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用1.4kW_cwTEM_ooCO_2激光分解TiBr_4,使Ti淀积在不锈钢基体上。对膜的厚度和淀积速率作为TiBr_4的分蒸气压、辐射时间和室温的函数进行了研究。得到比用化学汽相淀积制作的纯Ti膜大两个数量级的淀积速率(190μm/h)。另外,用俄歇电子谱、扫描电 相似文献
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硅外延淀积工艺的重点在于生长突变结和改善外延层的径向厚度和电阻率均匀性。外延层的载流子迁移率和寿命取决于晶体完整性。衬底表面及其晶向对外延淀积有影响。讨论了有利于得到无缺陷的外延硅,有利于集成电路制备,诸如结隔离和介质隔离的方法。最后给出了有关汽相淀积同质外延硅的参考文献。 相似文献
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本文述评了在化学汽相淀积中用于淀积单晶硅层、多晶硅、非晶硅、二氧化硅、氮化硅或硅化物的硅源气体的选择准则,并且详细地讨论了气流中的杂质,给出了最高杂质含量的规范。 相似文献
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化学汽相淀积(CVD)是最近开始普遍用于集成制造工艺并向实用化急速发展的一门技术。但是还有与化学汽相淀积相类似的物理汽相淀积(PVD),物理汽相淀积可以看作是蒸发、溅射等与化学反应无关的技术。如所周知,化学汽相淀积的基本想法是把包含欲生长物质的元素的气体与携带气体一同通入系统,在衬底上经过热解、氧化、还原等化学反应,析出所要生长的物质。目前,CVD技术包括外延生长技术,正以生成氧化膜,氮化膜,金属薄膜等多种形式被广泛采用,它的重要性,应该看作与其他组合工艺占同等地位。估计CVD将来的发展技术是配合离子注入等技术,把它的应用范围扩大到集成工艺之外。本文就CVD设备的考虑方面、现状、以及CVD技术将来的方向等问题作一介绍,其中的硅外延技术因有另文介绍故省略。 相似文献
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本文主要介绍MOCVD技术。以实例对MOCVD技术与LPE技术、氯化物CVD和MBE技术进行了比较。评价了MOCVD技术在半导体光电器件制备领域内的作用。 相似文献
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本文介绍了一种生长磷硅玻璃(PSG)的新方法,即等离子体化学汽相淀积(PCVD),给出了一些基本试验数据,并与一般采用的常规CVD工艺作了对比. 相似文献
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CVD 技术是半导体器件和电路制造中应用最广泛的重要技术之一,本文首先阐述了薄膜 CVD 技术的特点、原理和装置,然后着重讨论了 CVD技术从常压 CVD 向低压 CVD 和等离子体激活 CVD 技术的新发展,最后对各种 CVD 技术进行了比较。 相似文献
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在 n 型砷化镓外延层的汽相生长中,硫是一个常用的掺杂剂。最简单的方法是用硫化氢作为汽相掺杂剂。用氢稀释的这种气体可以购买到,并用可变泄孔送进淀积系统中。但是,由于泄漏速度的不可逆的变化,要得到恰当限量的以及可重复的掺杂剂浓度是困难的。实验已表明,在真空系统中常用的可变泄漏(Varian,Leybold)只能校准到一个数量级之内。其他方法例如用精密计量阀和转子法量计逐级稀释掺杂气体,也需大量的设备和长时间的校准。参考资料中关于气相中硫化氢浓度和外延膜中的施主浓度之间的关系方面的数据。存在着大量矛盾,多半是由这些问题所造成。 相似文献
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新工艺和设备以及原有工艺规程的高可靠性都愈来愈强调采用CVD加工方法;许多市场上可买到的系统的处理能力是非常灵活的。 相似文献
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本文介绍了采用激光化学汽相淀积(LCVD)技术淀积氮化硅薄膜微透镜的系统与工艺的设计。实践表明,按要求建立了LCVD的实验装置后,只要适当控制源气体的化学配比与浓度,调节激光功率与衬底上的光斑尺寸,选择淀积时间,就可以淀积出不同直径、透明、表面光滑的氮化硅薄膜微透镜。 相似文献
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长期的研究表明,低温外延技术带来许多独特的好处,该技术能克服诸如采用常规CVD作硅外延或离子注入所产生的随意的、不连续的掺杂剖面等缺陷。而低温外延技术的实现得益于UHV/CVD技术的应用,工业用的UHV/CVD系统已经成功地应用于SiGe器件的制备中,并取得了令人满意的结果。 相似文献
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