O_2/Si(100)非重构表面相互作用过程的准经典轨迹研究

采用准经典轨迹计算方法对双原子分子O2与非重构Si（100）理想表面的散射过程进行了动力学研究。计算结果解释了氧分子与半导体表面相互作用中的能量传递机理，验证了前面工作所得到的LEPS半经验模型势的合理性。     

O2／Si（100）非重构表面LEPS相互作用势模型

对双原子分子Ｏ２与非重构Ｓｉ（１００）表面相互作用的ＬＥＰＳ半经验势模型进行了研究，其中表面作为具有波纹度的刚性表面进行处理。确立了系统的势能超曲面，得到的表面吸附特性Ｐ、Ｖ、Ｓｍｉｔｈ等人基于ＡＳＥＤ－ＭＯ方法的研究结果进行了定量对比分析。对不同入射条件下的分子－表面相互作用势也进行了研究。     

O_2/Si(100)非重构表面LEPS相互作用势模型

对双原子分子O2与非重构Si（100）表面相互作用的LEPS半经验势模型进行了研究，其中表面作为具有波纹度的刚性表面进行处理。确立了系统的势能超曲面，得到的表面吸附特性与P．V．Smith等人基于ASED－MO方法的研究结果进行了定量对比分析。对不同入射条件下的分子－表面相互作用势也进行了研究。     

N_2/Fe(100)相互作用的动力学研究

用准经典轨迹法对N2－Fe（100）系统进行了研究，分析了氮分子在Fe（100）面上的直接散射和离解性吸附等过程中的能量传递和重新分配，阐明了表面催化的机理。作为准经典轨迹法更为深入的应用，研究了主要LEPS势参数和势特性对初始离解吸附几率（S0）的影响，得出了S0随势特性变化的规律。     

O_2/Si(100)-2×1重构表面相互作用过程的动力学研究

对双原子分子O2与Si（100）－2×1重构表面的相互作用过程进行了动力学研究。建立了相互作用系统的LEPS势能超曲面，并在此基础上采用准经典轨迹方法计算了不同特征吸附位上的分子运动轨迹，得到了与理想表面模型相比更为合理的表面吸附特性。     

H2分子在Ni（100）,（110）,（111）单晶表面吸附研究

本文采用改进模型势方法，计算了Ｈ２分子在Ｎｉ（１００）、（１１０）、（１１１）单晶表面解离吸附的反应途径与位能面。通过对比研究，讨论了氢分子在镍三种单晶表面解离吸附的反应途径和位能面的一般规律与趋势。     

硅、锗材料在Si（100）表面的生长研究

利用扫描隧道显微镜和超高真空实验装置系统进行了Si（100）表面生长Si，Ge的实验研究。分析了所生成表面的形貌、结构等物理性质。研究表明：Si在Si（100）表面的同质生长可以形成纳米结构薄膜。Ge在Si（100）表面生长形成规则的三维小岛，而在Si/Ge/Si（100）多层膜上生长则形成大小二种三维岛，研究表明大岛具有Ge/Si/Ge的壳层结构。     

Si3N4／Si表面Ge生长过程的STM研究

利用STM和LEED分析了Ge在Si3N4/Si(111)和Si3N4/Si(100)表面生长过程的结构演变,在生长早期,Ge在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇,这些团簇的大小均在几个纳米范围内,并在高温退火时积增大,当生长继续围内形成以（111）方向为主的晶面,相反,在非晶的Si3N4表面,Ge的（111）晶向的小面生长比其他方向优先,最后在大范围内形成以（111）方向为主的晶面,相反,在非晶的Si3N4表面,即Si3N4/Si(100),Ge晶体的高指数侧面生长较顶面快,最终形成金字塔形的岛结构,对这样的表面生长过程进行了探讨给出合理的物理解释。     

Cs／p—GaAs（100）表面的变角XPS研究

在实验数据的基础上，采用变角ＸＰＳ分析表面层状结构的计算程序，应用了新算法，使该程序能快速可靠地计算多层多种组分的含量和层厚度。计算了Ｃｓ吸附在清洁ｐ－ＧａＡｓ（１００）表面上的Ｃｓ层覆盖率及弛豫层的厚度和组分。在Ｃｓ／ＧａＡｓ达到峰值光电发射时，Ｃｓ覆盖率为０．７１个单层，Ｇａ、Ａｓ弛豫层厚度为２．３个单层，Ｇａ相对．Ａｓ轻微富集。     

非离子表面活性剂Triton X-100与预交联凝胶颗粒的相互作用

研究了非离子表面活性剂Triton X-100在调堵剂预交联凝胶颗粒(PPG)上的吸附和脱附特性,其吸附等温线符合Langmuir型吸附,吸附在颗粒上的表面活性剂能够被后续注入水逐渐洗脱下来,仍然可以提高原油采收率。利用激光粒度仪研究了Triton X-100对PPG膨胀性的影响规律,发现吸附后PPG的粒径减小。稳态和动态流变性实验研究表明,随着Triton X-100浓度的增加,溶胀后的PPG逐渐表现出假塑性流体特征,储能模量逐渐降低,PPG的注入性和运移性得到提高。     

Zr2O（PO4）2的合成及其对 Th（郁）的吸附性研究

本文采用溶液法合成磷酸盐 Zr2O(PO4)2,锆离子和磷酸根采用1：1的比例混合,制得白色粉末状样品 Zr2O(PO4)2;采用静态法研究 Th（Ⅳ）在 Zr2O(PO4)2上吸附行为及规律：探讨振荡时间、液固比、水相 pH、离子强度（KNO3）、阴离子（NO3-、PO43-、SO42-）对 Zr2O(PO4)2吸附 Th（Ⅳ）的影响,测得在相同离子强度（KNO3）不同温度下的吸附、解析等温线。     

两种势下的Si(100)表面重构及二聚体形成过程的分子动力学模拟

分别采用Tersoff势与S-W势对不同温度下Si(100)面重构情况进行分子动力学模拟,找出了这两种势函数下发生重构的温度范围,进而采用S-W势对几种典型情况进行模拟研究.结果发现,二聚体形成前后的温度、内能会出现明显变化,高温时重构速度快但效果较差且不稳定,会形成吸附单体.原子间距为0.33nm左右是二聚体形成的关键距离.     

NO在Ru（1010）和Cs／Ru（1010）表面上吸附的ARUPS研究

１５０Ｋ的低温下，ＮＯ在清洁的Ｒｕ（１０１０）表面的吸附，Ｈｅ－Ⅱ－ＡＲＵＰＳ显示在Ｅｆ以下９．３ｅＶ（σ＋１π）和１４．６ｅＶ（４σ）处有两个峰，表明ＮＯ在Ｒｕ（１０１０）表面上是分子吸附。     

Si（100）-（2×1）表面上Si薄膜生长的模拟

本文在分析表面扩散各向异性、二聚体和二聚体列影响的基础上,建立了Si（100）-（2×1） 表面上Si薄膜生长的Kinetic Monte Carlo（KMC）模型,利用该模型对薄膜生长的初始阶段进行了研究.结果表明：吸附原子的扩散距离随温度的变化满足指数函数L=L0Ae^T/C.在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高.随入射率的减小,薄膜逐渐从离散生长向紧致生长转变,表面扩散的各向异性越显著.