金属陶瓷-钢覆层材料制备及其界面表征

采用真空液相烧结法,在Q235钢表面制备三元硼化物基金属陶瓷覆层材料。利用扫描电镜、X射线衍射及能谱对其界面结构进行分析与表征。结果表明,在1 280℃温度下烧结,覆层材料具有良好的界面结构,其硬质覆层由三元硼化物硬质相和铁基黏结相组成,硬质相和黏结相分散均匀,覆层硬度（HRA）可达87;三元硼化物硬质覆层与钢基体间形成了良好的冶金结合,在界面处存在元素的扩散。     

电化学诱导法制备二氧化硅薄膜材料

通过电化学诱导的溶胶-凝胶过程,以四甲氧基硅烷(TMOS)作为硅源,在氧化铟锡(ITO)电极表面制备了二氧化硅(SiO2)薄膜.使用扫描电镜(SEM)、紫外可见光谱(UV)和循环伏安法(CV)分别对薄膜的表面形貌、光吸收特性和导电性能进行了表征.结果表明:所施加的电压显著地影响SiO2薄膜的在固体表面上的生长.SEM图显示出在薄膜表面上没有明显的介孔结构.薄膜的紫外可见光谱在波长为430 nm处出现了SiO2分子的本征吸收峰,表明这固体表面上的材料主要是由SiO2构成的.循环伏安曲线证明该薄膜材料具有很高的电阻.这种电沉积的SiO2薄膜材料有望应用于分解有机污染物等领域.     

中科院多功能耐久性超疏水材料研究获系列进展

<正>中国科学院兰州化学物理研究所的研究人员开发出了一种简单、高效的耐久性超疏水材料的制备新工艺,克服了超疏水材料表面结构易损坏、耐久性差,以及难于大规模制备等难题。研究人员将织物浸泡在聚四氟蜡和氟化石墨混合分散液中并加热固化,制得了超疏水材料,其接触     

仿生法制备功能陶瓷薄膜材料

介绍了一种新的功能陶瓷薄膜制备方法——仿生法。该方法不同于传统的湿化学方法，如水热合成法、熔胶凝胶法、电化学法等，其突出特点是无外加电场，不需要调制熔胶或者凝胶，可以在常温常压下合成。该方法涉及两个关键点：基板表面的修饰和溶液条件的控制。我们在基板(单晶硅，玻璃等)的表面通过化学吸附的方式生长了一层自组织单分子层，然后将这层单分子层部分暴露在紫外光下，使暴露部分发生光化学反应，从而生成与未暴露部分不同的新的官能团。以此为模板，在适合的溶液条件下(溶液的过饱和度等)，通过溶液与模板表面官能团之间的选择性的物理化学作用，实现了从溶液中直接制备位置、形貌、结晶形态等可控的功能陶瓷薄膜。作者以SrTiO3为例简单介绍了这种新的合成方法。     

液晶材料5CB Langmuir-Blodgett薄膜的制备

研究了新型高性能液晶材料5CB(4-氰基-4′-戊基联苯)薄膜的制备技术.采用Langmuir-Blodgett(LB)法制备了单分子液晶薄膜.通过实验得出均匀、完整的液晶材料5CBLB薄膜的最佳制备的工艺,成膜方式为Y型垂直提拉法,压膜速度为8 mm/min;提拉速度均为1.5 mm/min,液晶材料溶于三氯甲烷的浓度为1.0 mg/m L,亚相温度25℃.通过偏光显微镜观察发现,该液晶薄膜具有向列型条纹织构.液晶材料5CB LB薄膜的制备技术研究为其光学及电学研究提供了基础.     

三氧化钨薄膜材料制备的现状及研究趋势

概述了三氧化钨薄膜材料的研究意义,并结合国内外文献综述了三氧化钨薄膜材料的各种制备方法及其性能的研究现状与进展,其中详细介绍了蒸发法、溅射法、溶胶凝胶法及其掺杂稀有金属研究等.目前大多数方法都能制备出均匀致密的三氧化钨薄膜,而且都具有良好的电致变色、光致变色、气致变色特性,同时在掺杂不同的稀有金属后可以用作不同气体的敏感材料.最后分析了三氧化钨薄膜材料制备和应用的发展趋势.     

PET材料表面制备氧化硅薄膜的研究

为了满足材料在饮料、啤酒等包装领域方面的要求,在PET材料内壁涂覆氧化硅薄膜是一种十分有效的方法.本文分别使用磁控溅射法和微波等离子体化学气相沉积法(PECVD)在PET材料表面制备了氧化硅薄膜,通过结果分析,对两种方法从原理、各自优点等方面进行了比较,并就沉积时间、工作气压、电源功率对各自所沉积薄膜阻隔性的影响作了相应分析,得出了两种方法各自的最佳工艺条件.     

薄膜材料的制备与表征方法研究进展

材料的表面与基体内部在结构和性能上都会存在差异,这就要求对薄膜材料的制备及其表征方法有基本的了解.分析了薄膜材料的分类、常见制备方法及其原理,对材料表面的组分、结构、形貌等分析方法进行了归纳总结,并利用XRD,SEM,EDAX等进行逐项表征,获得了完整的材料表面信息,得出了薄膜材料的工艺制备,采用磁控溅射的方法较好.     

制备中远红外用ZnS体材料的新方法

制备中远红外用ＺｎＳ体材料的新方法憨勇，刘正堂，张贵锋，郑修麟ＺｎＳ是一种用途广泛的宽带隙半导体光学材料，可用于制备大功率红外激光器窗口［ｌ］及红外吊舱、高速飞行器红外窗口和整流罩［２，３］。ＺｎＳ的制备可采用热压（ＨＰ）法和化学气相沉积（ＣＶＤ）法...     

用电沉积方法制备纳米迭层薄膜材料

论述了一种新材料一纳米迭层膜材料的研制方法、发展状况、特殊性能及其广泛应用,特别对渐变电位脉冲电沉积方法制备纳米迭层膜材料的机理、方法及优势进行了详细的说明;同时阐述了研究纳米迭层膜的重要意义及其广阔的发展前景。     

脱硫石膏制备超硫胶凝材料

研究旨在开发一种以烟气脱硫石膏为主要原料,矿渣粉为活性成分,熟料、钢渣作为碱性激发剂的超硫水硬性胶凝材料。该胶凝体系脱硫石膏掺量高达45%,且以2%熟料激发时,3d抗压强度达20.5MPa,28d为48.7MPa;而以8%钢渣激发,分别达15.8MPa和50.7MPa。XRD和SEM分析表明,脱硫石膏-矿渣-激发剂体系的水化产物主要是钙矾石和C-S-H凝胶。脱硫石膏在水化过程中一部分参与水化形成水化产物钙矾石,其余部分被水化产物所包裹起集料骨架作用。     

高能束在气相沉积超硬薄膜材料中的应用

在新型薄膜材料的制备中,利用高能量密度的激光束、离子束等作为热源,辅助和诱导气相反应制备薄膜材料,克服了普通化学气相沉积和物理气相沉积超硬薄膜材料性能上的不足,显著地提高了薄膜的沉积效果。     

MgB_2超导薄膜的熔盐电解法制备研究

以熔盐电化学法在铜衬底上制备MgB2超导膜,通过对KCl-NaCl-MgCl2三元系相图和熔度图的分析,电解电压的计算,确定了前期实验的电解参数范围。在熔盐电解法制备MgB2膜的实验过程中,首先对电解设备进行改进,降低了实验难度;然后以KCl、NaCl、MgCl2、MgB2O4混合体系作为反应物,采用直流电源,在不同温度下在铜阴极衬底上,电解制备MgB2膜;最后,利用X射线衍射（XRD）分析样品的物相,利用透射电子显微镜（TEM）和扫描电子显微镜（SEM）表征样品的结构及形貌。结果表明,成功在铜阴极衬底上,制备出了具有超导电性的MgB2,且最佳制备温度分别为601℃.     

纳米复合金属陶瓷模具材料的研究进展

纳米复合金属陶瓷材料不仅具有较好的综合机械性能,如高强度、高硬度、耐高温、耐磨损,而且具有较好的化学稳定性、抗氧化性能和耐腐蚀性能,在模具制造方面具有广阔前景.本文综述了纳米复合金属陶瓷材料的研究现状及存在问题,并指出了今后研究的发展趋势.     

WCoB金属陶瓷的制备及其性能研究

以WC、TiB2、Co粉末为原料,采用真空液相反应烧结技术制备WCoB金属陶瓷,并利用XRD、SEM和EDS对其微观形貌及相组成进行了表征。结果表明,WCoB金属陶瓷由WCoB、W2CoB2、TiC、Co2B和TiB2等相组成,其硬度为HRA84.4～92.2,合金密度为9.3～10.2g/cm3。随着钴含量的增加,烧结后WCoB金属陶瓷的合金密度和硬度值均有所下降,较高的烧结温度有利于晶粒细化。磨损试验发现WCoB金属陶瓷的耐磨性优于YG8硬质合金。     

金属陶瓷复合粉体的制备及其应用

介绍了金属陶瓷复合粉体的制备方法,并对采用该复合粉体制备的新型陶瓷材料的性能进行了初步研究。研究表明陶瓷粉体的活化是获得金属陶瓷复合粉体的关键环节。利用该粉体制备的Al2O3 Ti Co材料具有较高的断裂韧性和抗磨损性能。     

锂离子电池锡合金负极薄膜材料制备及性能

采用化学沉积的方法在铜箔上制备锡薄膜,通过改变沉积条件,制得三种不同厚度和结构的锡合金负极材料.运用XRD、SEM、充放电和循环伏安等多种方法对电极结构和性能进行表征和研究.研究表明:沉积时间为10min的锡薄膜负极材料具有四方晶系结构,其表面由尺寸在4μm左右的合金颗粒构成,颗粒有大小均匀的孔洞结构,增加了电极的比表面积.该锡薄膜电极具有较高的容量,在0.01～1.00V电压区间内,电极的首次放电容量为885.7mAh/g,循环100周后放电容量仍保持在460mAh/g以上.     

金属陶瓷复合粉体的制备及其应用

介绍了金属陶瓷复合粉体的制备方法，并对采用该复合粉体制备的新型陶瓷材料的性能进行了初步研究。研究表明陶瓷粉体的活化是获得金属陶瓷复合粉体的关键环节。利用该粉体制备的Al2O3-Ti-Co材料具有较高的断裂韧性和抗磨损性能。     

太赫兹超材料仿真设计与制备研究

设计了一种在近红外太赫兹波段产生电磁响应的超材料器件,该器件单元结构是由全对称的金属四开口谐振环与本征硅衬底组成.通过仿真模拟设计出合理的结构与尺寸的金属谐振环,达到想要的谐振效果.分析了表面电场强度与表面电流流向,以便了解电磁响应机理.通过光刻剥离工艺制备出四开口超材料谐振环,并基于光泵浦探测系统研究了太赫兹光谱透射...     

制备纳米管新方法

据报道，沿着蓝宝石表面下不平整的原子级台阶来制备碳纳米管。这是以色列研究人员新近发明的一种制备纳米管新方法。