单片机为核心,分为语音存储与回放模块、按键控制模块和LED屏幕显示模块,同时扩展一个256KB的外部RAM存储器用于存储大容量的语音信息。该设计简单易行,高效实用,在特定场合取得了良好的效果。     

基于DSP实现硬件压缩算法的语音信号记录仪

利用DSP硬件完成语音压缩算法是语音信号记录与处理的一个强有力手段。结合高性能单片机MSP430大容量闪存即可组成一个便携式大容量语音信号记录仪。记录仪在430单片机的控制下,利用TRUESPEECH语音压缩算法可在一片256MFLASH上完成大于14h的长时间语音信号的记录,且有良好的回放效果。设备具有时钟控制、信息添加与删除、振铃应答、自动增益控制等功能。     

长时间固态语音录放仪简介

语音记录设备按其系统构成及存储媒体可划分为两类：一类以磁带作为存储媒体,采用模拟量记录的方式,通过磁带与磁头的相对运动记录和读取信息。该类产品经过几十年的发展与完善,在人们生活的各个领域得到了广泛的应用。但磁带式录音机的运转依靠机械运动,故存在机械消耗、磁带磨损、可靠性低、环境适应性差、使用寿命短等缺点,特别对于某些特定应用领域的要求,如：语音与时间同步记录、长时间大容量记录、循环工作、信息快速检索等,磁带录音机难以或根本无法实现。另一类语音记录设备是近些年发展起来的硬盘存贮系统（有些系统包含光…     

CF卡大容量数据存储系统

介绍了市面流行的大容量可移动存储设备CompactFlash Card(简称CF卡)的特点及其文件管理系统,在此基础上,用单片机实现了与CF卡的接口,解决了便携式系统大容量数据存储的问题。该系统适用于海上、空中移动目标各种参数的记录存储和数据处理。     

语音自动播放系统

介绍了语音自动播放系统的设计方法,通过采用89C52单片机控制语音芯片ISD4004、键盘、显示和存储部分等实现自动播放高清晰的语音记录,实现语音播放的可编程化、播放自动化,节省人力资源。     

语音播报记事器的设计

设计了一个能够实现语音记录且能够自动播放的系统.整个系统使用AT89S52单片机作为、微控制器,通过对ISD4004的控制实现语音的存储与回放.PCF8563为本系统提供时间和日历等信息.当进行录音和放音时,PCF8563亦可作为计时器件使用.外接矩阵键盘和LED数码管,可方便人机间的对话.该系统能够录放音达16 min,能够分4段进行录音和放音,并能实现自动播放,音量大小也可以调节.该设计的特点还在于可以实现语音的定时自动播放.     

基于MEGA2560的低成本飞控系统双存储方案的设计

针对某型航拍无人机不同任务阶段对数据存储的速度与容量的不同性能要求,设计了高速Flash加大容量SD卡的双存储数据记录模块。实现了对飞行器姿态、GPS以及控制指令等信息的完整记录,系统经试飞验证效果良好。该系统可作为黑匣用于故障分析,又可用于后期航拍图像处理以及控制策略优化、航拍轨迹优化分析,对于野外航拍任务数据记录具有重要的实用价值。     

基于RFID的自助语音系统

鉴于目前在众多旅游、展览中依赖导游讲解,存在导游少,缺乏个性化服务的缺点,提出一种基于RFID(射频识别)的自助导游语音讲解系统方案.系统由RFID标签和手持终端组成.手持终端主要包括51系列单片机AT89S8252,RFID射频读卡模块WM-01TA,以及语音合成模块XF-S4240等,在单片机中存储了各展品的语音讲解的文本信息.当参观者手持该终端接近展品标签时,射频读卡模块读取标签卡号,单片机读取相应展品的语音讲解文本信息,通过语音模块转换为语音信号实现讲解报读,满足游客的自助导游需求.该系统设计可广泛应用于众多的旅游景点、博物馆等讲解场合.     

高速大容量数据记录仪的无效块信息列表动态刷新算法设计

针对流水线技术构建的高速大容量存储阵列,设计了一种基于FPGA的“无效块信息列表动态刷新算法”。系统以NAND型Flash为存储介质,以FPGA为逻辑控制中心,在其内部建立一个一维RAM实现了高速大容量存储系统的无效块信息的记录。仿真结果及可行性分析验证了“无效块信息列表动态刷新算法”的可行性,该算法建立的无效块信息列表的容量不受存储容量扩展的影响,减少了对FPGA内部资源的占用,在满足大容量存储的同时,且不影响高速存储。     

串行FLASH存储器SSF1101及其在单片机系统中的应用

SSF1101是存储容量为4Mbit的SPI串行接口FLASH存储器,其IC卡封装形式可作为单片机系统的大容量数据存储卡。文中介绍了该器件的主要特性和工作原理 ,并以IC卡封装形式为例 ,给出了其与单片机的接口电路及相应的读写程序。     

A 64-min single-chip voice recorder/player using embedded 4-b/cellflash memory

A system-on-chip prototype implementing a full integration of a 64-minute digital voice recorder/player and embedding a 4-b/cell multilevel digital flash memory is presented in this paper. A hardwired adaptive-differential pulse-code modulation speech coder/decoder (8 to 40 kb/s) and a microcontroller are integrated into a bus-centric architecture. An 8-Mcell/32-Mb multilevel flash memory is used as an embedded mass storage media and a fully digital on-chip built-in-self-test solution is presented. This speech recording system features a modular architecture allowing full reuse and mix-and-match of its IP building blocks. The architecture of the system and solutions for implementing embedded multilevel flash memories are presented. System operation modes are described showing how the desired message editing functionality is implemented by a mixed hardware/software solution. The chip is 3-V-only and it counts 13 M transistors at 225 mm² area in a 0.5-μm embedded flash technology     

CS8831CN测试方法

CS8 8 31CN是用于语音录放的单片CMOSLSI,采用ADM (自适应增量调制 )。它与动态RAM以及包括话筒、扬声器、放大器等的音频电路共同构成一个完整的语音录放系统。     

大容量Flash与DSP接口技术的实现

简要介绍了ATMEL公司的32Mbit并行Flash存储器AT49BV322T的特点,以及TI公司的DSP TMS320F2407A的主要性能特点。详细介绍了AT49BV322T的几种工作模式和操作方式,存储器与DSP的硬件接口技术,实现了DSP对多片超大容量并行存储器寻址的连续性。同时介绍了DSP对存储器在线编程的软件,包括对存储器的配置、读操作、写入操作以及片擦除操作等。     

基于VoiceDSP的语音监控装置设计研究

本文以ISD公司的语音DSP芯片T360SA为核心，采用89C51单片机、大容量闪烁存储卡、PCM编解码器及相关接口电路，设计出一个数字语音记录装置，它记录时间长，话音自然度和可懂度好，可应用于铁路调度、电力调度、工厂等进行电话语音的监督记录。     

A 44-mm/sup 2/ four-bank eight-word page-read 64-Mb flash memory with flexible block redundancy and fast accurate word-line voltage controller

The highest bit-density 64-Mb NOR flash memory with dual-operation function of 44 mm/sup 2/ was developed by introducing negative-gate channel-erase NOR flash memory cell technology, 0.16-/spl mu/m CMOS flash memory process technology, and four-bank hierarchical word-line and bit-line architecture. The chip has flexible block redundancy for high yield, a fast accurate word-line voltage controller for a fast erasing time of 0.5 s, and an eight-word page-read access capability for high read performance of an effective access time of 30 ns at a wide supply voltage range of 2.3-3.6 V.     

具有液晶显示及语音提示功能的智能电动车设计

为实时获取智能电动车的状态信息,将液晶显示器及语音芯片应用于智能电动车系统。智能电动车由两个模块组成:电动车模块和无线控制模块。无线控制模块向电动车发送命令,电动车依据接收到的命令动作。无线控制模块在发送命令的同时,将命令信息实时显示在液晶显示器上,并通过语音芯片发出语音提示。语音提示部分同时具有现场重录功能。在概要介绍系统组成的基础上,着重分析了液晶显示及语音提示的设计,最后给出了无线控制模块实物图。实际系统运行结果表明,液晶显示和语音播放与无线发射命令同步,语音模块现场重录功能便于实现。     

基于AT89C52单片机的语音录放系统实现

设计一种基于AT89C52的语音录放系统,利用单片机、ISD2560语音录放器件、麦克风、扬声器等元器件实现硬件电路的设计,并利用C51高级语言设计ISD2560器件控制字的写入和定时中断程序。经软硬件调试,结果表明该系统录放效果良好,具有一定的工程实用价值。     

A 126.6-mm2 AND-type 512-Mb flash memory with 1.8-Vpower supply

A 512-Mb flash memory, which is applicable to removable flash media of portable equipment such as audio players, has been developed. The chip is fabricated with a 0.18-μm CMOS process on a 126.6-mm² die, and uses a multilevel technique (2 bit/1 cell). The memory cell is AND-type, which is suitable for multilevel operation. This paper reports new techniques adopted in the 512-Mb flash memory. First, techniques for low voltage operation are described. The charge pump, control of pumps, and the reference voltage generator are improved to generate internal voltage stably for multilevel flash memory. Next, a method for reducing total memory cost in the removable flash media is described. A new operation mode named read-modify-write is introduced on the chip. This feature makes the memory system simple, because the controller does not have to track sector-erase information     

Flash [computer memory]

Ever falling chip geometries are beginning to raise serious doubts as to the long-term viability of flash. Quantum tunnelling is integral to the operation of flash memory, and as chips are getting smaller the ultra-thin tunnelling barrier is becoming increasingly prone to breaking down. A second problem is with the lifetime of flash-based devices, which can be limited to around 100000 cycles. This is fine for some applications, but inadequate where data storage requirements extend over decades. Flash is also quite slow and difficult to program, two problems that are getting more significant as chip areas increase and supply voltages fall. There are three technologies looking to replace flash: magnetic RAM (MRAM), ferroelectric RAM (FRAM) and ovonic RAM. All of these use new materials to create truly nonvolatile memories with long lifetimes. Getting any one of them to replace flash in the marketplace will depend on producing a sufficiently small memory cell, while at the same time minimising the number of additional processing steps required.