SPC技术在硅外延工艺中的应用

本文介绍了SPC技术在半导体硅外延工艺生产中的应用。统计过程控制(SPC:Statistical Process Control)技术是以数理统计为基础,对生产过程的关键工艺参数进行定量分析,得出工艺过程是否处于受控状态的结论。在硅外延工艺中通过SPC技术监控和调整工艺参数,预防了设备条件和环境条件波动造成的质量损失,同时很大程度上提升了产品的一致性和稳定性。     

SPC技术在硅外延工艺的应用

本文介绍了SPC技术在半导体硅外延工艺生产中的应用。统计过程控制（sSPC：Statistical Process Control）技术是以数理统计为基础,对生产过程的关键工艺参数进行定量分析,得出工艺过程是否处于受控状态的结论。在硅外延工艺中通过SPC技术监控和调整工艺参数,预防了设备条件和环境条件波动造成的质量损失,同时很大程度上提升了产品的一致性和稳定性。     

硅外延生产中SPC技术的研究成果

统计过程控制技术是以数理统计为基础,通过生产数据统计分析,对生产过程是否处于统计受控状态做出定量结论。控制图本身只是一种工具或手段,绘制控制图的目的在于管制制程在我们所期望的范围内,合乎经济原则来生产产品。文章通过在硅外延生产中采用科学的SPC监控案例,实现质量诊断、质量改进、质量评价的功能,最终达到了改善产品质量、提高生产效率和经济利润的目的。     

SPC在引线键合中的应用

SPC是英文Statistical Process Control的简称,其中文意思是统计过程控制。它的出现为引线键合过程中解决不稳定性的问题奠定了基础。引线键合的质量直接影响到传感器使用后的稳定性和可靠性。本文着重介绍利用SPC定量地判断生产过程中工艺是否处于受控状态以及解决产;锅失控状态的方法,较好地稳定了工艺的状态。通过不断地反映情况,分析、校对与改良,提高了产品的质量,降低了产品的不合格率。     

SPC控制图在保持架生产质量控制中的应用

为保障滚动轴承保持架产品质量,对保持架机械性能采取SPC控制图统计分析,制定生产过程预警线,实现了对注塑生产过程状态和质量的异常波动的报警,帮助公司降低因保持架机械性能不合格造成的经济损失,保证保持架产品质量品质稳定,增强了企业的市场竞争力.     

SPC技术在电子元器件生产过程中的应用解析

SPC技术由于可以提高电子产品的质量,受到了国内外厂家的普遍重视。电子元器件是精密设备,因而它对于质量的要求非常高。因此,在生产元器件的过程中,引入SPC技术,可以有效的提高元器件的生产质量。文章阐述了SPC技术的概念、实施的条件和在实践中的应用,这对于SPC技术的全面深入的实施具有重要的推动作用。     

分子束外延在基础研究及器件生产中的应用

1.引言分子束外延是基于一束或几束热能原子或分子束与结晶基底反应的超高真空薄膜技术。薄膜生长技术能够在尺寸控制非常精确的情况下制备出良好的晶体半导体层、金属层和绝缘层。利用这个技术有可能获得在天然晶体中所没有的一些电学和光学特性。这一技术在物理学和表面化学的研究及新型器件的研制中起着巨大的推动作用。     

SPC在测试设备管理中的应用

文章介绍了统计过程原理,提出了采用软件方法对测试设备进行质量控制的设想,通过软件实现测试设备质量管理,提高了测试设备计量保障的效率。     

硅外延发展趋势

本文综述了硅外延的三大发展趋势，指出降低外延温度是外延发展的迫切要求；同时比较了分子束外延（ＭＢＥ）、光能增强化学汽相淀积（光ＣＶＤ）、等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）、超高真空化学汽相淀积（ＵＨＶＣＶＤ）的优缺点，指出ＵＨＶＣＶＤ和ＰＥＣＶＤ二者合二为一是最具应用前景的方法。其次，论述了异质外延和ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格材料的应用前景。最后，论述了外延生长的原位监测和外延膜的测试技术。     

硅外延发展趋势

本文综述了硅外延的三大发展趋势，指出降低外延温度是外延发展的迫切要求，同时比较了分子速外延（ＭＢＥ）、光能增强化学汽相淀积（光ＣＶＤ）、等离子体增强化学上淀积（ＰＥＣＶＤ）、超高真空化学汽相淀积（ＵＨＶＣＶＤ）的优缺点，指出ＵＨＶＣＶＤ和ＰＥＣＶＤ二者合二为一是最具应用前景的方法。其次，论述了异质外延和ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格材料的应用前景。最后，论述了外延生长的原位监测和外延膜的测试技术。     

多品种小批量生产的SPC应用研究

综述了多品种小批量生产方式的特点以及该生产方式下SPC(统计过程控制)的应用现状,指出常规控制图不适用于多品种小批量生产的问题,提出结合通用控制图、累积和(Cumulative-Sum,CUSUM)控制图和指数加权移动平均(Exponentially Weighted Moving-Averages,EWMA)控制图的解决方法,并总结出该SPC方法用于处理多品种小批量生产中微小偏差的步骤。     

硅外延片晶体缺陷的研究

本文采用金相显微镜和X射线形貌术研究硅外延层晶体缺陷的问题。实验结果表明:外延层中存在有层错,其分布不均匀,并从X射线形貌相中分析出层错的形式。     

SPC在企业质量管理中的应用

随着市场竞争的日益激烈,越来越多企业逐渐认识到,产品质量是企业能否在激烈的竞争中取胜的关键,因此对质量管理提出了更高的要求。统计过程控制作为先进质量管理的重要工具,对预防产品在生产过程中产生缺陷起到至关重要的作用,从而使产品和服务稳定地满足客户的要求,提高企业的竞争力。     

利用UHV／CVD技术在双层多孔硅上外延硅研究

利用 UHV/CVD技术 ,在较低的温度下 ,在阳极氧化形成的双层多孔硅上 ,成功地生长了单晶性好、厚度均匀、电阻率分布合适的硅单晶外延层。这为进一步研制 SOI材料与器件提供了所需的薄硅外延层。     

利用UHV／CVD技术在双层多孔硅上外延硅研究

利用ＵＨＶ／ＣＶＤ技术，在较低的温度下，在阳极氧化形成的双层多孔硅上，成功地生长了单晶性好、厚度均匀、电阻率分布合适的硅单晶外延层。这为进一步研制了ＳＯＩ材料与器件提供了所需的薄硅外延层。     

硅基外延β-SiC薄膜在不同刻蚀气体中的等离子体刻蚀研究

用等离子体刻蚀（PE)工艺，以四氟化碳（CF4）和六氟化硫（SF6）以及它们与氧气（O2）的混合气体作为刻蚀气体分别对Si基外延生长的β-SiC单晶薄膜进行了刻蚀工艺研究。结果表明在同样刻蚀工艺条件下，以SF6＋O2作为刻蚀气体要比以CF4＋O2作为刻蚀气体具有更高的刻蚀速率；在任何气体混合比条件下经SF6＋O2刻蚀后的样品表面都不会产生富碳（C）表面的残余SiC层；而经CF4＋O2刻蚀后的样品表面是否产生富C表面残余SiC层则与气体混合比条件有关，但刻蚀后的样品表面更为细腻。文中还对不同刻蚀气体下的刻蚀产物进行了讨论比较。     

新颖的超高真空CVD外延设备与低温低压硅外延研究

为实现低温低压外延新工艺，建立了一台具有多项原位监控功能的新颖的超高真空CVD（chemicalvapordeposition）外延设备，并用此设备，（100）和（111）硅片分别在550℃和650℃下由硅烷热解法成功地生长了硅外延层。高分辨率的横断面透射电镜（XTEM）照片表明，低温硅外延层中存在一些缺陷，这些缺陷都由衬底表面引起的，然后扩展进入外延层。此外，衬底｛100｝Si和｛111｝Si因晶向不同，不仅获得外延层所需的最低温度不同，而且外延层中的缺陷特征差异也很大。     

试验分析钾硅肥在水稻生产中的应用效果

通过试验,分析其应用效果并找出适合本地区水稻栽培施用钾硅肥的最佳用量。     

硅液相外延的溶剂选择

本文系统综述了硅液相外延中对各种溶剂的选择，重点叙述了Ｃｕ、Ｇａ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ等纯金属及Ａｇ基、Ａｕ基、Ａｌ基合金作为溶剂，对硅液外延薄膜的影响，最后指出只要根据器件对外延层及工艺成本等的要求，可以找到适当的溶剂材料进行硅液相外延。