CaF2掺杂钨酸铅晶体的生长与闪烁性能

采用坩埚下降法生长了CaF2掺杂钨酸铅(PbWO4,PWO)晶体,研究了掺杂对PWO晶体的透射光谱、X射线激发发射谱和光产额等发光性能的影响.结果表明:与未掺杂PWO晶体相比,CaF2掺杂的PWO晶体在320～360nm的透过率提高了35%;X射线激发发射强度和光产额比未掺杂PWO晶体高出1倍左右.CaF2掺杂引入了新的发光中心(WO3-F),被认为是导致PWO晶体发光增强的原因.     

掺铌钨酸铅晶体的生长及闪烁性能研究

克服晶体生长中产生的液流转换,用提法法生产出优质了Ｎｂ：ＰｂＷｏ４晶体,测试了晶２本的光学性能和闪烁性能,Ｎｂ：ＰｂＷＯ４晶体的闪烁性能优于纯ＰｂＺＯ２４晶体。     

掺MgF2的钨酸铅晶体的发光性能

通过透射光谱、光致发光谱、光产额的测试,研究了提拉法生长的掺MgF2的钨酸铅(PbWO4,PWO)晶体的发光性能.结果表明:与未掺杂晶体相比,掺杂样品的透光率提高,消除了420nm吸收,减弱了350nm吸收,紫外吸收边变陡并且向短波方向移动约10nm;掺杂样品和未掺杂PWO晶体的光致发光谱形状相同,存在350～550nm的宽带谱,峰值为420nm,掺杂样品的蓝光带得到增强.掺杂样品的光产额(200ns)为未掺杂PWO的2.3倍,发光性能得到改善.对透光率的提高和发光机制进行了探讨.     

沉淀法制备钨酸铅纳米粉体

以钨酸钠和硝酸铅为原料,以聚乙二醇200为分散剂,用沉淀法配制出钨酸铅混浊液.将钨酸铅混浊液在100 ℃烘干后,制备出钨酸铅纳米粉体.对制备的样品进行X射线衍射分析,结果表明:钨酸铅纳米粉体结晶良好.将制备的样品在不同温度退火后,用透射电镜分析了其形貌,结果表明:钨酸铅纳米粉体的颗粒粒度随着退火温度的升高而增大.     

钨酸钆镉晶体的光学性能

测试了钨酸钆镉[CdGd2(WO4)4,CGW]晶体在200～700nm波段的透射光谱和反射光谱。结果显示:CGW晶体在可见光区吸收非常小,具有良好的透光性。对测量得到的光谱进行了数学处理,计算得到了描述CGW晶体宏观光学特性的重要物理量,即晶体的折射率n(λ)、消光系数k(λ)和吸收系数α(λ)。用(αE)1/2对E作图,得出了晶体的光学能隙为3.53eV,证明了CGW晶体是间接带隙半导体。     

提拉法生长钨酸钆镉晶体

用提拉法生长了四方晶系白钨矿结构的钨酸钆镉[CdGd2(WO4)4,CGW]晶体.通过X射线衍射分析计算出晶胞参数a=b=0.5204 nm,c=1.1360 nm.为改进CGW晶体的生长工艺,采取了一些避免生长过程中出现组分过冷现象的工艺措施,提出了晶体生长的最佳工艺参数:拉速为0.84 mm/h,转速为40 r/min,熔体中界面处的温度梯度为46～47 ℃/cm,冷却速率为32 ℃/h.测试了晶体的紫外-可见光谱和Raman光谱,测量得到晶体在紫外波段的截止波长为326 nm,并讨论了晶体的紫外吸收边起源和Raman光谱中各峰的振动归属.     

钨酸钇钠晶体生长

采用提拉法生长制备了四方晶系白钨矿结构的钨酸钇钠[NaY(WO4)2]晶体。通过TG-DTA分析得到晶体的熔点为1211℃,从XRD分析得到晶胞参数a=b=0．5212 nm,c=1．1268 nm,V=0．3062 nm^3。讨论了钨酸钇钠晶体的生长工艺,给出晶体生长的最佳工艺参数：拉速为0．5～4 mm／h,转速为10～18 r／min,冷却速率为18℃／h,最佳的液面轴向温度梯度为0．7～1℃／mm。测试了钨酸钇钠晶体的红外光谱和Raman光谱,讨论了晶体的振动归属。     

菱形钨酸铅微晶的制备及发光性能

以钨酸钠和醋酸铅为原料,加以表面活性剂十六烷基三甲苯溴化铵,用沉淀法制备钨酸铅产物;将钨酸铅产物在100 ℃烘干后制备了菱形钨酸铅微晶粉体.对制备的样品进行X射线衍射分析和透射电镜观察.结果表明:所制备的钨酸铅微晶结晶良好:菱形钨酸铅微晶形貌整齐,颗粒间无团聚发生,微晶边长在1～1.5 μm之间.在菱形钨酸铅微晶的形成过程中,Ostwald成熟进程起着主导作用.所制备的钨酸铝的光致发光光谱中显示有蓝色、绿色和红色3组主要发光峰.     

钨酸铅光催化降解糖蜜酒精废水的研究

糖蜜酒精废水是一种难降解的有机废水,主要成分为焦糖等色素类物质.利用沉淀法制备了PbwoJ光催化剂,将其应用于光催化降解糖蜜酒精废水降解反应中,考察了催化剂用量,空气流量,溶液pH值,助氧化剂及光照强度对糖蜜酒精废水脱色率的影响.研究表明,在紫外光辐照下,PbW04能有效地对糖蜜酒精废水进行光催化作用,过程为一级动力学反应.对于经30倍稀释的糖蜜酒精废水,添加4.0 g·L1的PbW04光催化剂,通入126 L.h1的空气,不改变废水的pH值及不添加助氧化剂H2O2的条件下,在300W高压汞灯照射下反应120 min,PbWO4光催化降解糖蜜酒精废水的脱色率为90.2%,COD去除率为78.6%,得到了较好的降解.     

负热膨胀材料钨酸钇的快速合成及其Raman光谱(英文)

用二氧化碳激光快速凝同技术合成了负热膨胀材料钨酸钇.场发射扫描电子显微镜和X射线衍射分析表明:二氧化碳激光快速凝固技术合成的钨酸钇(Y2W3O12)为正变相的层状致密块体.Y2W3O12由于在大气中存放后会形成Y2W3O12·xH2O,Raman光谱研究表明:其中的水分子不仅能阻碍其共亭项角多面体的摇摆,而且将阻碍每一种振动.低于388 K,所释放的水分子对[WO4]四面体内振动的影响较小,在该温度以上能够释放的水分子对Y2W3O12框架结构中的多面体的摇摆运动、伸缩振动、弯曲振动、天平动和平动均有较大的阻碍作用.变温Raman光谱揭示:不仅低频卢子模,而且高频光学卢子模对负热膨胀也有贡献.     

Ca掺杂钨镁酸铅陶瓷材料的制备及其介电性能

研究了Ca掺杂钨镁酸铅(PMW)陶瓷材料的合成、结构、烧结以及介电性能。结果发现：在Ca^2 摩尔分数小于15％时，能形成单相的PCMW钙铁矿相，结构由原来的斜方相向立方相转变。用二步合成法制备的样品容易致密烧结，气孔率比一步法制备的样品小。Ca的加入降低了材料的介电损耗，在频率为1MHz时，介质损耗达到了10^-4。当Ca^2 摩尔分数大于10％时，材料的Curie峰宽化显著，介电常数温度系数降低。     

A位取代对钨镁酸铅微波性能的影响

研究了La3 改性钨镁酸铅陶瓷材料的烧结性能、微观结构以及微波介电性能。结果发现:加入La3 的摩尔分数大于50％时,在A位 形成有序的空位,并形成单相的钨镁酸铅镧钙钛矿相。La3 的加入,降低了介电常数,提高了微波性能,同时温度系数显著降低。当 x(La3 )=56％时,得到较好微波性能:εr=28.7,Q·f=18 098GHz,τcf=-5.8×10-6/℃。     

钨酸钆镉单晶的光致发光性能

采用提拉法生长了钨酸钆镉[CdGd2(WO4)4, CGW]单晶.在室温下测试和研究了CGW单晶的光致发光谱和X射线能量色散谱.结果表明:样品中有Gd,Cd,W和O元素,未见其他杂质元素;样品的发光性质随激发波长的不同而有所变化.在313 nm波长光激发下,有3个发光带,分别为447 nm蓝光,487 nm蓝绿光和545 nm绿光;在353 nm波长光激发下,不仅有蓝光、蓝绿光和绿光出现,另外出现了575 nm黄光发光峰;在367 nm波长的光激发下,出现775 nm红光发光峰.对发光机制分析认为:蓝光和蓝绿光为本征发射,起源于WO42-离子团的内部电子跃迁;绿光起源于"WO42- Oi";黄光和红光起源于WO3内部跃迁.     

稀土掺杂钨酸钆钾激光晶体生长

以K_2W_2O_7为助溶剂,在钨酸钆钾[KGd(WO_4)_2,KGW]晶体中分别掺入稀土元素离子Nd~(3+),Yb~(3+),Er~(3+)和Er~(3+)+Yb~(3+),用顶部籽晶提拉法分别生长出Nd∶KGW,Yb∶KGW,Er∶KGW和Er∶Yb∶KGW4种激光晶体。获得最佳的生长工艺参数是:转速为10~15r/min,拉速为1~2mm/d,降温速率为0.05~0.1℃/h,生长周期为10~15d。经X射线分析确定4种晶体均为β相。利用热重差热分析确定了晶体的熔点和相转变温度,结果表明:Nd∶KGW,Yb∶KGW,Er∶KGW和Er∶Yb∶KGW4种晶体的熔点分别为1085,1086,1080℃和1079℃;相转变温度分别为1023,1021,1021℃和1024℃。分析了晶体产生缺陷的原因。