Ti的激光化学汽相淀积

用1.4kW_cwTEM_ooCO_2激光分解TiBr_4,使Ti淀积在不锈钢基体上。对膜的厚度和淀积速率作为TiBr_4的分蒸气压、辐射时间和室温的函数进行了研究。得到比用化学汽相淀积制作的纯Ti膜大两个数量级的淀积速率(190μm/h)。另外,用俄歇电子谱、扫描电     

汽相淀积多晶硅

1.引言 近年来,多晶硅薄膜已越来越广泛地应用于半导体器件。在大规模MOS集成电路中,具有重要地位。其原因在于: (1)多晶硅薄膜作为硅栅电极代替铝栅电极具有下列优点: a.可采用自对准技术,它不存在沟道复盖问题,从而减少了单管面积,提高集成     

同质外延硅汽相淀积法的改进

硅外延淀积工艺的重点在于生长突变结和改善外延层的径向厚度和电阻率均匀性。外延层的载流子迁移率和寿命取决于晶体完整性。衬底表面及其晶向对外延淀积有影响。讨论了有利于得到无缺陷的外延硅,有利于集成电路制备,诸如结隔离和介质隔离的方法。最后给出了有关汽相淀积同质外延硅的参考文献。     

用于化学汽相淀积的硅源气体

本文述评了在化学汽相淀积中用于淀积单晶硅层、多晶硅、非晶硅、二氧化硅、氮化硅或硅化物的硅源气体的选择准则,并且详细地讨论了气流中的杂质,给出了最高杂质含量的规范。     

等离子化学汽相淀积

等离子激活化学汽相淀积工艺(PCVD)在许多方面都相似于熟知的化学汽相淀积工艺(CVD),它从射频激发的辉光放电得到反应能。该工艺在低温、低压下操作,可在所有光刻图形的台阶上淀积均勿一致的薄膜,而且产生的额外颗粒物质极少。     

化学汽相淀积设备

化学汽相淀积(CVD)是最近开始普遍用于集成制造工艺并向实用化急速发展的一门技术。但是还有与化学汽相淀积相类似的物理汽相淀积(PVD),物理汽相淀积可以看作是蒸发、溅射等与化学反应无关的技术。如所周知,化学汽相淀积的基本想法是把包含欲生长物质的元素的气体与携带气体一同通入系统,在衬底上经过热解、氧化、还原等化学反应,析出所要生长的物质。目前,CVD技术包括外延生长技术,正以生成氧化膜,氮化膜,金属薄膜等多种形式被广泛采用,它的重要性,应该看作与其他组合工艺占同等地位。估计CVD将来的发展技术是配合离子注入等技术,把它的应用范围扩大到集成工艺之外。本文就CVD设备的考虑方面、现状、以及CVD技术将来的方向等问题作一介绍,其中的硅外延技术因有另文介绍故省略。     

化学汽相淀积多晶硅

半导体器件工艺中多晶硅膜的应用越来越广泛。本德等人首先描述了单晶器件介质隔离用的厚多晶硅膜的热传导。最近在制作场效应晶体管(FET)的自对准栅法中采用了多晶硅做栅。在本文发表之前,范等人关于在多晶硅膜中制作相当好FET的报导,使多晶硅纳入有源器件材料。当然,在要求高速度和高封装密度的应用中,多晶硅绝比不上单晶硅器件。但是要求大面积上制作器件和不能用单晶衬底的应用中多晶硅器件则可以满足需要。     

金属有机化学汽相淀积技术

本文主要介绍MOCVD技术。以实例对MOCVD技术与LPE技术、氯化物CVD和MBE技术进行了比较。评价了MOCVD技术在半导体光电器件制备领域内的作用。     

等离子体化学汽相淀积磷硅玻璃

本文介绍了一种生长磷硅玻璃(PSG)的新方法,即等离子体化学汽相淀积(PCVD),给出了一些基本试验数据,并与一般采用的常规CVD工艺作了对比.     

化学汽相淀积技术的发展

CVD 技术是半导体器件和电路制造中应用最广泛的重要技术之一,本文首先阐述了薄膜 CVD 技术的特点、原理和装置,然后着重讨论了 CVD技术从常压 CVD 向低压 CVD 和等离子体激活 CVD 技术的新发展,最后对各种 CVD 技术进行了比较。     

掺硫砷化镓层的汽相淀积

在 n 型砷化镓外延层的汽相生长中,硫是一个常用的掺杂剂。最简单的方法是用硫化氢作为汽相掺杂剂。用氢稀释的这种气体可以购买到,并用可变泄孔送进淀积系统中。但是,由于泄漏速度的不可逆的变化,要得到恰当限量的以及可重复的掺杂剂浓度是困难的。实验已表明,在真空系统中常用的可变泄漏(Varian,Leybold)只能校准到一个数量级之内。其他方法例如用精密计量阀和转子法量计逐级稀释掺杂气体,也需大量的设备和长时间的校准。参考资料中关于气相中硫化氢浓度和外延膜中的施主浓度之间的关系方面的数据。存在着大量矛盾,多半是由这些问题所造成。     

化学汽相淀积的发展趋势和设备

新工艺和设备以及原有工艺规程的高可靠性都愈来愈强调采用CVD加工方法;许多市场上可买到的系统的处理能力是非常灵活的。     

激光化学汽相淀积薄膜微透镜的设计与实践

本文介绍了采用激光化学汽相淀积（ＬＣＶＤ）技术淀积氮化硅薄膜微透镜的系统与工艺的设计。实践表明，按要求建立了ＬＣＶＤ的实验装置后，只要适当控制源气体的化学配比与浓度，调节激光功率与衬底上的光斑尺寸，选择淀积时间，就可以淀积出不同直径、透明、表面光滑的氮化硅薄膜微透镜。     

制作硅－锗器件的超高真空化学汽相淀积工艺

长期的研究表明，低温外延技术带来许多独特的好处，该技术能克服诸如采用常规ＣＶＤ作硅外延或离子注入所产生的随意的、不连续的掺杂剖面等缺陷。而低温外延技术的实现得益于ＵＨＶ／ＣＶＤ技术的应用，工业用的ＵＨＶ／ＣＶＤ系统已经成功地应用于ＳｉＧｅ器件的制备中，并取得了令人满意的结果。     

低压化学汽相淀积含氢氮化硼薄膜

本实验采用二硼烷(B_1H_6)和氨气(NH_(?)),在388～700℃下进行低压化学汽相淀积生成含有硼、氮、氢的膜(B_(1～3)NH),用于X光曝光掩模的基底.已测得膜的各种特性如淀积速率、电阻率、元素成份比、晶型、折射率、红外吸收光谱、应力变化、对光的透射率、化学不活泼性及等离子腐蚀速率等.