两步退火形成钛硅化物和氮化物的研究

模拟自对准硅化物技术的两步退火工艺，对超高真空（UHV）下制备的Ti／Si样品依次进行低温退火、腐蚀和高温退火。利用俄歇微探针（AES）和X射线衍射（XRD）分析样品的组分及晶相。发现高温退火后，薄膜内同时生成了Ti的硅化物及氮化物，这对发展MOS器件工艺中自对准硅、氮化物技术很有意义。另外，还利用扫描电镜（SEM）观察了薄膜形貌，用VandePauw法测量了薄膜电阻。     

等离子增强化学气相淀积硅化钛薄膜的特性

本文以四氯化钛（ＴｉＣｌ４）和硅烷（ＳｉＨ４）为源物质，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）工艺结合常规热退火制备了优良的ＴｉＳｉ２薄膜。研究了淀积和退火条件对薄膜性质的影响。用四探针检测了退火前后薄膜的薄层电阻，用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射分析了薄膜的化学组成和晶体结构。     

TiN／n—GaAs体系界面的研究

利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了ＴｉＮ／ｎ－ＧａＡｓ体系。ＳＩＭＳ结果表明，退火后Ｔｉ的浓度剖面向胂化镓衬底略有移动，Ｎ则基本救济为；ＤＬＴＳ观察到的Ｅｃ＝０．２１ｅＶ处的Ｔｉ＾３＋＊３ｄ）／Ｔｉ＾３＋（３ｄ＾２）单受主中心，但其浓度较ＥＬ２要小得多。根据实验结果，探讨了退火后难熔金属氮化物／ｎ－ＧｓＡｓ体系电学特性改善的原因。     

Ti／AlN快速退火界面反应的实验研究

在电子封装用的ＡｌＮ陶瓷多晶衬底上生长２５０ｎｍ的Ｔｉ膜，并进行快速退火。用ＲＢＳ（卢瑟福背散剂）、ＡＥＳ（俄歇有谱）、ＳＩＭＳ（干净人离子质谱）ＸＲＤ（Ｘ射线衍射）等实验技术对界面反应进行了分析研究，用划痕实验测量了退火对Ｔｉ／ＡｌＮ粘附力的影响。实验结果表明：快速退火时，Ｔｉ，Ａｌ，Ｎ以及ＡｌＮ中掺杂的Ｏ均发生明显的界面扩散和界面反应，样品表面的Ｏ和ＡｌＮ衬底中掺杂的Ｏ都向Ｔｉ膜中扩散，在较低     

低掺铝TiN薄膜的XPS,XRD分析研究

本文用多弧离子镀方法制备了Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ（ｘ＜０．３）薄膜，并且运用俄歇电子能谱（ＡＥＳ），Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）等技术对Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ进行测试和分析。结果表明：膜层中除含Ａｌ、Ｔｉ、Ｎ元素外，还出现了一定量的氧；薄膜呈现了（１１１）、（２２２）等晶面的择优取向；薄膜与基底间的附着力较好。     

高取向锐钛矿TiO2薄膜的MOCVD法制备与表征

采用热壁低压ＭＯＣＶＤ方法，以Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４为源在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备出高取向锐钛矿ＴｉＯ２薄膜。用Ｘ射线衍射技术研究了沉积温度和衬底对薄膜的结构和相组成的影响规律，采用ＸＰＳ和ＳＥＭ分别研究了薄膜的组成和形貌，结果表明，当沉积温度为５００＾０Ｃ和６００＾０Ｃ时，薄膜为锐钛矿结构，３００＾０Ｃ和４００＾０Ｃ地，薄膜以无定形结构为主，薄膜的组成为ＴｉＯ２，衬底影响薄膜的相组成，不同沉积温度     

HL—1装置中的TiC涂层辐照实验研究

利用ＨＬ－１装置的等离子体辐照研究了石墨基体上的ＴｉＣ涂层。对辐照前、后 的样品进行了俄歇电子能谱（ＡＥＳ）、扫描电镜（ＳＥＭ）和Ｘ射线衍射谱（ＸＤＳ）分析，得 出：ＴｉＣ涂层内Ｔｉ、Ｃ分布比较均匀；在高功率托卡马克放电辐照下，化学腐蚀现象 较为严重，但没有改变ＴｉＣ结构相（立方ＴｉＣ）；并有一定的择优取向。同时还发现 Ｃ的优先溅射作用及 Ｔｉ向石墨基体深层扩展现象。     

Si对TiSiN膜组成结构的影响

报告了等离子化学气相沉积（ＰＣＶＤ）硬膜ＴｉＳｉＮ中Ｓｉ对膜的影响。沉积膜经过电子探针（ＥＭＰＡ）、扫描电镜（ＳＥＭ）、Ｘ射线（ＸＲＤ）和Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）分析。实验表明,在ＴｉＮ的气相沉积中加入少量Ｓｉ可以明显改善膜的结构和组成。     

PZT—NiTi铁电—铁弹多层膜的制备及表征

用溶胶－凝胶法制备了ＰＺＴ压电薄膜,研制了Ａｕ／ＰＺＴ／ＰＴ／ＴｉＯ２／ＮｉＴｉ／Ｓｉ（１００）多层膜结构,用ＸＲＤ,ＡＦＭ,ＴＥＭ－ＥＤＸ和ＳＡＤ技术考察了薄膜的表面形貌,相结构演化,以及面的元素分布特性。结果表明：ＰＺＴ膜与ＮｉＴｉ合金膜的结合良好,稳定;ＰＴ层的引入,使无定型ＰＺＴ薄膜在５５０℃退火后,转变为钙钛矿结构,降低了晶化温度,并有效地抑制焦碌石相的形成;ＮｉＴｉ薄膜结晶良好;ＴｉＯ     

(Ph,La)TiO_3铁电薄膜的表面态分析

利用（Ｐｈ,Ｌａ）ＴｉＯ３陶瓷靶材,采用射频磁控溅射技术室温淀积,其后在６００℃下退火,制备ＰＬＴ铁电薄膜。通过对薄膜进行ＸＰＳ和ＥＤＡＸ分析,发现薄膜表面富钛。与利用其它工艺技术如多离子束反应共溅射、ｓｏｌ－ｇｅｌ等技术制备的ＰＬＴ铁电薄膜进行对比可以看出,利用不同技术制备的铁电薄膜,具有不同的表面态。     

溶胶—凝胶法制备（Pb,Cd,La）TiO3薄膜及其特性

采用溶胶－凝胶法及均胶工艺,分别在石英玻璃和硅单晶上制备（Ｐｂ,Ｃｄ,Ｌａ）ＴｉＯ２薄膜。用ＳＥＭ分析薄膜的形貌,用ＦＴ－ＩＲ及ＤＴＡ等技术对ＰＣＬＴ薄膜及凝胶粉晶化情况进行分析。用ＸＲＤ对不同基片、不同厚度薄膜成相的影响进行了分析讨论。     

TiB2超硬薄膜的合成及性能

采用离子束溅射方法制备了ＴｉＢ２硬质薄膜，ＡＦＭ观察表明薄膜表面非常光谱，ＡＥＳ、ＸＲＤ和ＸＰＳ分析证明薄膜中主要是Ｂ、Ｔｉ比为１．８，六方结构的ＴｉＢ２多晶体、且呈现强烈的（１０１）择优取向，由超显微压痕测量系统测得的加载、卸载曲线计算得到的薄膜的显微硬度比高达４８ＧＰａ     

脉冲准分子激光CuO—SnO2薄膜沉积及其结构分析

采用脉冲准分子激光沉积（ＰＬＤ）技术，分别在Ｓｉ（１１１）单晶及玻璃基片上外延沉积了具有高α轴（２００）取向的ＣｕＯ掺杂的ＳｎＯ２薄膜，Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）及透射电镜（ＴＥＭ扫描附件）分析表明：在Ｓｉ（１１１）片上沉４００－５００℃退火温度处理的薄膜，只有（２００）峰存在；当退火温度升高一６００－７００℃时，ＳｎＯ２的其余诸峰相应出现。薄膜呈多晶态，取向度降低，晶粒尺寸变大，晶粒分界明显，在玻璃基     

EB—PVD热障涂层的失效行为研究

利用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电镜（ＳＥＭ）及能谱分析（ＥＤＸＳ）技术，对ＥＢ－ＰＶＤ热障涂层（ＴＢＣｓ）中陶瓷面层在热冲击和循环氧化试验前后的形和变化进行了分析，研究了陶瓷面层的生长形态和相且分对热障涂层耐久性的影响。     

激光化学气相反应生长Ti（C,N）薄膜的成分及微观结构

运用ＸＲＤ，ＥＰＭＡ，ＴＥＭ等手段分析在Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ基材上用激光化学气相色反应生长的Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）薄膜的成分，结构，显微结构，可在基材表面的形成大面积均匀的Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）膜层，为无明显择优取向的等轴纳米晶，其中有少量的Ｔｉ２Ｎ相，且Ａｌ，Ｖ含量低于基材。     

真空退火引起的VOx薄膜生长过程的变价问题研究

本文以Ｖ２Ｏ５粉末为原料，采用真空蒸发镀膜与真空退火相结合的方法，在载玻片和单晶Ｓｉ（１００）衬底上得到了ＶＯ２为主的薄膜。利用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对不同退火条件下所得膜的价态组份进行了分析，得到了膜中Ｖ的价态与退火温度、退火时间以及膜厚的关系。     

Ti(IV)在介孔氧化硅MCM-41中的液相移植

以钛酸丁酯为原料,通过液相移植反应,在介孔氧化硅ＭＣＭ－４１中成功地组装了Ｔｉ（ＩＶ）,利用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＥＤＳ、ＦＴ－ＩＲ、Ｎ_２吸附－脱附、^２９Ｓｉ ＭＡＳ ＮＭＲ等多种实验方法对材料进行了表征,并讨论了液相移植反应的机理．实验表明,通过与介孔材料骨架表面Ｑ^３硅原子中的硅醇键（Ｓｉ－ＯＨ）的反应而形成钛－氧－硅（Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉ）键,Ｔｉ（ＩＶ）被成功地固定到介孔材料的骨架上面; ９５０～９６０ｃｍ^－１红外共振吸收的加强是Ｓｉ－Ｏ－Ｔｉ键形成的标志．     

离子束辅助沉积制备TiO_2-Nb_2O_5氧敏薄膜

采用离子束辅助沉积方法在Ａｌ２Ｏ３陶瓷衬底上制备了ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５氧敏薄膜。考察了薄膜组分比及退火温度对薄膜氧敏特性和结构的影响。电阻氧分压特性测试结果表明，纯Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性优于纯ＴｉＯ２薄膜；掺入少量的Ｔｉ可使Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性提高，以５ｍｏｌ％ＴｉＯ２掺杂的Ｎｂ２Ｏ５薄膜最佳；过量掺杂则使Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性明显变差。在５ｍｏｌ％ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５薄膜中再掺入少量的Ｐｔ（０３％０５％）可使其氧敏特性更好，而且其响应时间大大缩短。Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）和Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）分析表明，在退火后的ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５薄膜中Ｎｂ２Ｏ５为单斜（Ｍｆｏｒｍ）结晶相，而掺杂的Ｔｉ以非晶的ＴｉＯ２形式存在，即使在高达３４ｍｏｌ％ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５薄膜中也不例外。纯ＴｉＯ２膜为金红石结构。不同退火温度（９００１１０００Ｃ）对薄膜的氧敏特性和结构无明显影响。     

钛在注钛H13钢中的浓度分布

利用从国内首台金属蒸汽真空弧离子源（ＭＥＶＶＡ）引出的脉冲钛离子对Ｈ１３钢进行了离子注入改性研究，测量了注入样品背散射谱（ＲＢＳ），根据ＲＢＳ，给出了Ｈ１３钢表面的Ｔｉ浓度分布。最后讨论了这样测量和计算的适用范围。     

脉冲准分子激光CuO－SnO_2薄膜沉积及其结构分析

采用脉冲准分子激光沉积（ＰＬＤ）技术，分别在Ｓｉ（１１１）单晶及玻璃基片上外延沉积了具有高ａ轴（２００）取向的ＣｕＯ掺杂的ＳｎＯ２薄膜。Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）及透射电镜（ＴＥＭ扫描附件）分析表明：在Ｓｉ（１１１）片上沉积，４００～５００℃退火温度处理的薄膜，只有（２００）峰存在；当退火温度升高到６００～７００℃时，ＳｎＯ２的其余诸峰相应出现，薄膜呈多晶态，取向度降低，晶粒尺寸变大，晶粒分界明显．在玻璃基片上沉积的薄膜，经４００℃低温处理后，（２００）取向度很小；随着退火温度的升高，达到５００℃时薄膜呈高ａ轴（２００）取向生长，结晶度较好，晶粒分布均匀．