恩智浦推出全新肖特基整流器

恩智浦半导体日前推出首批采用全新CFPl5（SOTl289）封装的IOA、45V肖特基势垒整流器PMEG45U10EPD和PMEG45A10EPD。全新的Clip FlatPower Package（CFP）封装（针对15A的IF最大值设计）具有极为紧凑的外形尺寸，     

Vishay针对太阳能应用发布4款肖特基整流器

日前,Vishay宣布,推出4款提供eSMP表面贴装和轴向引线封装选项的新器件——10A V10P45S、15A V15P45S以及15A VSB1545和20A VSB2045,扩大其用于太阳能电池旁路应用的TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器。     

碳化硅肖特基二极管，帮助降低电源转换系统成本

第三代thinQ!SiC肖特基二极管具有极低的器件电容,可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率,从而帮助降低电源转换系统成本。该二极管系列提供多种封装形式,不仅包括TO-220封装（真正的双管脚版本）产品,还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。目前,第三代thinQ!SiC肖特基二极管提供采用TO-220和DPAK封装的600V（3A、4A、5A、6A、8A、9A、10A和12A）产品和采用TO-220封装的1200V产品（2A、5A、8A、10A和15A）。     

飞利浦推出最新PMEG系列实现肖特基二极管性能突破

皇家飞利浦电子集团最新推出肖特基二极管PMEG系列 ,实现肖特基二极管半导体技术新突破。该PMEG系列使功耗降低至二极管能装在不到现有器件一半大小的表面贴装封装中。其内在的低正向电压降和高速开关能力使这些新的肖特基二极管非常适用于高效率DC/DC转换器等 ,在提高整体电效率的同时 ,使手机、数码相机等设备更加小型化。通过将正向电阻降至目前市场上同类二极管的一半以下 ,飞利浦的最新PMEG超低正向电压降VF肖特基整流器二极管系列能达到的功耗水平仅为BAT5 4等业界标准型号的一半。此外 ,该新型PMEG系列二极管的连续正向额…     

Vishay发布12个采用不同封装的45V TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出12款采用3种功率封装、具有10～40A额定电流范围的新型45V器件--V（B,F）T1045BP、V（B,F）T2045BP、V（B,F）T3045BP和V（B,F）T4045BP,     

V10PN50／V15PN50：肖特基整流器

Vishay推出新款高电流密度的50V TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器V10PN50和V15PN50。这两款器件在10A和15A下的典型正向压降低至0．40V和0．41V,兼具优化的漏电流的器件,采用薄形TO－277A（SMPC）封装,可用于智能手机和平板电脑的充电器。     

飞利浦最新PMEG系列肖特基二极管

皇家飞利浦电子集团推出PMEG系列肖特基二极管。该PMEG系列内在的低正向电压降和高速开关能力使这些新的肖特基二极管非常适用于高效率DC/DC转换器，在提高整体电效率的同时，使手机，数码相机等设备更加小型化。通过将正向电阻降至目前市场上同类二极管的一半以下，PMEG超低正向电压降肖特基整流器二极管系列能达到的功效水平仅为BAT54等业界标准型号的一半。     

Vishay发布用于商业应用的低外形SMPD封装的新款TMBS~整流器

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出16个新款45 V、50 V、60 V、100 V和120 V器件,扩充其TMBS~Trench MOS势垒肖特基整流器产品。器件具有10~60 A的电流等级和极低的正向压降,针对商业应用。这些器件采用低外形SMPD封装,封装的占位与D2PAK(TO-263)一致,且典型高度更薄,只有1.7 mm。今天推出的Vishay General Semiconductor双片整流器在15 A下的正向压降只有0.4 V,在高频DC/DC转换器、开关电源、     

Vishay推出用于汽车和其他领域的新款45V和50VTMBS整流器

日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，推出7个新的45V和50V器件，扩充其TMBS@TrenchMOS势垒肖特基整流器。这些高电流密度的整流器适合汽车和商业应用，具有3～8A的电流等级和低正向压降。采用薄外形表面贴装DO-221BC（SMPA）封装。     

微杯电子纸及其后加工制程

SiPix利用独特的微杯(Microcup)结构和顶部灌注封装技术，通过连续整卷高速涂布的制程成功地制造出高性能的双稳性、装填电泳微粒的电子纸。SiPix可提供下列两种规格形式任意的EPD卷式成品：(A)用于有源矩阵EPD和直接驱动产品的可剥离保护膜／已灌装及密封的Microcup／无图案导体膜夹层卷；及（P）用于无源矩阵的行导体膜／已灌装及密封的Microcup／列导体膜夹层卷。已经开发出将EPD卷制成不同的显示模块或产品的简单的后续加工制程。     

元器件与组件

SOD-523封装的二极管 肖特基二极管SDM03U40、SDM10U45、SDM20U30、SDM20U40,开关二极管1N4148WT和1N4448HWT采用超微型SOD-523封装,其最大耗电     

TSBA8F40等：肖特基势垒二极管

天水天光半导体推出小尺寸的超小型双硅片无引脚封装的TSBA8F40型肖特基势垒二极管，产品采用了标准的01005芯片级封装技术，并推出系列产品：TSB02F30（0201）型、TSB05F20（0402）型、TSB10F40（0502）型、TSB20F40（0603）型DSN-2封装肖特基势垒二极管。     

Vishay发布18款FREDPtHyperfast和Ultrafast整流器

Vishay Intertechnology，Inc．（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出18款采用TO-252AA（D—PAK）功率塑料SMD封装、正向电流为4-15A的200V和600V的FRED Pt Hyperfast和Uhrafast整流器。这些器件兼具极快的恢复时间、低正向压降和反向电荷，其中包括业界首个采用此种封装且正向电流大于10A的600V整流器。     

VS-12EWH06FNx-M3等：整流器

VishayIntertechnology推出18款采用TO-252AA（D—PAK）功率塑料SMD封装、正向电流为4A-15A的200V和600V的FREDPtHyperfast和Ultrafast整流器。这些器件兼具极快的恢复时间、低正向压降和反向电荷，其中包括采用此种封装且正向电流大于10A的600V整流器。     

VT1080／2080／3080S/T1080／VT2080／3080C：肖特基整流器

Vishay推出6款单芯片和双芯片80V TMBSTrench MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用4种功率封装，具有10A～30A的电流额定范围。     

0．37mm超平封装肖特基整流器

DFN1608D-2（SOD1608）是一款面向移动设备市场的新一代低VF肖特基整流器，塑料封装的典型厚度仅为0．37mm，尺寸为1．6mm×0．8mm，是市场上支持最高1．5A电流的最小器件。     

3 A/40 V新型肖特基势垒二极管的设计与研制

为提高传统肖特基二极管的击穿电压,减小了器件的漏电流,提高芯片利用率,文中设计研制了适合于裸片封装的新型肖特基势垒二极管(SBD)。利用Silvaco Tcad软件模拟,在器件之间采用PN结隔离,器件周围设计了离子注入形成的保护环,实现了在浓度和厚度分别为7.5×1012 cm-3和5 μm的外延层上,制作出了反向击穿电压45 V和正向导通压降0.45 V的3 A/45 V肖特基二极管,实验和仿真结果基本吻合。此外,还开发了改进SBD结构、提高其电特性的工艺流程。     

Microchip推出采用6～20引脚封装的集成可配置逻辑8位单片机

Microchip（美国微芯科技公司）宣布推出全新的8位PIC单片机（MCU）。此类MCU采用6～20引脚封装,集成了可配置逻辑和高级外设。PIC10F（LF）32X和PIC1XF（LF）150X MCU均具备全新外设,包括可配置逻辑单元（CLC）、     

恩智浦推出FlatPower封装的MEGA Schottky整流器

恩智浦半导体（NXP）近日宣布推出全新FlatPower封装的MEGASchottky整流器，包括SOD123W和SOD128。因为“金属板绑定”的封装成果，新的MEGA产品带来可媲美标准SMA封装的高功率性能。新产品以其卓越的前向压降，可以允许50A的峰值电流最峰和高至1W的Ptot功率耗散。     

适用于TFT—LCD显示屏的2MHz、5通道输出稳压器

LT3513是5通道输出单片开关稳压器。它提供2．2A（ISW）降压型稳压器、1．5A（ISW）升压型稳压器、250mA（ISW）升压型稳压器、250mA（Isw）负输出和LDO控制器,全部都在单个封装中。性能特点：4．5～30V输入电压;4个集成式开关：2．2A降压、1．5A升压、0．25A升压、0．25A负输出（保证的最低电流限制、外部NPNLDO驱动器;固定频率、低噪声输出;用于降压型稳压器的电感器电流检测;用于所有输出的软启动;外部可编程VON延迟;3个集成式肖特基二极管。