改进溶胶-凝胶法制备PZT50/50铁电薄膜

采用改进的溶胶凝胶法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备了ＰＺＴ５０／５０铁电薄膜，用Ｘ射线衍射表征了薄膜的物相，用原子力显微镜（ＡＦＭ）表征薄膜的微观形貌，用ＲＴ６６Ａ测量了薄膜的铁电特性，获得了具有优良的铁电性能的晶粒尺寸为１００ｎｍ的ＰＺＴ５０／５０铁电薄膜，在２０Ｖ电压下，Ｐｒ＝３１．８３μＣ／ｃｍ２。     

新型Sol-Gel技术PZT铁电厚膜的制备及电学性能研究

采用新型ｓｏｌ－ｇｅｌ技术在 Ｐｔ／Ｔｉ／ＳiO2/Si基片上制备出了厚度为 ２～６０μｍ的ＰＺＴ铁 电厚膜材料;研究了ＰＺＴ厚膜的结构及其介电、铁电性能．ＸＲＤ谱分析显示,ＰＺＴ厚膜 呈现出纯钙钛矿相结构,无焦绿石相存在．ＳＥＭ电镜照片显示,ＰＺＴ膜厚均匀一致,无裂 纹、高致密．厚度为５０μｍ的ＰＺＴ厚膜的介电常数为８６０,介电损耗为０.０３,剩余极化强度 是２５μＣ／ｃｍ^２．矫顽场是４０ｋＶ／ｃｍ.     

Pb（Zr0.52Ti0.48）O3铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积和快速…

用ＡｒＦ脉冲准分子激光在ＳＯＩ和Ｐｔ／ＳＯＩ衬底上沉积了Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３铁电薄膜，并用快速退火进行热处理。Ｘ射线衍射，卢瑟辐背散射等分析表明：所结晶的薄膜是以（１００）和（１１０）为主要取向的多晶膜，且结晶情况与热处理温度和时间密切ＰＺＴ薄膜呈现铁电性，其剩余极化Ｐｒ＝１５μｃ／ｃｍ＾２，矫顽电场Ｅｃ＝５０ｋＶ／ｃｍ；并且具有较高的介电常数和较高的电阻率。     

Pb（Zr_（0．52）Ti_（0．48））O_3铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积

用ＡｒＦ脉冲准分子激光在ＳＯＩ和Ｐｔ／ＳＯＩ衬底上沉积了Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ＿３铁电薄膜，并用快速退火进行热处理。ｘ射线衍射、卢瑟辐背散射等分析表明：所结晶的薄膜是以（１００）和（１１０）为主要取向的多晶膜，且结晶情况与热处理温度和时间密切相关；ＰＺＴ薄膜呈现铁电性，其剩余极化Ｐｒ＝１５μｃ／ｃｍ￣２，矫顽电场Ｅｃ＝５０ｋＶ／ｃｍ；并且具有较高的介电常数和较高的电阻率。     

DBM-g-PE与PVC的相互作用研究EI

采用固相接枝法制备了ＤＢＭ－ｇ－ＰＥ，用红外光谱分析证明了接枝物确实存在。ＰＶＣ／ＣＰＥ＝１００／５合金性能测定结果表明，添加５份接枝物的合金（Ａ），缺口冲击强度、拉伸强度分别为１８．２ｋＪ／ｍ２和５３．０ＭＰａ；而添加５份ＰＥ的合金（Ｂ），其相应性能为５．１ｋＪ／ｍ２和３３．８ＭＰａ。不加接枝物的合金（Ｃ），虽有高韧性，但拉伸强度却由５３．０ＭＰａ降至５０．２ＭＰａ。ＤＳＣ、ＳＥＭ的结果均表明，ＰＥ接枝ＤＢＭ后与ＰＶＣ的相互作用增强，与ＣＰＥ协同作用能增韧、增强ＰＶＣ，并探讨了其机理。     

Sol—Gel法硅基铁电薄膜研究

介绍了用溶胶－凝胶方法制备Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜的工艺流程。以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四丁酯为原料,在９００℃,３０ｍｉｎ退炎条件下制备了硅基ＰＺＴ铁电薄膜。实验分析结果显示,ＰＺＴ铁电薄膜的晶化很完善。研究了ＰＺＴ铁电薄膜与硅之间的界面及其对铁电薄膜品质的影响。并在此基础上实现了制备ＰＺＴ铁电薄膜的低温改进工艺。     

Fe73.5Cu0.8Nb2V1.2Si11.5B11新型纳米晶合金的研究

报道了Ｆｅ７３５Ｃｕ０８Ｎｂ２Ｖ１２Ｓｉ１１５Ｂ１１新型纳米晶合金的研究结果。透射电镜和穆斯堡尔谱研究表明，合金经８４３Ｋ，０５ｈ真空退火，形成由平均晶粒尺寸为１８ｎｍ左右的αＦｅ（Ｓｉ）相（～７８％）和剩余非晶组成的显微结构。合金的饱和磁感应强度为１４Ｔ，ｆ＝１ＫＨｚ时最大有效磁导率（μｅ）为７１８×１０－３Ｈ／ｍ，Ｐ１２／２ｋ２１ｋＷ／ｍ３，Ｐ１１／１０ｋ２１８ｋＷ／ｍ３，Ｐ０５／２０ｋ１５７ｋＷ／ｍ３，Ｐ０２／１００ｋ３００ｋＷ／ｍ３，矫顽力Ｈｃ≈１１Ａ／ｍ。合金具有明显的磁场处理效果，经纵向和横向磁场退火后，其Ｂ３０、α３０分别为１４４Ｔ，０９０和１３０Ｔ、０１。与Ｆｅ７３５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３５Ｂ９相比，由于用Ｖ代替了部分Ｎｂ，提高了熔体流动性，改善了快淬合金带材的机械特性，降低了成本。     

溅射工艺参数对PZT铁电薄膜相变过程的影响

采用射频磁控溅射工艺,在（１１１）Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上用ＰＺＴ（５３／４７）陶瓷靶制备铁电薄膜。用快速光热退火炉对原位沉积的薄膜进行ＲＴＡ处理。     

CoNiP高密度磁记录介质性能的研究

用化学镀法制取了ＣｏＮｉＰ磁性合金薄膜，测定了膜厚和成分对磁性能的影响，结果表明：随膜厚的增加，平行于膜面的矫顽力Ｈｃ（／／）和垂直于膜面的矫顽力Ｈｃ（┴）下降，当膜厚大于０．２μｍ时，趋于平缓，ＣｏＮｉＰ合金中钴的含量从１０．５３％到７４．３７％变化时，其Ｈｃ（／／）和Ｈｃ（┴）分别由０．３和５．１增加到９３．４和１０８．９ＫＡ／ｍ。     

高迁移率AlGaN-GaN二维电子气

用金属有机物气相外延方法在（０００１）蓝宝石衬底上生长了ＡｌｘＧａ１－ｘＮ／ＧａＮ二维电子气结构。Ａｌ０．１３Ｇａ０．８７Ｎ（７００ｎｍ）／ＧａＮ（６００ｎｍ）异质结的室温电子迁移率达１０２４ｃｍ＾２／Ｖｓ,而ＧａＮ体材料的室温电子迁移率为３９０ｃｍ＾２／Ｖｓ;该异质结的７７Ｋ电子迁移率达３５００ｃｍ＾２／Ｖｓ,而ＧａＮ体材料的电子迁移率在１８５Ｋ下达到峰值,为４９０ｃｍ＾２／Ｖｓ,７７Ｋ下下降到     

脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜电容特性研究

用ＰＬＤ方法成功地制备了ＳＢＴ铁电薄膜，并制作成Ｐｔ／ＳＢＴ／Ｐｔ薄膜电容器。ＳＢＴ薄膜的晶面取向以（００８）和（１１５）为主。在５Ｖ电压下，极化反转，并且得到较饱和的电滞回线，剩余极化强度和矫顽电场分别为８４μＣ／ｃｍ２和５７ｋｖ／ｃｍ。ＩＶ特性测试显示两个对称的双稳峰，并得到零电压下，面积为３１４×１０４μｍ２，厚度为０３５μｍ的电容器，电容约为５６０ｐＦ，介电常数约为６００。疲劳测试表明Ｐｔ／ＳＢＴ／Ｐｔ具有优良的抗疲劳特性。     

酞菁类聚合物／硅太阳能电池的制备与研究

用熔融法和溶剂法合成了聚酞菁铜，聚酞菁氧钒等可溶性有机半导体。研究表明：酞菁类聚合物／硅太阳能电池具有良好的整流特性和光伏效应，整流比为１７。经过掺杂处理，光电转换性能有明显提高，当入射光强为０．８８ｍＷ／ｃｍ２时，开路电压为２１０ｍＶ，短路电流密度为０．７５ｍＡ／ｃｍ２，光电转换效率达３．９％（填充因子为０．２２），掺杂处理后的酞菁聚合物／硅太阳能电池有较好的稳定性。     

用溶胶凝胶法制备PZT铁电体薄膜

本文选择非极性溶剂ＡｃＡｃ在大气中保护金属醇盐制备钛锆酸铅（ＰＺＴ）铁电体薄膜，当ＰＺＴ〈０．５ｍｏｌ／Ｌ时可生成稳定溶胶，ＰＺＴ能均匀分散在溶剂中，在４００℃除去残余有机物，然后在４００￣７００℃使薄膜晶化生成钙钛矿结构为主的多晶薄膜。本文利用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＩＲ及热分析技术对ＰＺＴ薄膜的形成及晶化等变化进行了分析和探讨。     

脉冲激光淀积法在Pt/TiO_2/SiO_2/Si(001)衬底上制备Pb(Ta_(0.05)Zr_(0.45)Ti_(0.50))O_3薄膜的铁电性质研究

用脉冲激光淀积方法在Ｐｔ／ＴｉＯ２／ ＳｉＯ２／ Ｓｉ（００１） 衬底上制备了掺Ｔａ 的ＰＺＴ 薄膜。此薄膜显示了理想的铁电性。漏电流特性表明这种异质结构中Ｓｃｈｏｔｔｋｙ 场发射机制起主要作用。扫描电镜形貌照片表明ＰＺＴ 薄膜结晶很好并且异质结构界面无明显扩散。     

Sm8Fe83Si2C5Cu0.5Nb1.5非晶合金的晶化动力学

用差热分析（ＤＴＡ）,结合Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）研究了Ｓｍ８Ｆｅ８３Ｓｉ２Ｃ５Ｃｕ０．５Ｎｂ１．５非晶合金的晶化动力学。结果表明：温度在０￣１０００℃范围内,该合金的晶化相为α－Ｆｅ和Ｓｍ２（ＦｅＳｉ）１７Ｃｘ,α－Ｆｅ相的晶化表观激活能力３４９．５３ｋＪ／ｍｏｌ,Ｓｍ２（ＦｅＳｉ）１７Ｃｘ的晶化表观激活能力３１６．１９ｋＪ／ｍｏｌ,两相在晶化初期激活能量小,随晶化量（ｘｃ）的增加激活能增大,当α－     

高分子p—n异质结太阳电池的研究

用合成的十二烷基苯磺酸（ＤＢＳＡ）掺杂的聚苯胺（ＰＡｎ）导电材料和Ｂｅｉ染料组合，采用涂覆技术，研制成ＳｎＯ２／ＰＡｎ膜／Ｂｅｉ染料薄层／Ａｌ栅电极结构和Ａｌ／ＰＡｎ导电基片／Ｂｅｉ染料薄层／Ａｌ栅电极结构的ｐ－ｎ异质结太阳电池，测定了该电池的光电效应和伏安特性，在４．７２ｍＷ／ｃｍ＾２的氙灯照射下，开路电压Ｖｏｃ达４００ｍＶ短路电流Ｉｓｃ为１０μＡ，填充因子可达５７．４％，光电转换效率为０．０９     

脉冲激光淀积法在Pt／TiO2／SiO2／Si（001）衬底上制备Pb（Ta0.05Zr0.45T …

用脉冲激光淀积方法在Ｐｔ／ＴｉＯ２／ＳｉＯ２／Ｓｉ（００１）衬底上制备了掺Ｔａ的ＰＺＴ薄膜,此薄膜显示了理想的铁电性。漏电流特性表明这种异质结构中Ｓｃｈｏｔｔｋｙ场发射机制起主要作用。扫描电镜形貌照射表明ＰＺＴ薄膜结晶很好并且异质结构界面无明显扩散。     

多元线性超结构关系模型参数估计的大样本性质

讨论了如下线性超结构关系模型βｘｋ＋α＝０，ζｋ＝ｘｋ＋εｋｋ＝１，２，．．．ｎ，（εｋ，ｋ＝１，２，．．．ｎ）ｉ，ｉ，ｄ，Ｅ（ε１）＝０，Ｖａｒ（ε１）＝σ＾Ｉｍ其中（ｘｋ，ｋ＝１，２，．．．．，ｎ）为相互独立的ｍ维ｒ．ｖ．列，且和随机误差（ε，ｋ＝１，２，．．．．，ｎ）相互独立，在一定条件下，证明了ＬＳ估计量β，α，σ＾２的强相合性，唯一性，并给出了估计量的一类ａ．ｓ．收敛速度０（ｎ＾－１／２     

360keV Ar^3＋离子辐照聚碳酸酯薄膜的红外光谱研究

用付里叶变换红外光谱研究了３６０ｋｅＶＡｒ~（３＋）离子辐照聚碳酸酯薄膜的化学结构变化。氩离子辐照剂量为１．３×１０~（１２）～６．５×１０~（１３）离子／ｃｍ~２。结果表明，化学降解是聚碳酸酯薄膜主要的结构变化。此外，氩离子辐照也形成了ＯＨ基团、新的羰基团和碳化。     

Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的制备、结构及性能研究

研究了一种以乙二醇为稳定剂的新的ＢＳＴ前驱液,用ｓｏｌ－ｇｅｌ法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ_２／Ｓｉ（１００）基底上成功地制备出具有优良电学性能的Ｂａ_０．７Ｓｒ_０．３　ＴｉＯ_３薄膜．乙二醇的加入有效地增加了前驱液的稳定性,并降低薄膜的结晶温度．利用ＸＲＤ、ＤＴＡ等技术分析了凝胶热处理过程中相变化情况及薄膜厚度与成相的关系．厚度 ２００ｎｍ,Ｏ_２气氛中 ７００℃处理 １５ｍｉｎ后的 ＢＳＴ薄膜具有良好的介电性能,１００ｋＨｚ时介电常数ε＞４００,介电损耗 Ｄ＜０．０２;Ｐ—Ｅ电滞回线说明薄膜具有良好的铁电性能,剩余极化只约为１．４μＣ／ｃｍ^２,矫顽场强 Ｅ_ｃ约为 ４８ｋＶ／ｃｍ．