溅射气体和基板偏压对溅射Al_2O_3薄膜内应力和密度的影响

在纯Ar和Ar＋10％O2两种工作气体及不同基极偏压条件下，用射频溅射方法制备了Al2O3薄膜，测量了每个样品的内应力和密度，并对部分样品用X射线光电子谱进行了结构分析。结果表明，薄膜呈非晶态，薄膜的内应力均为压应力，并给出了气体种类和们压对膜的密度和应力的影响。     

类金铡石薄膜内应力的测试

采用射频－直流等离子增强化学气相沉积法制备出类金刚石薄膜，用弯曲法测定薄膜的内应力。类金刚石薄膜中存在１－４．７ＧＰａ的压应力，沉积工艺对薄膜的内应力有很大影响，薄膜的内应力随极板负偏压的升高而降低，随Ｃ２Ｈ２气体一的增加而增大。     

ECR微波等离子体氮化铁基材料的参数研究

以纯铁和３８ＣｒＭｏＡｌ为例给出了用电子回旋共振微波等离子体氮化的实验结果，并给出了气体成分及配比，时间，温度，偏压等工艺参数对氮化结果的影响，指出在０．１Ｐａ的工作气压下，采用Ｎ２－Ｈ２混合气体，样品温度接近５００℃微波功率在２００－２５０Ｗ，可在样品表面形成氮化层，使样品表面硬度显提高。改变Ｎ２和Ｈ２比例将改变样品氮化层中ε相和γ′相的比例，样品施加合适的负偏压有利于氮化。     

渐进因子分析法在Ta2O5／Ta样品俄歇深度剖析研究中的应用

首次利用渐进因子分析法研究了Ｔａ２Ｏ５／Ｔａ样品的俄歇深度剖析过程，获得了样品中Ｔａ的三种不同化学态Ｔａ、Ｔａ２Ｏ５和ＴａＯｘ，并发现Ｔａ２Ｏ５薄膜中经Ａｒ＋离子束轰击后产生的亚稳态产物ＴａＯｘ的ｘ值为１．６，含量接近４０％。Ｔａ２Ｏ５薄膜在深度剖析中未分解出游离态的Ｔａ成分。     

分布式电子回旋共振（DECR）等离子体实验研究

本文介绍了一种新型高密度低温等离子体——分布式电子回旋共振（ＤＥＣＲ）等离子体。文中利用样品架作为探针对Ａｒ，Ｈ２，Ｏ２及Ｎ２Ｏ等气体的ＤＥＣＲ等离子体特性作了定性的实验研究和分析。     

TiO_2对ZrO_2－NiCr金属陶瓷烧结特性和相稳定性的影响

本文研究了ＴｉＯ２掺入对ＣａＯ稳定ＺｒＯ２（简称ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ）金属陶瓷烧结特性的影响，测定了ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ－ＴｉＯ２金属陶瓷烧结样品的密度和显微硬度，结果表明，ＴｉＯ２的掺入能提高ＣａＳＺ－ＮＩＣｒ金属陶瓷的烧结密度和显微硬度，对ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ金属陶瓷有助烧结作用．金相观察表明，ＴｉＯ３的掺入改变了ＮｉＣｒ相在金属陶瓷中的形貌，说明了ＮｉＣｒ与ＣａＳＺ的浸润性有一定的改善．ＸＲＤ和ＥＰＭＡ分析结果显示，ＴｉＯ２偏聚在ＮｉＣｒ金属相中，不影响ＣａＳＺ的稳定性．     

沉积条件对RF反应溅射多晶ZnO薄膜结构的影响

采用ＲＦ反应溅射法在Ｓｉ（１１１）、玻璃衬底上制备了具有良好Ｃ轴承向的多晶ＺｎＯ薄膜。用ＸＲＤ分析了沉积条件（衬底温度、工作气体中的氧与氩气压比和衬底种类）对样品结构的影响,发现（１）薄膜的取向性随着衬底温或高而增强,超过４００℃后薄膜质量开始变差;（２）工作气体中氧与氩气压比（Ｐｏ２／ＰＡｒ）为２：３时,薄膜取向性最好;（３）薄膜晶粒尺寸１１－３４ｎｍ,相同沉积条件下,单晶硅衬底样品（００２）衍     

磁控溅射制备VO2热致色薄膜的研究

研究了用磁控溅射制备了ＶＯ２热致变色薄膜。在不同的Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２流量比下，沉积了一系列ＶＯ２薄膜，给出了沉积速率以及高温／低温下电阻率变化的规律。得到了组分比较的ＶＯ２热致变色薄膜。了薄膜的光透谱和相变过程中电学性质的变化。     

气体离化团束溅射研究

研究了ＣＯ２，Ａｒ离化团束对不同金属系统对及ＳｉＯ２表面的溅射效应。离化团束的溅射产额比之单体离了束高１００倍以上。气体离化团束的高溅射产量额可能是由于多体碰撞，侧向溅射及高能量密度的照射引起的。     

磁控溅射制备 VO_2 热致变色薄膜的研究

研究了用磁控溅射制备ＶＯ２热致变色薄膜。在不同的Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２流量比下，沉积了一系列ＶＯｘ薄膜，给出了沉积速率以及高温／低温下电阻率变化的规律。得到了组分比较纯的ＶＯ２热致变色薄膜。研究了薄膜的光透射谱和相变过程中电学性质的变化。     

离子束溅射沉积羟基磷灰石涂层钛种植体材料的制备和表征

采用Ａｒ＾＋离子束溅射沉积技术和钛基体上沉积羟基磷灰石薄膜涂层,Ａｒ＾＋离子束的能量分别为０．９ｋｅＶ、１．２ｋｅＶ和１．５ｋｅＶ。利用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电（ＳＥＭ０、透射电镜（ＴＥＭ）和红外光谱（ＦＴＩＲ）等检测方法,对制备的羟基磷灰石薄膜涂层进行了表征。Ｘ射线衍射和透射电结果表明该薄膜涂层为非晶态;红外光谱中无羟基（ＯＨ）特征峰存在,ＣＯ３根吸收峰的出现说明制备过程中会引入ＣＯ３根;扫     

新型氧敏CeO2—x薄膜的制备及结构研究

用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜。通过改变Ｏ２／Ａｒ比，制备出不同组分和结构的ＣｅＯ２－ｘ薄膜。用Ｃｅ３ｄ的ＸＰＳ谱了Ｃｅ２＋的浓度。ＸＲＤ和ＡＦＭ分析表明，薄膜经空气中高温退火后，形成了立方体ＣａＦ２型小晶粒，晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚。     

TiO2对ZrO2—NiCr金属陶瓷烧结特性和相稳定性的影响

本文研究了ＴｉＯ２掺入对ＣａＯ稳定ＺｒＯ２（简称ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ）金属陶瓷烧结特性的影响，测定了ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ－ＴｉＯ２金属陶瓷烧结样品的密度和显微硬度，结果表明，ＴｉＯ２的掺入能提高ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ金属陶瓷的烧结密度和显微硬度，对ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ金属陶瓷有助烧结作用。金相观察表明，ＴｉＯ２的掺入改变了ＮｉＣｒ相在金属陶瓷中的形貌，说明了ＮｉＣｒ与ＣａＳＺ的浸润性有一定的改善。ＸＲＤ和Ｅ     

掺锡对α—Fe2O3薄膜微结构和气敏特性的影响研究

本文用常压化学气相淀积法（ＡＰＣＶＤ）制备了α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜，对所制备的薄膜进行了Ｘ射线衍射分析和表面形貌（ＳＥＭ）分析。对薄膜的气敏特性进行了测量。结果表明，用ＡＰＣＶＤ工艺制备的α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜对烟者极为敏感并且具有良好的选择性；本研究还对所制备的α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜进行了有效的掺杂，对掺杂样品的气敏特性测试表明四价金属元素Ｓｎ的掺入对α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜的气敏特性有显著的影响。实验表明用ＡＰ     

原位电阻法监测无限层薄膜沉积和热处理过程

用原位电阻法监测了无限层薄膜（Ｓｒ０．７Ｃａ０．３）０．９Ｋ０．１ＣｕＯ２沉积时电阻随时间的变化过程，以及薄膜热处理过程中电阻随温度的变化过程。通过监测了解到氧含量在无支薄膜中起着重要作用。沉积完毕对真空室充入０．１ＭＰＡ Ｏ２时薄膜吸氧。对薄膜热处理时，薄膜吸氧或放氧发生在３３０℃以上。     

Co—Cr合金膜的X射线线形分析

利用近池数法对Ｃｏ－Ｃｒ合金薄膜的衍射线性形进行分析，并提出用“三线法”确定衍射线的函数类型及其积分宽度，由此可计算薄膜的晶粒尺寸和微观应变。理论计算和实验表明，“三线 法”结合近似函数在线形分析方面是简便，可靠的。通过分析Ｃｏ－Ｃｒ膜在不同工艺条件下（膜厚、Ａｒ工作气体压强和负偏压）的衍射线线形，发现衍射线的物理展宽（即有效晶粒尺寸的减小）是粒取向度的下降是相应的，晶粒取向度的下降与结构缺陷密度     

关于Ar馏份气体成分分析的讨论

从工艺角度看,Ａｒ馏份中分析Ａｒ和分析Ｏ２是一样的,但从分析仪器的角度看,分析Ａｒ比分析Ｏ２更合理。这主要考虑到了大气压力变化对气体分析仪器讯号输出有影响。     

离子束辅助沉积制备多晶Al2O3薄膜

利用电子枪蒸镀Ａｌ２Ｏ３，同时辅以Ａｒ离子轰击的离子束辅助沉积方法（ＩＢＡＤ）制备Ａｌ２Ｏ３薄膜，并与单纯电子枪蒸镀方法（ＰＶＤ）制备的薄膜进行了结构和表面形貌的比较，ＩＢＡＤ法可以得到结构均匀致密的γ－Ａｌ２Ｏ３晶态薄膜，而ＰＶＤ９方法仅能得到非晶态疏松的结构，分析结果表明，薄膜沉积过程中，提高离子轰击能量和增加基片加热温度在一定程度上具有相同的效果。     

非晶态铁电薄膜的铁电相转变

用ＡｒＦ脉冲激光在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上合成了非晶态ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９铁电薄膜,研究了铁电相转变。采用常规热退火、激光诱导和低温高压水热法使非晶态ＳＢＴ薄膜发生铁电相转变。     

基体偏压和反应气体分压强对溅射导电膜电阻率的影响

本文就基体偏压和反应气体分压强对溅射导电膜电阻率的影响作了理论分析，得到 了理论公式及变化曲线，给出了用三极溅射制得的氧化铟锡（简称ＩＴＯ）透明导电膜的 电阻率随基体偏压和氧分压强变化的实验结果。并就理论曲线和实验曲线进行了比较。