激光自蔓延连接CFRTP/铝接头微观形貌及形成机理

为了研究碳纤维复合材料（CFRTP）与金属的高效焊接，采用激光诱导Al-Ti-C粉末中间层自蔓延反应的方法，对碳纤维复合材料与铝进行了异种连接实验，分析了中间层自蔓延反应形成焊缝的反应机理、CFRTP/铝连接接头的微观界面和形成机理。结果表明，激光照射使中间层温度升高至933K左右时自蔓延反应开始进行，铝元素熔化并包裹住固态Ti发生反应，生成Ti-Al系化合物，在高温下化合物继续和Ti元素反应生成TiC并释放热量；同时，单质Ti与C也发生反应生成TiC并释放热量，反应产生的热量继续维持下一层面的反应，直至整个中间层反应结束形成良好的"焊缝"；这些热量使得中间层左右两侧母材发生微融再次挤压成型形成质量良好的连接接头。激光诱导Al-Ti-C中间层自蔓延高温合成连接方法可以实现CFRTP/铝的高质量连接，对实现交通工具结构轻量化是有帮助的。     

复阻抗法验证凸极同步电机双反应理论研究

本文从同步电机电感和电枢反应磁势出发，推导单相交流供电在转子静止且无励磁时纯直轴、纯交轴，以及一般电枢反应状态下的电压方程和复阻抗，确定验证双反应理论的复阻抗关系，从而通过实验测量验证双反应理论的有效性。该方法也可以作为同步电机电感参数测量方法，有助于深入理解双反应理论和同步电机运行规律。     

双反应区激光制粉实验装置的研制

提出了双反应区的新构思，研制出双反应区激光制粉实验装置。以５ｋＷ大功率ＣＯ２激光器为能源，以六甲基二硅胺烷为原料，对新装置进行了评价。结果表明，与单反应区实验装置相比，双反应区实验装置可成倍提高激光能的利用率和粉末的制备产率。     

从印刷电路板腐蚀液中回收铜的工艺探讨

本文采用铁屑置换回收印刷电路板腐蚀废液中的铜，考察了不同反应条件对反应回收率的影响，从而选择出最佳反应条件。     

弱强度微波与液相小分子基元反应体系相互作用中非热效应的机理初探

微波与化学反应体系相互作用中是否存在非热效应，这是一个争论不休的问题。本文结合分子化学反应动力学从理论上证明弱（设E数量级为103V／m）微波与液胡小分子基元反应体系相互作用中不存在非热效应。此中要求反应体系组元物质的μ=μ0。但不排除其中个别反应类型，机理奇特，超出本论文所涉猎的范围，或许存在非热效应。对于复杂反应，如大分子反应、固相反应，特别是生物体中的生物化学反应，尚须研究，不排除其中微波非热效应存在的可能性。     

MOCVD生长GaN的两种反应机制

用ＭＯＣＶＤ生长ＧａＮ的过程中，由于ＮＨ３与ＴＭＧ化学性质的巨大差异，以及通常１０００℃以上的生长温度，使得其中反应过程比较复杂，且多种反应并存文章首先这样一个多元体系运用原子系数矩阵，计算出反应体系中存在的独立反应方程，得到两组代表不同反应机制的独立反应。描述了两组反应的主要特征。计算了ＮＨ３为氮源，以ＴＭＧ为镓源，ＭＯＣＶＤ生长ＧａＮ过程中各种热力学平衡参数。由计算结果知，ＮＨ３的不彻底分解的     

大容量氢氯化反应FBR解决方案

极特先进科技公司（GT Advanced Technolo-gies Inc．）（NASDAQ：GTAT）日前宣布推出新的大容量氢氯化反应解决方案，该方案能够在单一的氢氯化反应流化床还原炉（FBR）中生产足够的三氯硅烷（TCS），为年产能超10000吨的多晶硅工厂提供支持。这种新型解决方案无需多个氢氯化反应流化床还原炉，因而可将各工厂拥有成本较当前的三氯硅烷生产方法降低20％。氢氯化反应FBR解决方案还包括极特新一代氢氯化反应加热器，可将氢氯化反应FBR的转换率从27％提高到30％，从而进一步节省成本。     

关于SMT焊点后置反应问题的探讨

叙述了ＳＭＴ焊点的后置反应现象。对后置反应产生的原因，以及ＳＭＴ焊接工艺参数对ＳＭＴ焊点后置反应的影响，进行了一些探讨。同时提出了实际生产中避免与减小后置反应危害的工艺措施。     

声化学反应器的冷却降温技术

介绍了一种声化学反应器冷却降温技术，并以自来水作冷却介质和反应介质进行了试验。结果表明，冷却介质流量越大，反应介质温度上升越缓慢，达到温度平衡所需时间越短，温度增量越小。没有冷却介质时，反应介质温度达到平衡约需180min，温度升高约30℃；冷却介质流量为160L／h时，反应介质温度达到平衡约需30min，温度仅升高约4℃。     

对烷氧基芳羧酸酯类液品合成中烷基芳香醚的酰化反应研究

本文讨论了对烷氧基芳羧酸酯类液晶合成中间体对烷基芳基醚的酰基化反应，研究发现在乙酰氯和无水三氯化铝作用下，同时存在醚裂解反应与酰基比反应，对于醚裂解反应机理进行了讨沦。     

耐反应离子刻蚀的紫外激光光致抗蚀剂的研究

以芳香族双迭氮基化合物为交联剂，苯氧基二苯甲酮为光敏剂，聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）为基质树脂，合成了负型激光光致抗蚀剂。该体系能够在氮分子激光辐照下发生灵敏的光致交联反应，所生成的致密薄膜可以耐四氟化碳等离子体的反应离子刻蚀（ＲＩＥ）。用付里叶变换红外光谱法与紫外光谱法研究了激光光致交联反应以及反应离子刻蚀的动力学过程。讨论了影响反应速率以及刻蚀选择比的诸因素。     

降低热预算引起污染

设备制造商和晶圆厂在运营上一直在寻找降低热预算的方法，这样可以提高生产率，降低原材料、设备以及能源的消耗。例如：对于某些外延工艺，工程人员设法在降低反应温度的同时，满足薄膜性能的苛刻要求。这意味着外延工艺将在更快的过程转换中完成，而不是像很多年前，必须将反应腔温度稳定在1000℃以上。然而，随着反应温度的降低，工程人员也发现，在反应腔、压力容器，晶圆输送盒，甚至晶圆上出现了以前没有过的污染物。因此，用户需要开发出可以密切监控污染物的检测方法。     

激光诱导马来酸双氧水溶液制备苹果酸的光化学反应

以XeCl激光作为光源，研究了激光诱导马来酸双氧水溶液的反应，在一定的反应时间内，马来酸全部转化，反应得到苹果酸，乙醛酸和草酰乙酸等有机酸，对该光化学反应的机理进行了讨论。     

激光CVD纳米氮化硅的制备工艺研究

研究了激光诱导化学气相沉积纳米氮化硅的制备工艺过程，探讨了制备工艺参数与粉末特征的关系，获得较佳的工艺参数：激光功率密度２０００Ｗ／ｃｍ２，反应气体配比ΦＮＨ３／ΦＳＨ４＝４，反应气体总流量２００ｃｍ３／ｓ，反应池压力３５ｋＰａ。     

负性化学放大胶的光刻模型及模拟

在Ferguson的负性化学放大胶（CAR）后烘反应动力学模型基础上，增加了后烘过程中光致酸扩散模型，通过后烘模型的简化，得到了简化的后烘反应扩散动力学模型。将模拟图形与Ferguson的实验图形进行了比较，结果显示，简化的后烘反应扩散动力学模型比单纯的后烘反应动力学模型更准确，且程序运行占用的电脑资源更少。另外，通过不同曝光时间下的显影过程模拟，清晰地反映了光刻胶显影的过程，其结果与实际相符，对实际光刻工艺有较好的参考意义。     

斜坡式污水处理工艺——低廉、效果良好的污水处理工艺

一、斜坡式反应池处理系统简介 斜坡式反应池主要是充分利用自然土质建造将反应池修筑成坡式池壁，甚至在士坡上铺设土工布来修建反应池从而达到节省反应池造价的目的；在运行程序方面采用连续进水、间歇曝气的方式。主要特点是：同时具有SBR法和氧化塘工艺的优点；运行管理方便；流程简单，构筑物很少，占地面积少；设备最简化；造价低廉。     

硅橡胶的硫化机理研究

本文综述了硅橡胶硫化反应的动力学机理和硫化反应动力学的研究方法和手段，介绍了各种不同的硫化反应机理及其相应的动力学模型，列举出硅橡胶硫化反应的动力学方程。并重点阐述了硅橡胶硫化动力学的物理化学法和硫化仪法，在研究过程中将两者结合，最后对其结果进行综合分析。     

PCR生物芯片微反应腔的制作及其热分析

在PCR生物芯片的制作过程中，微反应腔制作是关键部分之一。本文利用硅基微机械加工工艺，分别采用湿法化学腐蚀、干法等离子体刻蚀及两者相结合的方法进行了微反应腔的制作。通过扫描电镜分析，证明干法和湿法腐蚀相结合的制作工艺能加工出较理想的微反应腔体。本文还利用ANSYS软件对微反应腔进行温度分布和热特性分析。     

LIVCD法制备纳米氮化硅粉末工艺参数对粉体特征影响的研究

激光诱导气相沉积法是制备纳米氮化硅粉末的主要方法之一。在制备纳米粉体过程中，各工艺参数的变化对粉体特征有很大的影响。在激光制Si3N4纳米粉中基本的运行参数有：激光强度(I)，反应池压力(P)，反应火焰温度(T)，反应气体配比(ΦSiH4/ΦNH3)，反应气体流速(V)等。通过实验研究了各个工艺参数对粉体特征的影响并分析了其影响的原因。     

EM环氧树脂体系中温固化反应动力学研究

介绍了一种以594为主固化制的中温固化环氧树脂体系（EM），对该体系的反应机理进行了探讨，并采用DSC分析法对体系的固化反应热动力学进行了研究，研究表明，促进剂M对594固化的环氧体系具有明显的促进作用，EM体系的热固化反应活化能为84.8KJ/mol，固化反应的反应级数为0.849。