化学水浴沉积CdS薄膜晶相结构及性质

采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,研究了溶液组份的浓度对CdS结晶结构的影响．增加乙酸胺的浓度、提高溶液的pH值有利于生成立方晶CdS,反之则易于生成六方晶CdS．无论立方相还是六方相CdS薄膜,电阻率均在10~4～10~5Ω·cm范围,结晶均匀细致．用六方晶为主和立方晶为主的CdS制备的CIGS太阳电池最高效率分别达到12.10%和12.17%．     

化学水浴沉积CdS薄膜晶相结构及性质

采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,研究了溶液组份的浓度对CdS结晶结构的影响.增加乙酸胺的浓度、提高溶液的pH值有利于生成立方晶CdS,反之则易于生成六方晶CdS.无论立方相还是六方相CdS薄膜,电阻率均在104～105Ω·cm范围,结晶均匀细致.用六方晶为主和立方晶为主的CdS制备的CIGS太阳电池最高效率分别达到12.10%和12.17%.     

CdS薄膜的制备及其性能

采用化学池沉积(CBD)法,在三种衬底(玻片、ITO玻片、SnO2 玻片)上沉积CdS薄膜,并利用扫描电镜(SEM)、透射光谱、X射线衍射(XRD)和微电流高阻计等方法对沉积膜进行了测试分析,计算出CdS薄膜的能隙宽度和电导激活能,阐述了CBD法中CdS薄膜的生长沉积机制以及不同衬底对沉积效果的影响.结果表明:不同衬底的成膜效果差异较大,其中以SnO2 玻片效果最佳     

CdS薄膜的制备及其性能

采用化学池沉积(CBD)法,在三种衬底(玻片、ITO玻片、SnO2玻片)上沉积CdS薄膜,并利用扫描电镜(SEM)、透射光谱、X射线衍射(XRD)和微电流高阻计等方法对沉积膜进行了测试分析,计算出CdS薄膜的能隙宽度和电导激活能,阐述了CBD法中CdS薄膜的生长沉积机制以及不同衬底对沉积效果的影响.结果表明:不同衬底的成膜效果差异较大,其中以SnO2玻片效果最佳.     

对低温下制得的CdS薄膜电学性质的研究

采用化学水浴沉积法研究在低温条件下以及硫尿浓度不同的溶液中生长出的硫化镉薄膜的电学性质。采用X-射线衍射(XRD)仪确定退火后的样品是六方相,在(002)、(112)和(004)方向优势生长;使用紫外-可见分光光度计发现各样品的光学性质符合硫化镉作为窗口材料的要求;利用原子力显微镜发现各样品的晶粒形状、均匀性和致密性差异较大;利用化学工作站进行样品的电容-电压测试发现,各样品的掺杂浓度差异很大,其中有的样品掺杂浓度为1.2×1017cm-3,这样的掺杂浓度适合制造光电器件。     

联氨对化学水浴沉积ZnS薄膜的影响

在A(ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH)和含有联氨的B(ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH、(NH2)2)两种水溶液中采用化学水浴法沉积ZnS薄膜,研究了联氨对薄膜沉积过程和薄膜性质的影响.结果表明,加入少量联氨以后,薄膜沉积速度明显增加.两种溶液沉积的ZnS都为立方相结构,且含有联氨的B溶液沉积的ZnS薄膜表面附着颗粒较少.在含有联氨的B溶液中沉积的ZnS薄膜结晶度和短波区的透过率均高于A溶液沉积的ZnS薄膜.将两种溶液沉积的ZnS薄膜作为电池缓冲层制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池,加入联氨沉积的ZnS制备的CIGS电池转换效率达到7.77%,比不加联氨沉积的ZnS制备的CIGS电池转换效率提高了1.3%.     

CIGS薄膜太阳能电池缓冲层CdS薄膜的制备研究

目前CdS材料的制备方法有很多种,但是最常用的是化学水浴法。本文研究了浓度、反应溶液pH值、温度、沉积时间对CdS缓冲层薄膜的影响,对CIGS薄膜太阳能电池缓冲层CdS薄膜的制备方法进行了论述。     

银掺杂对MoS_2薄膜特性的影响

二硫化钼(MoS2)是一种具有类似石墨烯结构和性能的新型二维层状化合物,近年来因其独特的物理化学特性而成为研究热点。采用化学气相沉积法(CVD),以掺杂银的MoS2饱和溶液为原料,氩气为输运气体,在p-Si衬底上制备MoS2薄膜,并研究了银掺杂对MoS2薄膜的表面形貌、晶体结构、光吸收特性以及电学特性的影响。研究发现,银掺杂并未改变MoS2薄膜的晶体结构,而使MoS2薄膜的结晶度更好;银掺杂的MoS2薄膜反射率降低,光吸收增强,进而可以提高器件的光电转换效率。另外,银掺杂的MoS2薄膜表面更均匀平整,同时具有更良好的电学特性,其电子迁移率高达1.154×104 cm2·V-1·s-1,可用于制造一些晶体管和集成电路等半导体器件。     

飞秒激光制备CdS薄膜滤波器的研究

采用脉冲飞秒激光沉积方法,在石英衬底上制备了CdS薄膜滤波器.研究显示衬底温度在100～600℃范围内变化对CdS薄膜衬底的结构及光学特性有重要影响,在450℃的衬底温度下所生长的CdS薄膜具有较好的结构质量,该薄膜在500nm附近具有较陡的吸收带边及良好的光学滤波性能.     

飞秒激光制备CdS薄膜滤波器的研究

采用脉冲飞秒激光沉积方法,在石英衬底上制备了CdS薄膜滤波器.研究显示衬底温度在100～600℃范围内变化对CdS薄膜衬底的结构及光学特性有重要影响,在450℃的衬底温度下所生长的CdS薄膜具有较好的结构质量,该薄膜在500nm附近具有较陡的吸收带边及良好的光学滤波性能.     

CdS/TiO_2纳米棒阵列复合电极制备及性能研究

染料敏化太阳电池以其良好的电池性能、简单的制作工艺、廉价的制作成本等优点越来越受到人们的关注。尝试用水热合成法在透明导电玻璃FTO(SnO2∶F)衬底上一步制备出高度有序的TiO2单晶纳米棒阵列,使用扫描电子显微镜SEM及X射线衍射仪(XRD)等对其进行表征分析。用制备的样品作为光阳极封装电池并对其进行电池性能的测试。用化学浴沉积(CBD)方法对制备的样品进行CdS表面修饰,通过测量其紫外-可见吸收光谱及明暗场的电流-电压特性曲线等考察电池性能随硫化镉修饰次数的变化规律。     

CdS薄膜的真空热蒸发制备及在CIGS薄膜太阳电池中的应用

采用真空热蒸发(VTE)的方法制备了CdS多晶薄膜,研究了不同衬底温度对其微观结构与光电性能的影响。结果显示,不同衬底温度下制备的CdS薄膜均属于六方相多晶结构且具有(002)择优取向;随着衬底温度的升高,(002)特征衍射峰强度增加,半高宽变小,相应薄膜结晶度增大;由CdS薄膜的透射光谱可知,在500~1 000nm波段平均透过率均超过80%,光学带隙随着衬底温度的升高而增大(2.44~2.56eV),表明真空热蒸发方法制备的CdS薄膜可以作为CIGS薄膜太阳电池的缓冲层。将真空热蒸发法制备CdS薄膜与磁控溅射法制备CIGS薄膜太阳电池相结合,在同一真空室内得到了CIGS薄膜太阳电池器件,为CIGS薄膜太阳电池的工业化推广提供了新途径。     

太阳电池中CdS薄膜的制备及其性能的研究

分别采用化学池沉积(CBD)和真空蒸发法,在三种衬底(玻片、ITO玻片、SnO2玻片)上沉积CdS薄膜,并利用扫描电镜(SEM)、透射光谱、X射线衍射(XRD)等方法对沉积膜进行了测试分析,同时阐述了两种不同方法下CdS膜的生长沉积机制。     

化学水浴法制备CdS薄膜退火工艺的研究

基于化学水浴沉积法以硫脲为硫源,醋酸镉为镉源,氨水作为缓冲剂,制备太阳能电池用半导体薄膜硫化镉(CdS),研究不同的退火温度和是否涂敷CdCl2溶液对CdS薄膜的影响。采用X线衍射仪、电子扫描电镜和紫外/可见光分光光度计研究了不同退火工艺对硫化镉薄膜的结构、形貌及光学特性的影响。实验表明,悬涂CdCl2溶液退火处理可明显改善CdS薄膜的结晶及其光学性质,最佳退火温度为400℃,退火时间为60min。     

Effect of four different zinc salts and annealing treatment on growth,structural, mechanical and optical properties of nanocrystalline ZnS thin films by chemical bath deposition

ZnS thin films were deposited from four different zinc salts on glass substrates by chemical bath deposition method. Different anions of zinc salts affect the deposition mechanism and growth rate, which influence the properties of the films significantly. The ZnS thin film deposited from ZnSO₄ is smoother, thicker, more homogeneous and compact, nearly stoichiometric, comparing with the films deposited from Zn(CH₃COO)₂ and Zn(NO₃)₂, and ZnCl₂. The scratch test of bonding force between ZnS film and substrate shows that the ZnS film deposited from ZnSO₄ has the most excellent adhesion with the substrate. The presence of SO₄²⁻ promotes heterogeneous ZnS thin film growth via ions by ions deposition, and the films deposited from Zn(CH₃COO)₂ and Zn(NO₃)₂ are formed via clusters by clusters deposition. XRD and HRTEM results show that cubic ZnS films are obtained after single deposition, and the grain size of ZnS thin film deposited from ZnSO₄ for 2.5 h is 10 nm. The average transmission of all films is greater than 85% in the wavelength ranging from 600 to 1100 nm, and the transmission of films deposited from ZnSO₄ or Zn(NO₃)₂ for 1.5, 2 and 2.5 h is greater than 85% in the wavelength varying from 340 to 600 nm, which can enhance the blue response. The band gaps of all ZnS thin films are in the range of 3.88–3.99 eV. After annealing treatment, the mechanical and optical properties of the ZnS thin film deposited from ZnSO₄ are improved significantly.     

不同方法及衬底类型对CdS多晶薄膜性能的影响

采用化学水浴法和磁控溅射法分别在AZO、FTO、ITO透明导电玻璃衬底上制备了CdS薄膜,利用扫描电镜、XRD以及透射光谱等测试手段,研究了两种制备方法对不同衬底生长CdS薄膜形貌、结构和光学性能的影响.研究结果表明,不同方法制备的CdS薄膜表面形貌均依赖于衬底的类型,水浴法制备的CdS薄膜晶粒度较大,表面相对粗糙.不同方法制备的CdS薄膜均为立方相和六角相的混相结构,溅射法制备的多晶薄膜衍射峰清晰、尖锐,结晶性较好.水浴法制备的CdS薄膜透过率整体低于溅射法,但在短波处优势明显.