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相似文献
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1.
PZT/Si界面氧化反应机理及动力学研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
运用俄歇电子能谱深度剖析和线形分析研究了PZT/Si界面氧化反应的机理和动力学过程,研究结果表明,在PT/Si样品的热处理过程中,环境气氛中的氧可以透过PZT薄膜层扩散到PT/Si界面,并与硅基底反庆形成SiO2界面层,界面氧化反应由氧在PT层和SiO2层中的扩散过程所控制。  相似文献   

2.
运用XPS和AES研究了PZT膜/Si在热处理过程中的薄膜及界面化学反应;在热处理过程中,气氛中的气通过PZT的缺陷通道扩散到PZT/Si同旧,并与界面上的硅发生氧化反应形成SiO2界面层。同时基底上的硅通过PZT的缺陷扩散么样品表面形成SiO2表面层。此外,在PZT/Si界面上,Ti的氧化物和Si发生还原反应,形成了TiSix金属硅化物,并残留在PZT膜层和和SiO2界面层中。在PZT膜层内,有  相似文献   

3.
SiC纤维补强微晶玻璃基复合材料的界面结合   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文通过SiC纤维对LCAS(Li2O-CaO-Al2O3-SiO2)和MAS(MgO-Al2O3-SiO2)微晶玻璃的补强,观察和分析了在不同复合系统中纤维与基体的界面结合。在SiC纤维/LCAS微晶玻璃复合系统中,发现纤维与基体之间有一中间界面层,它主要是在复合材料的烧结过程中通过扩散形成,并且于1200℃时在界面上形成富C层。SiC纤维/MAS微晶玻璃基复合材料由于在烧结过程中有化学反应发生  相似文献   

4.
SiC/Fe-Cr合金界面反应的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
使用XRD、EMPA和 SEM等对 900~1150℃高温处理后的SiC/Fe-20Cr合金界面反应区的显微结构和反应动力学进行了研究.界面反应区分为SiC反应区和金属反应区两部分:SiC反应区由组成为FeSi、CrSi和Cr的白亮基体和其间随机分布的细小石墨颗粒构成;金后反应区则是一个由(Cr;Fe)构成的均匀组织。SiC/Fe-20Cr合金界面反应为扩散控制,反应动力学方程为 K=1.9×10-4exp((-235×10)/RT)m·s-1.金属反应区介于SiC反应区和合金之间,阻挡合金中的Fe原子通过它向SiC反应区中扩散,抑制界面反应,这种作用随合金中Cr含量的增加而加强.  相似文献   

5.
Al/SiC复合材料界面反应的DTA研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文以多层膜模拟复合材料界面反应,用DTA及XRD研究了TiC,Al2O3和SiO2作为Al/SiC体系的反应阻挡层的作用.发现经700℃,1h处理后,Al2O3不与Al或SiC反应,有很好的阻挡作用;TiC与Al反应生成TiAl3后也能阻止Al与SiC的反应;SiO2与Al反应,导致一定数量的Si溶入Al中,是否起阻挡作用有待进一步分析.  相似文献   

6.
利用俄歇电子能谱研究了Cr/SiO2薄膜在热处理过程中的界面扩散反应机理、界面反应动力学过程及界面反应产物。研究结果表明,Cr/SiO2体系的界面还原反应主要是Cr与SiO2的反应,其还原反应产物是CrSix和Cr2O3物种。界面还原反应的速度与反应时间的平方根成正比,其界面还原反应过程受Cr向SiO2层的扩散过程所控制,界面还原反应的表观活化能为72.5kJ/mol(约0.75eV)。  相似文献   

7.
烧结致密的α-SiC在静态空气气氛中经1200℃×10h氧化,在其表面形成一层致密的氧化膜,该层氧化膜具有β-方石英晶体结构.氧化膜的生长由O2通过SiO2晶格间隙的扩散控制. SiC/Fe界面反应剧烈,界面稳定性极差. SiC表面氧化能有效阻挡该界面反应,提高其稳定性. 900℃以下长时间保温,氧化 SiC/Fe界面十分平直,无明显反应的迹象,界面十分稳定.但随着温度的升高,界面稳定性越来越低,在局部区域内开始发生反应,并逐渐扩展到整个界面,最终导致氧化膜遭到破坏,失去阻挡界面反应的作用.氧化膜与SiC、Fe热膨胀系数不匹配所造成的应力集中,以及氧化膜中存在的孔隙可能是导致氧化膜在热处理过程中遭到破坏的主要原因.  相似文献   

8.
界面结构对SiCf/Al复合材料性能和声发射行为的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
运用高分辨场发射扫描电镜(FE-SEM)和声发射(AE)测试研究了SiC纤维铝基复合材料的不同界面组成和界面产物及其对复合材料性能和AE行为的影响发现富碳自理的SiCf/Al生成Al4C3脆性界面,在伸过程中界面脆断产生许多中幅AE信号,而富SiO2处理的SiCf/Al生成韧工较高的富氧产物,界面强度较高,在形变过程中不易发生界面断裂,不产生中幅AE信号。  相似文献   

9.
本文研究了SiC晶须增韧氧化物陶瓷基复合材料中的晶须/基体界面结构性质及其在补强增韧作用中的作用机制。TEM观察结果表明:复合材料中的SiCw/Al2O3、SiC2/ZrO2(2Y)和SiCw/ZrO2(6Y)界面结合致密,在分析电镜下未发现明显的界面过滤层或界面相,由于膨胀失配而受拉应力作用的界面基体一侧往往成为微裂纹形核的有利部位,ZrO2中t-m相变的体积膨胀效应可以抵消这种热应力,调整基体  相似文献   

10.
利用同步辐射X射线对Cr/SiO2系统进行了反射率测量。得到了信噪比非常好的反射率曲线,通过对实验数据进行傅立叶变换和最小二乘法拟合得到了Cr膜的厚度经及Cr膜与SiO2衬底界面的粗糙度。结果表明,该方法对精确测定界面的粗糙度非常有效。  相似文献   

11.
硼酸铝晶须增强ZL109Al复合材料的界面反应性   总被引:7,自引:1,他引:6  
采用挤压铸造法制取了硼酸铝晶须增强ZL109复合材料。利用高温DSC,XRD和SEM对复合材料界面反应进行了分析。研究表明,9AI2O32B2O3W/ZL109复合材料界面反应的发生取决于合金元素和复合材料经历的温度,Mg是影响界面反应的一个主要因素,其与硼酸铝晶须相互作用生成界面产物MgAlO2,AI能够与晶须发生反应,O对界面反应起促进作用,而Cu,Ni则不参与界面反应,制约界面反应的另一主要  相似文献   

12.
用高温高压方法合成了Sr2SiO4:E3+u,Bi3+和SrSiO3:Eu3+,Bi3+研究了合成压力对其发光性能的影响,与用溶胶-凝胶共沉淀法和常压高温法合成的产品作比较.常压制备的SrSiO3:Eu3+,Bi3+为六角结构,而在2.34—4.10GPS的合成压力范围内,它转变为反正交结构;常压下Sr2SiO4:Eu3+,Bi3+为单斜结构,在4.2GPa的合成压力下,未发现其结构相变.高压合成产物的发光强度和相对量子发光效率降低,半宽度明显增加,且伴有红移发生.发光强度的改变是压致晶场的变化引起的  相似文献   

13.
纤维涂层对复合材料力学性能的影响   总被引:8,自引:0,他引:8  
对于SiC纤维/MAS微晶玻璃复合系统,发现在烧结温度下,纤维和基体之间有较严重的化学反应发生,界面结合强,力学性能较差.通过对NicalonSiC纤维加涂层,发现Nb2O5和c涂层对复合材料的界面结合改善不大,而LCAS晶玻璃涂层能使纤维和基体间的界面结合明显减弱,力学性能大幅度提高,室温抗折强度和断裂韧性分别达327MPa和13.9MPa·m1/2.  相似文献   

14.
将MCs^+--SIMS技术应用扩展到了金属/绝缘体(T i/Al2O3)界面分析。实验表明,选用MCs^+进行分析时,克服了界面效应,取得了较好的组分分布的分析结果。随退火温度升高(室温,300,600,850℃)界面逐渐展宽,说明界面两边存在互扩散或发生了反应,且互扩散随退火温度升高而逐渐加强。随着退火温度升高,AlCs^+的信号逐步进入Ti层相应区域中,并形成两层平台,表明Al逐渐扩散到Ti  相似文献   

15.
非晶态铬镀液的电化学研究   总被引:5,自引:3,他引:2  
用Ni、Cu,Fe和玻璃碳电极研究了非晶态铬电镀过程中Cr(Ⅵ)还原为Cr(Ⅲ)的电化学特征,发现还原电但与电极材料相关;还原过程钝化膜中的铬离子还为金属铬,为后续的铬电沉积提供晶体生长中心,还原过程受Cr(Ⅲ)和H2SO4扩散控制。溶液中的H2SO4能起到溶解钝化膜,平衡阴极扩散层中的电荷、与Cr(Ⅵ)形成配合物,为Cr(Ⅵ)的为Cr(Ⅲ)Cr提供低能量通道的作用。  相似文献   

16.
刘雁  潘伟 《材料导报》2000,(Z10):245-247
SiO2/C体系在氮气气氛下1573~1973K温度范围内反应所得的产物为α、β-SiC。高的反应温度、高的升温速率以及原料碳的过量均有利于SiC的生成。反应过程可分为三个阶段,产物分别为SiO气体,Si3N4和SiC,表现活化能分别为470kJ/mol,467kJ/mol和484kJ/mol。以非等温热重分析为主要实验方法,对SiO2/C体系在流动的氮气中的反应机理进行了研究,探讨了体系固相反应所经历的步骤,确定了控速环节和动力学参数。  相似文献   

17.
本文探讨了Si及α-Al2O3超细粉对Al2O3-ZrO2-C系材料显微结构的影响.认为在Al2O3-ZrO2-C系材料中同时加入Si和α-Al2O3超细粉,Si粉除了与C生成了SiC纤维外,其反应产物SiO2还与α-Al2O3超细粉及ZrO2生成了莫来石(A3S2)和Al2O3-ZrO2-SiO2(AZS)固溶体,这些新生成的矿物相对试样的显微结构产生重要的作用.  相似文献   

18.
无压烧结SiC-AlN复相陶瓷的显微结构   总被引:2,自引:0,他引:2  
对于SiC与AlN在1800℃以上可以发生反应形成固溶体的研究结果有益于碳化硅陶瓷的烧结.在2100℃Ar气氛的条件下,通过XRD、SEM和TEM等分析手段测试样品的颗粒界面、断裂面和组成后发现,烧结过程中AlN扩散并均匀地分市在整个坯体之中,SiC颗粒在原位长大成无序排列的长5~8μm、宽为1μm的棒状晶体结构.SiC-AlN复相材料的断裂面呈现出拨出与撕裂二种效果,其抗弯强度和断裂韧性分别可达到420MPa和4.83MPa.m1/2  相似文献   

19.
通过热压烧结技术,SiC、AlN和Y2O3粉末混合作在1920~2050℃、Ar气氛下形成了致密的复相陶瓷.在室温下SiC-AlN-Y2O3复相材料的抗弯强度和断裂韧性分别达到600MPa和7MPa·m1/2以上运用XRD、SEM和TEM分析致密样品的断裂裂纹、形貌和组成.SiC-AlN-Y2O3复相陶瓷在1370℃氧化试验30h,其氧化产物为莫来石.  相似文献   

20.
本文以TEM和EDS为主要分析手段,研究了不同颗粒增强的Al-4%Mg复合材料的界面及其基体中的微观结构,探讨了它们的形成原因。结果表明:SiO_2颗粒与基体间为反应结合,Al_2O_3和SiC则基本上为机械结合。  相似文献   

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