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用对向靶溅射方法制备出氮化铁梯度薄膜。利用X射线光电子能谱(XPS)对样品进行了深度剖面分析:铁原子和氮原子的百分含量沿膜厚方向呈梯度变化。X射线衍射表明膜中含有α-Fe,α”-Fe16N2,ε-FexN(2<x≤3)和ξ-FeN各相。随着氮分压增加,膜中含氮量高的相比例亦增加,饱和磁通密度逐渐降低。 相似文献
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掺锑a—Fe2O3的结构和性能 总被引:4,自引:3,他引:1
用化学共沉淀与固相反应相结合的方法,在a-Fe2O3中掺入一定量的锑离子。X射线衍射(XRD)分析表明,掺锑量(Sb/Fe原子比)小于0.2,材料仍保持a-Fe2O3的晶体结构,但是加入量〉0.2时,有铁、锑复合氧化物生成。通过分析Sb的掺入对a-Fe2O3的晶粒生长及电学性质的影响,认为该系列材料的气敏性能有大幅度的提高,是锑的掺入改变了a-Fe2O3的气敏机理。 相似文献
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锌—铁合金镀层耐蚀性探讨 总被引:6,自引:2,他引:4
采用扫描电子显微镜,X-射线衍射仪,分析了酸性氯化钾Zn-Fe合金电镀层的结构。讨论了纯化膜、镀层结构及镀层含铁量对镀层耐蚀性的影响。研究表明,由于钝化膜中微量铁的存在,使Zn-Fe合金镀层的耐蚀性优于纯锌镀层,而含(0.2 ̄0.3)%Fe的Zn-Fe合金耐蚀性最佳。 相似文献
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用磁控溅射法制备了Fe-N薄膜和Fe-N/TiN多层膜。结果表明,在常温下,使用较小的氮、氩比溅射,生成的Fe-N薄膜主要是含氮α-Fe固溶体,并且N原子进入α-Fe晶格是饱和磁化强度提高的一个原因。Fe-N/TiN多层膜的层间耦合作用以及减小每-Fe-N层厚度而引起的晶粒尺寸的减小可以有效地降低薄膜的矫顽力,从而获得更好的软磁性能。 相似文献
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本实验用对向靶溅射仪分别在Si(100),NaCl单昌衬底上成功地制备出具有高饱和磁化强度的(Fe,Ti)-N薄膜,研究了氮气分压和衬底温度对结构与磁性的影响。氮气分压为0.04-0.07Pa,衬底温度淡100-150℃时,有利于Fe16N2相的形成,在此条件下制备的(Fe,Ti)-N薄膜的饱和磁化强度为2.3-2。.46T,超过纯Fe的饱和磁化强度值。 相似文献
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采用一种简单的新工艺分别在硅片和氧化铝陶瓷基片上制备了r-Fe2O3薄膜。该工艺分3步完成:首先利用Fe(NO2)3酒精溶液通过浸渍涂布工艺制备a-Fe2O3薄膜,其次a-Fe2O3薄膜在氢气流中、320 ̄350℃之间热处理30min被还原为Fe3O4薄膜,最后Fe3O4薄膜在空气中250℃左右热处理30min被氧化为r-Fe2O3薄膜。XRD和SEM分析结果表明该r-Fe2O3薄膜呈尖晶石物相和 相似文献
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用磁控溅射技术制备了周期性良好的Fe-N/Ti-N纳米多层膜。Ti-N单的厚度固定为3nm,Fe-N单层的厚度在2.5-11nm之间变化,用振动样品磁强计研究了样品的磁性,用X射线衍射研究了样品的结构。发现在Fe-N层罗薄的样品中,饱和磁化强度明显提高,而矫顽力在所有样品中基本相同。 相似文献
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采用C2H2和N2的混合气体在单晶Si衬底上用射频-直流等离子化学气相沉积法制备a-C:H(N)薄膜,用Fourier红外谱研究了a-C:H(N)薄膜的结构。用慢正电子湮没技术研究了类金刚石薄膜中缺陷的深度分布以及N的百分含量对薄膜中缺陷浓度和缺陷类型的影响。Fourier红外测试结果表明,a-C:H(N)薄膜中氮含量随混合气体中N2百分含量的升高而增大,薄膜中碳氮原子形成C≡N键。慢正电子分析表 相似文献
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掺锡对α—Fe2O3薄膜微结构和气敏特性的影响研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用常压化学气相淀积法(APCVD)制备了α-Fe2O3薄膜,对所制备的薄膜进行了X射线衍射分析和表面形貌(SEM)分析。对薄膜的气敏特性进行了测量。结果表明,用APCVD工艺制备的α-Fe2O3薄膜对烟者极为敏感并且具有良好的选择性;本研究还对所制备的α-Fe2O3薄膜进行了有效的掺杂,对掺杂样品的气敏特性测试表明四价金属元素Sn的掺入对α-Fe2O3薄膜的气敏特性有显著的影响。实验表明用AP 相似文献
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通过球磨α- Fe 和脲的混合粉末,制得α′- Fe(N) 超细粉末.使用X 射线衍射仪(XRD) 、透射电镜(TEM) 和热失重(TGA) 分析了在真空条件下经130 h 和200 h 球磨后的粉末样品的结构和性能.结果表明,经130 h 球磨后开始得到α′- Fe(N) 相;热分析表明,α′- Fe(N) 相在430℃以下是稳定的;经球磨200 h 后,得到α′- Fe(N) 超细粉末(0 .03~0 .06 μm) ,它是r(N) 为13 .49% 的过饱和固溶体. 相似文献