钌系厚膜片式电阻器热处理工艺的研究

研究了热处理工艺对钌系厚膜电阻器的温度系数（ＴＣＲ）和短时间过负载性能的影响,发现适当的热处理工艺可以改善厚膜电阻器的电性能。为探讨热处理工艺对电阻膜层微观结构的影响,对热处理前后的电阻膜层进行了ＳＥＭ形貌分析。     

热处理可改善厚膜电阻器的电性能

阐述了热处理改善厚膜电阻器电性能的方法。通过实验确立了适当的热处理工艺参数,使厚膜电阻器的电阻温度系数和短时间过负载得到显著改善。对热处理前后的电阻膜层进行ＳＥＭ 形貌分析, 探讨了热处理对其电性能影响的机理。     

钛酸铅对高阻浆料性能的影响

研究ＰｂＴｉＯ_３对厚膜电阻的阻值、温度系数、噪声、对峰值烧成温度的敏感性，以及ＰｂＴｉＯ_３的合成温度对电阻性能的影响。     

金属氧化膜电阻温度系数的测定

采用由传感器AD590组成的水浴恒温箱测得不同温度下金属氧化膜电阻的阻值，通过大量的实验数据分析各种金属氧化膜电阻阻值与温度的关系，分析表明，阻值与温度之间呈线性关系，通过直线拟舍，得到电阻阻值与温度的关系式，通过关系式求得金属氧化膜电阻器的温度系数，建立阻值与温度的数学模型，这样就能得到不同温度下各种金属氧化膜电阻的理论预测值。     

烧成工艺与钽钌酸铅厚膜电阻高阻特性的关系

<正> 一、前言影响厚膜电阻特性的因素是多方面的。对钽钌酸铅电阻来说,氧化钌处理温度高,阻值高、噪声大,处理温度低,阻值低,电流噪声也低。氧化钌比表面积大,阻值小;比表面积小的,阻值大。玻璃粉料的颗粒越细,阻值越高;颗粒粗,则阻值低。本文主要讨论钽钌酸铅电阻浆料同Pd-Ag导体浆料一次烧成或分次烧成与电阻特性的关系。试验发现,一次烧成的电阻与导体的端头部位有气泡产生,阻值高,噪声大。分次烧成     

厚膜电阻器短时过负载破坏性试验阻值变化趋势分析

该文介绍了厚膜片式电阻器短时过载试验时,按不同幅度施加高于规定的试验电压后,电阻阻值变化的情况。结果表明：电阻在过负载的情况下逐步施加不同倍数的额定电压,电阻值将逐渐变小;当施加的电压继续升高,电流开始向绝缘电阻减小的地方集中,所引起的热量将导致电阻体发生破坏,电阻值上升,直至开路。这对分析及预防电阻器在混合电路中发生阻值异常提供帮助。     

Ag-Pd厚膜电阻的导电机理研究

分析了Ag-Pd厚膜电阻的烧成过程及其形成的微观结构，建立Ag-Pd厚膜电阻的导电模型；用数学式表述了接触压力和接触电阻的关系，并分析了影响接触压力的因素，包括各组分的膨胀系数、粒度、体积分数和烧成温度。     

厚膜片式电阻器硫化机理及失效预防

通过DC/DC模块电源失效分析和电阻硫化实验,采用扫描电镜和能谱分析等手段,研究了厚膜片式电阻器的硫化机理。结果表明:厚膜片式电阻器端电极和二次保护包覆层之间存在缝隙,空气中的硫化物通过灌封硅胶吸附进入到厚膜片式电阻器内电极,导致内电极材料中的银被硫化,生成电导率低的硫化银,从而使电阻的阻值变大甚至开路。结合DC/DC模块电源提出了几种预防电阻硫化的措施。     

厚膜片式电阻器中的铅

厚膜片式电阻器产品使用的电子浆料包括有：背电极浆料、面电极浆料、电阻浆料、一次玻璃浆料、二次保护浆料、标记浆料、端电极浆料。厚膜片式电阻器产品中的铅全部含在电子浆料中，而在所有膜层中，铅又主要含在电阻体的玻璃粉中。因此，厚膜电阻器产品中的铅适用欧盟豁免条款。 本文从材料成分及产品结构的氟度浅析了厚膜电阻器产品中的铅及如何降低产品中铅的含量。     

膜厚对不锈钢基厚膜电阻电性能的影响

为提高不锈钢基厚膜电阻浆料的重烧稳定性,采用丝网印刷、高温烧成等厚膜工艺制备了不锈钢基厚膜电阻,研究和分析了烧成膜厚度对方阻、电阻温度系数和重烧稳定性的影响规律和机理。结果表明,随着膜厚的增加,厚膜的方阻减小,电阻温度系数略有增大;当烧成Ag-Pd膜厚约为12μm时,厚膜电阻的重烧稳定性最佳,其方阻重烧变化率小于3%。     

业界最小的3W电流敏感电阻器

LRF3W系列厚膜贴片式电阻是业界最小的3W电流敏感电阻器,而标准1225大小的贴片式电阻其额定功率一般只有1W。该系列电阻器采用基于陶瓷的结构和四端的开尔文连接方式,阻值最低可达0.003欧姆。 该系列器件比一般的同类器件可承受更高的功率,阻值又很小,因此适合应用于自动电流感应、电池充电     

膜式电阻器的调整方法

<正> 应用薄膜或厚膜工艺在基片上制成的膜式电阻器,要使电阻值达到所需的精度,目前都要进行调整。由于膜式电阻器的阻值与电阻膜的导电率、长度、宽度、厚度等成比例关系,因此采用了下列调阻措施:(1)改变电阻膜形状,(2)改变电阻膜厚度,     

RIG超高阻片式厚膜电阻器

RIG超高阻片式厚膜电阻器用96％Al_2O_3基片,高阻浆料以钌酸盐作导电相,烧成温度850℃,烧成周期60min,阻值在1GΩ以上。开发产品主要用于传感器及以场效应管为输入级的高内阻放大器中。     

介绍一种片式厚膜熔断电阻器

介绍一种片式厚膜熔断电阻器膜层熔断区域的形状,当功耗增加到4W时,电阻体中心的温度;电阻膜层所用材料;压变效应;并讨论这种电阻器的稳定性。     

CMOS／SIMOX和CMOS／BESOI的γ射线辐照特性比较

用薄膜ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）、厚膜ＢＥＳＯＩ（ｆｆｅｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）和体硅材料制备了ＣＭＯＳ倒相器电路，并用６０Ｃｏγ射线进行了总剂量辐照试验。在不同偏置条件下，经不同剂量辐照后，分别测量了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线，分析了引起ＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移的两种因素（辐照诱生氧化层电荷和新生界面态电荷）。对ＮＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ，由于寄生背沟ＭＯＳ结构的影响，经辐照后背沟漏电很快增大，经３００Ｇｙ（Ｓｉ）辐照后器件已失效。而厚膜ＢＥＳＯＩ器件由于顶层硅膜较厚，基本上没有背沟效应，其辐照特性优于体硅器件。最后讨论了提高薄膜ＳＩＭＯＸ器件抗辐照性能的几种措施。     

以RuO2为基的厚膜电阻器中电子传导与温度的关系

本文研究了两种同属RuO_2为基的厚膜电阻器中阻值与温度的关系。两种电阻器的成分(重量百分比,下同)分别为:80%玻璃料(其中:63%pbO-25%B_2O_3-12%SiO_2,称作G_1)-20%RuO_2和80%玻璃料(其中:55.5%pbO-22%B_2O_3-10.5%SiO_2-12%Al_2O_3,称作G_2)-20%RuO_2.成分为80%G_1-20%RuO_2的电阻器在850℃下烧结后,当温度从100K到～400K上升时方阻变小,并在400K到～690K之间保持一个最小值,然后随温度的进一步升高而变大.在100K～500K时获得的负温度系数为～480ppm/℃;当温度再升高时,电阻温度系数(TCR)变得更小. 本文使用厚膜电阻器导电机理的三种传导方式解释了实验结果;用一种改进的传导方式(包详隧道传导和并联传导两种方式),说明了阻值-温度反比曲线的坡度变化和阻值与温度的关系;另外还用一个等效电路模式阐述了厚膜电阻器的电性能.     

导电塑料电阻器

本发明系有关导电性粉末和粘合树脂构成主体的树脂系电阻器的,特别是关系到降低传统树脂系电阻器在高温度,高湿度下较大的阻值变化后的电阻器。这里所说的主体是只与电气性能有关的,所以会有上述两种成份以外的无机或有机填充剂及辅助添加剂等。过去树脂系电阻器由导电性粉末,主要是碳粉和粘合树脂构成,或再加无机填充剂,多为体电阻或膜电阻。但,传统的树脂系电阻器在高温度、高湿度环境下保存时,具有阻值发生很大变化的缺点,需要加以改进。传统树脂系电阻器的粘合树脂主要使用     

CMOS／SOI的高温特性分析

采用ＳＩＭＯＸ和ＢＥＳＯＩ材料制作了ＣＭＯＳ倒相器电路，在２５￣２００℃的不同温度下测量了ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线，实验结果显示，薄膜全耗尽ＩＭＯＸ器件的阈值电压和泄漏电流随温度的变化小于厚膜ＢＥＳＯＩ器件。     

厚膜PTC电阻烧结工艺的研究

研究厚膜PTC电阻的电性能随烧结工艺的变化规律，确定了在不同的烧结制度下的最佳烧结峰值温度。比较了两种烧结工艺条件下烧结的厚膜PTC电阻性能的差异。结果表明：厚膜PTC电阻对烧结温度敏感，随着烧结峰值温度上升，方阻Rs下降，电阻温度系数TCR上升；烧结工艺条件决定了厚膜PTC电阻的电性能，烧结工艺Ⅱ优于烧结工艺Ⅰ。本文运用液相烧结模型对实验结果进行了探讨。     

Pd－Ag－Si合金膜中的亚稳相

利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）对Ｐｄ－Ａｇ－Ｓｉ合金膜的亚稳相进行了研究。结果表明，真空蒸发的Ｐｄ－Ａｇ－Ｓｉ合金膜由粒度均匀的纳米晶粒组成，具有ｆｃｃ结构。经不同温度退火后，在薄膜的局部区域析出了未知结构的亚稳相。利用电子衍射图确定了这些亚稳相的结构。