正交试验法研究片状银粉性能

采用正交试验法,分析了前驱体球状银粉的制备及球磨工艺对最终片状银粉性能的影响.经优选得出的工艺参数组合是:硝酸银初始质量浓度为60 g/L,水合联氨初始质量浓度为80 g/L,ζ(十二烷基硫酸钠 : 硝酸银)为0.2%等.该工艺参数组合制备的片状银粉性能很好.     

小粒径片状银粉的制备

讨论了化学还原--机械球磨制备片状银粉的生产工艺.通过正交试验法安排试验,分析了前驱体银粉制备工艺及球磨工艺对最终片银粒度分布等性能的影响,得出的较优工艺参数组合是:硝酸银初始浓度为60 g/L,水合联氨初始浓度为80 g/L,分散剂用量为硝酸银质量的0.4%,结果表明,该工艺参数组合制备的片银粒度分布的D50在3μm～4μm.     

丁二酸作分散剂制备球形银粉的研究

以硝酸银为原料,甲醛为还原剂,丁二酸为分散剂,通过液相还原法制备了球形银粉。研究了丁二酸用量、硝酸银浓度、甲醛浓度、反应体系pH值对所制得银粉粒径的影响。结果表明:在c(硝酸银)为0.02 mol/L,c(甲醛)为1.44 mol/L,反应体系pH值为12.5～13.0的条件下,制备出了平均粒径为3μm的高纯球形银粉。     

超细银粉的制备及其导电性研究

用化学还原法在醇水体系中制备出平均颗粒粒径为 0.8~1.2 μm、分散性好的超细球银。讨论了表面活性剂、还原剂的种类、温度、硝酸银含量及 pH 值对球银颗粒粒径和分散性的影响。将所得超细球银在水体系中高效率球磨得分散性好的光亮片状银粉,平均粒径<6 ìm,比表面积 0.7~1.3 m2/g。讨论了吸附在银粉表面的有机物的种类和比表面积对片银导电性能的影响,结果表明:比表面积越大,导电性越好。     

电磁屏蔽用低松比片状银粉的制备

研究了化学还原-机械球磨制备电磁屏蔽用低松比片状银粉的生产工艺,确定了各工序主要影响因素的优化条件。用激光粒度分布仪、SEM、比表面测定仪及松装比测定装置对所制产品进行了表征。结果表明:所制超细银粉和片状银粉平均粒径、松装密度、比表面积分别为:1.0μm和13.5μm、1.7g/cm3和0.4g/cm3、0.8m2/g和1.8m2/g。用所制银粉生产的电磁屏蔽漆具有电阻小,屏蔽效能高等优点。     

片状银粉对烧结型银浆性能的影响

调节球形银粉和片状银粉不同配比,使片状银粉的质量分数为:0、20%、40%、60%、80%和100%。通过黏度、电阻率和附着力测试,以及可焊性实验和水煮实验,对片状银粉质量分数对烧结型浆料各性能的影响进行了研究。结果显示随着片状银粉用量的增加,浆料的黏度、触变性、电阻率及可焊性也随之增加;随着片状银粉质量分数的增加,烧结膜附着力先增加后降低,当质量分数达到40%时附着力最佳;随着片状银粉用量的增加,浆料的可靠性呈下降趋势。     

高温银浆中超细银粉的形态对压电陶瓷振子电性能的影响

通过对高温银浆中超细银粉的形态分布对压电陶瓷振子电性能影响的研究,得到了超细球形银粉和片状银粉的相对比例与振子的一些电性能参数的变化曲线,实验结果表明在制备银浆时,可采用在球形银粉中加入适量片状银粉的方法来提高振子的电性能。     

背面银浆用银粉对晶硅太阳电池性能的影响

分别采用液相化学还原法和机械球磨法制得球形银粉和片状银粉,研究了银粉的形貌、分散性及振实密度对背面银浆烧结膜和电池光电性能的影响。结果表明:片状银粉制备的背银浆料附着力最好、电池光电转换效率最高,球形银粉次之,树枝型银粉最差。高分散和高振实密度银粉能显著提高电池片的光电转换效率。     

化学还原法制备电子浆料用超细银粉

用AgNO3作原料,抗坏血酸作还原剂,柠檬酸三钠作分散剂,采用化学还原法制备超细球形银粉。通过扫描电镜、激光粒度分析仪分析银粉的形貌和粒度。研究了分散剂的用量、反应温度、溶液初始pH值对银粉分散性和粒度的影响。结果表明,当m(柠檬酸三钠)/m(AgNO3)为0.08,温度为40℃,溶液初始pH值为7时,能够获得粒度较小、分散性优良的银粉。将该银粉制成浆料,印刷在石英玻璃上,使用四探针测试仪测得烧结膜的电阻率为10×10–3?.cm,电性能良好。     

以苯并三氮唑为分散剂的高分散银粉制备工艺研究北大核心CSCD

以硝酸银(AgNO3)为银源、抗坏血酸为还原剂、苯并三氮唑(BTA)为分散剂,通过液相还原法制备了分散性好的超细银粉。实验研究了BTA用量,反应温度和还原剂溶液pH值等对制得银粉形貌和粒径的影响,并通过红外光谱分析了分散剂BTA的作用机理。结果表明:采用BTA为分散剂可以明显提高银粉的分散性,制得高分散的球形银粉;升高反应温度会降低银粉的粒径,但温度过高会导致银粉颗粒之间的团聚;通过调节还原剂溶液的pH值,可以将银粉的平均粒径控制在0.83~2.40μm;红外光谱分析表明,BTA分子能吸附在银粒子的表面,从而产生空间位阻作用有效阻止银颗粒间的团聚。     

高导电片状银包铜粉的制备技术研究

采用[Ag(NH3)]+溶液对片状铜粉进行包覆,研究了铜粉粒径、[Ag(NH3)]+溶液浓度、包覆温度、分散剂含量等因素对银包铜粉银含量和电阻率等的影响。结果表明:通过控制包覆温度(60℃)、银氨络离子浓度(0.8mol·L–1)以及分散剂含量(1.0g·L–1),得到了电阻率为0.8×10–3?·cm的银包铜粉。XRD分析表明,该银包铜粉只有Ag和Cu相,不含中间产物。银包铜粉松装密度为0.50g·cm–3左右,比表面积为3.1~3.3m2·g–1。     

立方晶银颗粒混入片状纳米银浆后导电效果的研究

纳米银有多种形态,高导电率的纳米银应具有片状结构,同时复合有部分小颗粒的球形纳米银。本文利用AgNO3和H2C2O4溶液反应使Ag2C2O4沉淀,分析草酸银的热分解行为,研究了分散性较好的球形纳米银晶状体颗粒的制备方法。实验表明:在配位剂三乙醇胺、DMF和分散剂PVP的存在下,利用AgC2O4的自身氧化还原性,在85℃左右加热4 min可得到球形纳米银晶粒,将其分散在乙醇中并混入之前制备好的片状纳米导电银浆中进行烧结,其导电效果好于结构单一的纳米银浆。     

球磨法制备银钎剂及其性能研究

以国产银钎剂QJ102的原料配方为基础,用硼酸代替硼酐,运用正交试验法对银钎剂[w(KF)为33%+w(KBF4)为18%+w(H3BO3)为49%]的球磨工艺进行研究,获得了最优的球磨工艺参数:球磨时间t=1.5h,球磨速度v=400r/min,球料比λ=2:1。在不改变钎剂主要成分的基础上加入质量分数为0.5%～2.0%的硅油、0.5%～2.0%的A醚进行改性处理。结果表明,改性后的银钎剂为膏状,黏度大,长期放置不会结块变硬,焊后残留物少,性能指标达到国外样品水平。     

钛酸钡纳米粉体的共沉淀法合成与研究

采用TiCl4和BaCl2·2H2O原料,以正丁醇为分散剂,NH4HCO3和NH3·H2O作为沉淀剂合成钛酸钡前驱体,在900 ℃煅烧制备分散性良好的钛酸钡纳米粉体.利用XRD、透射电镜(TEM)和 SEM等手段分析了反应温度、TiCl4浓度、分散剂掺杂量等反应参数对粉体的晶相组成、晶粒度、形貌等的影响,并且测试了相应陶瓷烧结体的介电常数.结果表明,反应温度为900 ℃,TiCl4浓度为0.6 mol/L,分散剂用量为3‰条件下,保温2 h可制备高分散性的纳米级粉体.用以上方法制备的粉体烧结而成的陶瓷片介电常数约为3 400.     

复合玻璃粉在ZnO压敏电阻用银浆料中的作用

ZnO压敏电阻器对所用银浆附着力要求较高,通过对ZnO压敏电阻器用银浆料中玻璃粉的研究,提出了用复合玻璃粉制备ZnO压敏电阻器用银浆料。浆料经不同温度烧成后,测得了烧成膜与基体附着力的数据,复合玻璃粉S2:S5的最佳质量比为1:2.5,复合玻璃粉添加量(质量分数)为3.5%时,可显著提高浆料对基体的附着力。结果表明:可采用适合于480~580℃烧成温度的复合玻璃粉来提高烧成膜的致密性及对基体的附着力。并对其机理进行了探讨。