退火温度对2％Si无取向电工钢磁性能的影响

研究了传统工艺流程生产的2％Si无取向电工钢在不同退火温度下的磁性能。研究结果表明,随着退火温度的升高,显微组织均匀性提高且晶粒尺寸增大;有利织构组分{100}〈0vw〉、a、η增强,不利织构组分减弱;成品的铁损P1.5/50先下降后略有上升,磁感B50上升平缓;在890℃×2min的退火工艺条件下,成品电工钢的磁性能最佳,对应的铁损P1.5/50小于3．2W／kg,磁感B50高于1．74T。     

常化温度对CSP流程生产的2.5%Si硅钢析出物和磁性能影响

本文研究了常化温度对硅含量2.5%的高牌号硅钢析出物和磁性能的影响规律。研究结果表明,随着常化温度在920~980℃范围内逐步提高,热轧态的析出物尺寸增大且分布密度降低,对应的再结晶退火态平均晶粒尺寸增大,磁性能P_(1.5/50)呈下降趋势,磁感呈上升趋势,且在退火温度为980℃时P_(1.5/50)达到2.50 W/kg最低值、磁感B_(50)达到1.705 T。     

常化温度对50W470电工钢组织和织构影响研究

分别研究了常化温度对电工钢50W470组织和织构的影响。结果表明:随着常化温度的提高,对再结晶退火态织构类型无明显影响,但再结晶退火态的不利织构γ强度降低,且成品的平均晶粒尺寸增大,其对应的铁损P_(1.5/50)降低,磁感B_(50)增大。     

热轧及常化退火工艺对硅钢冷轧织构的影响

研究了热轧与常化退火工艺对硅钢(含3%Si)冷轧织构的影响。结果表明:热轧及常化退火工艺对硅钢冷轧织构有显著的影响。热轧时终轧温度越高,冷轧板(100)[011]织构就越强,同时热轧后常化退火可进一步提高冷轧板的(100)[011]织构,有利于硅钢磁性能的提高。     

常化温度对二次冷轧无取向硅钢组织和磁性能的影响

研究了二次冷轧工艺常化温度对冷轧无取向硅钢薄带组织结构和磁性能的影响。结果表明,采用两次冷轧法工艺时,对热轧板进行常化能改善硅钢薄带的磁性能。当常化温度低于中间退火温度时,常化对改善铁损的作用不明显,但对提高磁感有一定作用;当常化温度高时,常化可以显著改善磁性能,特别是当中间退火温度较低时,提高常化温度的作用更大。     

热处理制度对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金性能的影响

首先用快淬法制备厚度为20~23μm的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金非晶带材,采用氮气氛退火和横磁退火(氮气氛)工艺对合金进行不同温度处理,研究了退火温度对合金性能的影响。结果表明,合理的退火工艺可以对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金的性能进行有效控制,540℃×30min为最佳氮气氛退火工艺,横磁退火可以降低Hc、Br/Bs及Pc并能优化μe和μi。     

622镍钴锰酸锂烧结工艺实验研究

将Ni0.6Co0.2Mn0.2(OH)2前驱体与碳酸锂以一定的比例混合,随后采用高温固相法制备LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2锂电池正极材料,研究升温速率、烧结温度和烧结时间对材料电化学性能的影响.实验研究显示,最终得出的最优工艺参数为烧结温度930℃、烧结时间10 h和升温速率3℃/min.在此工艺条件下,制...     

组织和织构对无取向电工钢50W1300磁导率影响

为研究退火温度对低牌号电工钢50W1300磁导率影响规律,通过观察试样的显微组织、织构形成特征及组分,研究了成分、组织及织构对磁导率的影响。结果表明:降低的杂质元素含量、粗大的晶粒尺寸和较低的铁损是保证获得高磁导率重要条件;退火态再结晶有利于织构组分强度的提高,能够明显提高磁导率且能获得良好的综合磁性能。     

焊接温度对镁合金电化学性能的影响

采用真空扩散焊工艺对镁合金与银箔进行连接,焊后利用金相分析、恒流极化、动电位扫描研究镁合金在不同焊接温度下的显微组织和电化学性能。结果表明:随焊接温度的升高镁合金的晶粒尺寸不断长大;耐腐性能随焊接温度的升高而不断降低,焊接温度由330℃升高到395℃时,镁合金的腐蚀电流从1.58×10~(-3) A/cm~2增大到6.37×10~(-3)A/cm~2,这与合金的晶粒尺寸有关。     

预烧和烧结温度对SrCaLaCo铁氧体的微结构及磁特性的影响

采用传统的陶瓷工艺制备了分子式为Sr_(0.22)La_(0.38)Ca_(0.4)Fe_(0.14)~(2+)Fe_(11.62-δ)~(3+)Co_(0.24)O_(19)(缺铁量δ=1.36)的M型铁氧体,研究了预烧和烧结工艺对其微结构及磁特性的影响。研究表明,当预烧温度为1160℃和烧结温度为1170℃时,样品的B_r具有最大值455mT,此时对应H_(cj)=400kA/m,(BH)_(max)=40kJ/m~3;获得单一M相的最佳预烧温度为1240℃,这时预烧料有最大的σ_s和H_c分别是69.3 A×m~2/kg和334kA/m(4392Oe),烧结样品的H_(cj)能获得最高值为445kA/m,此时对应B_r=446mT,(BH)_(max)=38.5kJ/m~3。说明,在合适的配方及粉末细化工艺条件下才能获得最佳的B_r和H_(cj).     

Cu和Cr缓冲层对SmCo_5薄膜微观结构和磁性能的影响

利用新型AE(Advanced Energy)脉冲电源采取共溅射的方式在Si片上制备不同结构的Cr/SmCo_5/Cr和Cu/SmCo_5/Cr薄膜,并分别研究Cu和Cr缓冲层对SmCo_5薄膜磁性能和微观结构的影响。以Cu作为缓冲层时,在优于2×10―5Pa的真空环境下通过对样品在650℃退火60min,可以获得较良好的硬磁性能,垂直膜面的矫顽力可以达到1308Oe。以Cr作为缓冲层时,在低于2×10~(-5)Pa的真空环境中,且在650℃退火60min便制备出样品。随后分别改变Cr缓冲层的厚度和SmCo_5的厚度并观察其对Cr/SmCo_5/Cr的磁性能的影响。     

退火温度对薄规格35W440电工钢织构和磁性能影响规律研究

研究了退火温度对薄规格35W440电工钢织构和磁性能的影响规律。结果表明:连续退火温度的改变可以明显影响产品磁性能,随着退火温度的提高,对应的铁损P1.5/50呈下降趋势,高温段下降缓慢;磁感B50基本呈单调递减,但在高温阶段下降缓慢;退火温度对成品织构类型影响较小,但对相应的织构组分强度影响较大。     

二氧化锆掺杂堇青石微晶玻璃的制备与性能研究

采用水热合成技术,在220℃的水热温度下反应12 h,并经900℃煅烧,制备了SEM粒径为(100±10)nm、主晶相为α-堇青石、比表面积为11.2 m~2/g的ZrO_2掺杂Mg_2Al_4Si_5O_(18)微晶玻璃粉体。研究了反应浓度与形貌、粒径大小之间的关系,探讨了ZrO_2掺杂量和烧结工艺对堇青石微晶玻璃性能的影响,试验结果表明:适量的ZrO_2掺杂量有利于获得α-堇青石,并促进析晶,当ZrO_2掺杂量为3%、热处理工艺为900℃/2 h时,获得了热膨胀系数为4.6×10~(-6)K~(-1)、软化温度为818℃的微晶玻璃,可满足4J29合金的封装,并表现出理想的封装性能。     

电站用12%Cr耐热钢热处理工艺与组织性能研究

通过对电站用12%Cr型马氏体耐热钢不同工艺热处理的组织性能研究表明,正火(1 020～1 070℃×1 h)+回火(760℃×2 h)或高温退火(1 050℃×1 h)+回火(760℃×2 h)工艺热处理后的组织为板条马氏体,硬度在CSN417134—1977要求范围内;等温退火(1 050℃×1 h→670℃、750℃、870℃)+回火(760℃×2 h)工艺热处理后的组织为板条马氏体+珠光体,硬度在标准要求范围内;不完全退火(850℃、870℃)工艺热处理后会得到深浅二区域组织,其中深色区域为颗粒状珠光体,浅色区域为铁素体+碳化物,并且试样的硬度低于标准要求的下限值。     

环氧树脂/酸酐体系的固化冷却工艺研究

利用差式扫描量热法和凝胶化试验,并借助外推法确定环氧树脂/酸酐体系样品的阶梯固化工艺。采用索氏萃取器方法,研究现有固化工艺和阶梯固化工艺以及现有冷却工艺和缓慢冷却工艺对体系的固化度的影响。结果表明:该体系的反应温度范围为79℃~193℃,固化温度范围为108℃~148℃,固化的峰顶温度为132℃。由此确定的阶梯固化工艺为:0.5 h内由室温升温至(110±2)℃,保温1 h;15 min升温至(130±2)℃,保温3 h;15 min升温至(150±2)℃,保温3 h。阶梯固化工艺、缓慢冷却工艺较现有固化工艺、现有冷却工艺均能提高环氧树脂体系的固化度。以阶梯固化工艺固化、缓慢冷却工艺冷却得到的环氧树脂体系的固化度可达到98.43%。     

用于辐射取向磁环1:7型稀土永磁材料的研究

本文介绍了 Sm(Co、Cu、Fe)_7和 Sm(Co、Cu、Fe)_7(50%wt)+Sm(Co、Cu、Fe、Mn)_7.5(50%wt)这两种辐射取向磁环的研制工制,比较了两者的磁性能这两种材料 I.Sm(Co,Cu、Fe)_7,Ⅱ.(50%wt)1-7+(50%wt)2-17Mn,均具有良好的工艺稳定性。其工艺如下:在中频感应炉中冶炼,然后振磨4.5～6.5h,粒度4.5～4.0μm,压型后,采用分级烧结:1180℃～1190℃(20min)→1200℃～1215℃(30min)→1170℃～1185℃(60min)→水淬,然后时效:800℃(30min)→600℃(2h)随炉冷至300℃方可出炉。(?)7.5×10mm 的小圆柱,磁性能 B_r=9500～9800Gs,H_(cj)5500～6000Oe,H_(BC)=5300～6000Oe,(BH)_(max)=19.5～23 MGOe,与2-17Mn 的磁性能接近。磁环:(?)35.3×(?)28×4,(?)31.6×(?)24.4×3.2,B_d=1800～2300Gs 都能满足用户的要求。     

掺Er 的2:17型温度补偿永磁材料的研究

本文就 Sm_(1-x)Er_x(Co_(0.76-y)Cu_yFe_(0.214)Zr_(0.026)_(7.42)温度补偿型永磁中 E_r 的掺入,Cu含量变化以及工艺条件(烧结温度,800℃等温时效时间)的改变对永磁磁特性,剩磁可逆温度系数的影响进行了初步的探讨。实验表明,Er 掺入2:17型 Sm-Co 永磁中引起了明显的温度补偿效应。当 x=0.3时,Sm_(0.7)Er_(0.3)(Co_(0.704)Cu_(0.056)Fe_(0.214)Zr_(0.026))_(7.42)永磁在-50～+50℃,+25～+100℃和-50～+100℃温度范围内的平均剩磁可逆温度系数αB_r 分别为+0.0027%/℃、-0.017%/℃和0.0068%/℃,其在室温下的磁性能是:B_r≥0.96T,H_(CJ)≥974.5kA/m,H_(CB)≥587.3kA/m,(BH)_(max)≥151.3kJ/m~3。     

闪电通道温度测量方法

针对自然界闪电通道温度特性研究的诸多局限性,通过将原子光谱理论与局部热力学平衡(LTE)模型应用于闪电光谱的研究,采用雷电冲击平台(ICGS)模拟闪电通道放电,对模拟闪电通道中红外波段光谱(930 nm)与可见光波段光谱(648.2 nm)的光谱能量进行计算分析。分析结果为:当模拟闪电通道电流为5~50 k A时,红外波段与可见光波段谱线的发光强度峰值与闪电通道电流呈正相关;闪电通道温度在6 140.8~10 424 K范围内变化,闪电通道内电流与其内温度具有较好的指数函数关系,且此函数与自然界中闪电通道电流和闪电通道温度关系具有较好的一致性。     

关于参数与偏差范围的表示

<正>1.数值范围:五至十可写为5~10;3×10~3~8×10~3,不能写成3~8×10~3。2.百分数范围:20%~30%不能写成20~30%。3.具有相同单位的量值范围:1.5~3.6 mA不必写成1.5 mA~3.6 mA。4.偏差范围:(25±1)℃不写成25±1℃;(85±2)%不写成85±2%。5.带尺寸单位的量值相乘,如50 cm×80 cm×100 cm,不能写50×80×100 cm或50×80×100 cm~3。     

L波段宽温隔离器

本文主要讨论在高场设计基础上,有效地运用温度补偿、宽频带匹配和磁屏蔽等技术措施,获得了具有宽温、宽带特性的隔离器,其典型性能是:频率范围为0.95～1.225(GH_z),工作温度为-55～+85(℃),正向损耗为0.64(dB),反向损耗为21(dB),输入电压驻波比为1.25,器件尺寸为31.8×31.8×19.1(mm)~3。较好地满足了微波整机对隔离器的宽温性能要求.