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本文简要说明了工程陶瓷材料裂纹扩展阻力曲线(R-Curve)行为的理论基础,阐述了陶瓷材料阻力曲线行为研究的历史和现状,并对目前研究中存在的问题做了评述,提出了进一步探讨的方向。 相似文献
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本文在对XJM-1型磨片机进行改装的基础上研究了静载多点压痕对氮化硅陶瓷强度的影响。实验发现:与原始强度相比,静载多点压痕后的氮化硅强度有所降低;强度与多点压痕荷载之间的关系曲线出现一极大值。分析后表明:表面残余应力与裂纹尺寸是影响陶瓷材料强度的两个主要因素,它们的变化将对陶瓷材料强度产生直接影响。 相似文献
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残余应力对TiCp—AIN复合材料的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本工作采用热压工艺,以Y2O3为烧结添加剂,在1850℃下制备TiCp-AIN复合材料。结果表明:复合材料的密度、抗折强度、断裂韧性受第二相TiCp的影响,通过合理工艺因素选择,可以使复合材料的抗折强度和断裂韧性比基体AIN材料分别提高40%,80%,达到438MPa,5.59MPa·m^1/2。由XRD内应力分析和TEM显微结构测试结果可知,复合材料性能改善原因在于高弹性模型的TiC引入以及AI 相似文献
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本文针对上海氮化硅制品厂氮化硅反应烧结工艺存在的温度控制重要课题,探讨氮化硅反应烧结工艺温度曲线的优化方法。 相似文献
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Si3N4—TiN/BN层状陶瓷材料阻力曲线及其增韧机制的研究 总被引:6,自引:2,他引:4
通过压痕小裂纹直接量测法获得Si3N4-TiN/BN层状复合材料的阻力曲线,并采用指数经验公式拟合处理了实验数据,5解释了各拟合参数的物理意义。对层状复合材料阻力曲线所具有的独特的台阶状进行了分析,并对层状复合材料具有高韧性的机理作了深入的研究。结果表明弱间层的层状结构具有明显的增韧效果。这是由于弱间层的存在将出现裂纹偏转现象,吸收大量的断裂功,从而大幅度提高了裂纹的扩展容限,使断裂韧性有较大增长。 相似文献
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热压的氮化硅—氮化硼系复合材料 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研制了Si3N4-BN系列复合材料。该材料具有一系列优良的性能-氧化率低、抗热震性高,可加工性好,通过改变BN和Si3N4的配比,可以控制其性能。此种材料的制品可以广泛地应用于航空工业、玻璃工业、机械制造工业及其它部门。 相似文献
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陶瓷材料小裂纹阻力曲线拟合参数的研究 总被引:1,自引:1,他引:1
利用压痕扩展法获得了TiC,TiN/Si3N4复合材料的阻力曲线,采用指数经验公式拟合处理实验数据,探讨了公式中各参娄的物理意义和影响因素。 相似文献
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不同添加剂对氮化硅陶瓷氧化行为的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
对Si-Al-Y-O-N系统气压烧结的致密氮化硅陶瓷的氧化研究表明,材料在1100~1400℃温度下氧化,符合抛物线氧化规律。在此温度范围内,氧化活化能为600~730kJ/mol。AlN的引入对材料在低温段(800~1000℃)的抗氧化能力有较大影响。由于在晶界存在易氧化的第二相物质,含AlN作添加剂的氮化硅材料在低温段有较明显的氧化,氧化呈线性规律。 相似文献
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