多晶氧化铝透明陶瓷制备工艺研究

主要探讨湿法成型多晶氧化铝透明陶瓷（以下简称PEA）过程中,球磨工艺、掺杂方式及烧结温度对PCA的显微结构及光争性能以及对陶瓷金属卤化物灯的光色参数的影响。实验表明：球磨时间过长（超过200h）会导致原粉料颗粒的球形度被破坏,使PCA晶粒多为条状;以Mg作为掺杂元素时,较之固态MgO,液态Mg（NO3）2更易于混料的充分,当掺杂Mg不均时,晶粒发生异常长大,反之晶粒尺寸较均匀;烧结温度对晶粒尺寸起着决定性的作用,随着烧结温度的升高,晶粒明显增大。单位体积样品其晶粒尺寸越大,晶界的数量越少,入射光在晶界处发生的散射、折射减弱,从而PCA的透过率得到提高;当PCA具有较高透过率时,陶瓷金卤灯电弧管的温度下降,光效明显提高。     

陶瓷金卤灯发展的关键——多晶氧化铝陶瓷泡壳（上）

本文简述了陶瓷金卤灯的特征特性，分析了灯对陶瓷材料的要求，对比了某些陶瓷材料的结构成分及对陶瓷灯的影响，对国产陶瓷材料及泡壳进行了分析研究并给出了部分分析结果。     

高压钠灯用氧化铝透明陶瓷的进展

为进一步提高高压钠灯性能 ,延长寿命 ,制造高质量的氧化铝透明陶瓷管至关重要 ,获得高纯度和一定粒度级配的氧化铝原料也是必不可少的。1　氧化铝原料的发展为了使陶瓷管有好的透光率 ,其原料必须采用高纯、超细氧化铝粉。目前国内外制备上述氧化铝粉的方法很多 ,主要有 :硫酸铝铵热分解法、铝醇盐加水分解法、金属铝水中火花放电法、碳酸铝铵热分解法、改进的拜尔法等。作为规模化生产 ,国内目前仍以硫酸铝铵热分解法为主。在国外 ,除大量采用硫酸铝铵热分解法外 ,铝醇盐加水分解法亦已商品化 ,并得到广泛的应用。其中 ,日本住友化学工业…     

陶瓷金卤灯发展的关键——多晶氧化铝陶瓷泡壳（下）

（续上期）2陶瓷金卤灯电弧管壳的原材料 目前陶瓷金卤灯电弧管管壳均采用高纯Al203制成。为制造符合要求的陶瓷金卤灯电弧管，Al203粉体的纯度要求在99．99％以上，其中几种主要杂质必须限制在规定含量以下。半透明陶瓷电弧管壳中的主要杂质含量指标见表4。     

整体式半透明氧化铝陶瓷灯泡泡壳材料的制备工艺技术

分析陶瓷金属卤化物灯性能和市场需求;较详细地分析整体式半透明氧化铝陶瓷泡壳的生产技术;介绍陶瓷泡壳的注浆成形技术,对其特点进行阐述.     

采用粉末注射成形制备陶瓷金卤灯用半透明氧化铝电弧管

采用粉末注射成形(Powder Injection Molding,PIM)工艺制备陶瓷金卤灯(Ceramic Metal Halide,CMH)用半透明氧化铝电弧管,介绍陶瓷管的结构设计,并对相应的PIM工艺进行研究,分析材料的显微结构,测试材料的光学性能,并对制备的电弧管进行了装灯测试和性能评估。     

真空中氧化铝陶瓷表面耐压试验研究

为提高真空中陶瓷绝缘子的整体耐压水平．对真空中氧化铝陶瓷的沿面闪络行为进行研究,选用95氧化铝陶瓷和掺锰铬氧化铝陶瓷进行表面耐压试验,结果表明：测试过程对陶瓷绝缘子沿面闪络电压有较大影响;在相同条件下,掺锰铬瓷的沿面耐压能力明显比95氧化铝陶瓷高;同时,真空中原始表面较磨加工表面具有更高的耐压强度。     

氧化铝陶瓷典型缺陷结构对电场分布的影响研究

在高电压环境下,显微缺陷结构的存在会导致绝缘材料内产生电场畸变,是影响氧化铝陶瓷绝缘强度的重要因素之一。为了研究高电压环境下氧化铝陶瓷典型缺陷结构对材料内电场分布的影响,建立了包含缺陷结构的细观陶瓷结构模型,并采用有限元软件分析了晶粒尺寸、玻璃相以及气孔的存在对电场分布的影响规律。结果表明：晶粒尺寸对电场畸变程度的影响较小,而玻璃相的存在对电场畸变程度的影响较大。玻璃相对电场畸变的影响与晶界方向有关,晶界与电场方向夹角越大,玻璃相处的电场畸变程度越大。与晶粒尺寸和玻璃相的影响相比,气孔缺陷的存在对氧化铝陶瓷内部电场畸变的影响最大,其中,晶粒内气孔导致场强最大值提高了46.8%,而晶界处的气孔导致场强最大值提高一倍以上。气孔尺寸对电场畸变的范围影响较大,而对场强最大值的影响较小。     

表面激光处理对氧化铝陶瓷真空中闪络特性的影响

真空中高电场下沿固体绝缘材料表面的闪络现象与材料的表面状况密切相关.本文利用CO2激光器刻线的方法调整氧化铝陶瓷的表面状况,激光刻线的密集程度取为(10~50)线/5mm,通过调整激光能量刻线深度的范围为0.05～0.25mm.实验结果发现,经激光处理的氧化铝由于热作用在表面形成线状的连续凹坑,其闪络电压会发生明显变化.当激光刻线的密度与深度调节得合适、刻线后的陶瓷表面为规则的微观形状貌时,材料表现出较好的表面耐电特性.依照本文的刻线工艺,刻线密度越大,刻线效果越好,则闪络电压越高.当刻线密度为50线,深度为0.2mm时,氧化铝陶瓷表现出最为规则的表面微观形貌,完全由均匀连续的凹坑覆盖,此时闪络电压达到最高值.基于此,本文认为可以用材料表面微观形状的均匀性来表征和调控其闪络特性.     

热处理对氧化铝陶瓷耐盐酸腐蚀性的影响

研究了氧化铝陶瓷分别在800℃、1 000℃和1 200℃热处理后的耐盐酸腐蚀性。结果表明:实验过程中样品的晶相稳定,不会出现第二相,且热处理对氧化铝陶瓷的耐盐酸腐蚀性有改善作用。较高温度热处理能够改变样品的气孔率等,改善样品的致密度,从而在盐酸腐蚀过程中使样品与盐酸的反应减缓,提高样品的耐盐酸腐蚀性。     

弯曲电极结构对真空中氧化铝陶瓷沿面闪络耐压的影响

氧化铝陶瓷以其良好的绝缘性能广泛应用于高压真空器件,起到绝缘和支撑作用,但氧化铝陶瓷的沿面闪络现象严重制约了其耐压性能。分析了阴极金属-陶瓷-真空三结合处电场局部增强的原因,对阴极金属电极结构对柱状氧化铝陶瓷三结合处电场分布影响进行了仿真和单次脉冲耐压试验研究,给出了不同电极情况下,氧化铝陶瓷的耐压结果。结果表明,弯曲电极结构能有效减弱氧化铝陶瓷三结合处的电场强度,并且随着金属电极弯曲长度的增加而明显减小;相对于平板电极,弯曲电极的平均最高耐压提高了45%。     

环氧液晶接枝氧化铝/环氧树脂复合材料的制备与热性能

将支化环氧液晶接枝到氧化铝纳米颗粒表面,再将其加入到环氧树脂中制备成复合材料,并对环氧液晶接枝氧化铝/环氧树脂复合材料的热性能进行研究。结果表明:加入环氧液晶接枝氧化铝纳米颗粒后,环氧树脂复合材料的导热系数从纯环氧树脂的0.16 W/(m·K)提高到BLCE-g-Al2O3含量为30%时的0.238 W/(m·K),增加了48.75%;复合材料的初始储能模量比纯环氧树脂的初始储能模量提高了181 MPa,玻璃化转变温度提高了24℃。随着Al2O3填充量的增加,复合材料的热膨胀系数逐渐减小。     

过渡族金属掺杂ZnO薄膜的晶体结构和磁性能

采用电子束蒸发法制备了过渡族金属(Fe、Co、Cu)掺杂ZnO薄膜。分析和研究了衬底温度以及Cu掺杂量对薄膜相结构的影响,获得沿c轴高度择尤取向的高质量ZnO薄膜。采用原子力显微镜(AFM)观察薄膜的显微结构,利用所得的图象信息对薄膜进行分析,发现400℃的衬底温度对硅衬底薄膜是合适的,与XRD分析相吻合。通过对薄膜磁性能的分析和研究,得出一些有意义的结果:适量Fe、Co离子掺杂的ZnO薄膜,在室温下具有铁磁性,而在此基础上掺入少量的Cu离子能改善薄膜的磁性能。     

钛酸锶陶瓷烧结的研究进展

钛酸锶陶瓷电容具有高储能、低损耗、高稳定性等优点,但烧结温度高,烧成密度低.依据国内外钛酸锶陶瓷烧结的研究情况,综述了影响钛酸锶陶瓷烧结中的两大因素,即烧结工艺和烧结助剂等方面的研究进展,并对其进行了展望.     

基于面向对象技术变压器结构特征的研究

采用面向对象的设计方法，利用则ObjectARX2000和MFC类库的结合，建立特征类及构件间的约束关系，设计变压器结构的特征造型，并获得变压器的结构方案。     

纳米Gd2O3掺杂对WO3基陶瓷电学行为的影响

采用传统电子陶瓷工艺制备纳米Gd2O3掺杂的WO3陶瓷,对其电学行为进行研究,分析了显微结构与其电学行为的关系。结果表明,小剂量的纳米Gd2O3掺杂能明显改善WO3陶瓷的非线性电学特性,这种影响被认为是元素替代和由此而引起的晶粒尺寸减小共同作用的结果。当掺杂量为50(摩尔分数,下同)时,Gd2O3和WO3发生固相反应生成Gd2(WO4)3相,该相导致WO3相减少甚至消失,这是导致WO3陶瓷非线性电学行为消失的主要原因。     

AF9M1对KNN基陶瓷的结构与压电性能的影响

采用传统固相烧结法制备了K0.5Na0.5Nb O3-x Al(Fe0.9Mn0.1)O3(KNN-AF9M1)无铅压电陶瓷,着重研究了AF9M1的不同掺杂量(x分别为0,0.02,0.04,0.06,0.08)对陶瓷显微结构和压电性能的影响。结果表明,室温下,少量AF9M1的掺杂并未改变KNN基陶瓷正交相钙钛矿结构,但有助于陶瓷晶粒的生长及致密化。随着AF9M1含量的增加,陶瓷的压电常数(d33)、机电耦合系数(kp)、机械品质因数(Qm)和居里点(Tc)均先增大后减小,当x=0.04时,均达到最大值,分别为121 p C/N、0.35、179和392℃。     

煅烧及酸洗高岭土结构与性能的研究

本文叙述了煅烧高岭土的主要作用,探讨了最佳煅烧温度和时间,研究了煅烧温度和时间对高岭土晶体结构的破坏程度以及性能之间的关系.对于煅烧高岭土能改善PVC电缆料的电气绝缘性能给予了合理的理论解释,提出了煅烧高岭土可以兼作PVC树脂热稳定剂的说法.