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设计了一种高精度,高效率LED驱动电路,芯片输入电压6 V~40 V,可调恒定电流从350 mA到1 A以上。采用脉冲电平调制以及低边采样结构,与传统的峰值电流控制相比,脉冲电平调制法真正实现了对LED平均电流的控制,效率更高,电流更加精确。设计基于CSMC 0.5 m BCD工艺,并进行了一系列仿真验证。仿真结果表明,当输入电压不同或驱动LED个数不同时,输出电流精度能够被控制在±0.5%和±1%以内。芯片的整体转换效率最高可以达到96.9%,最多可驱动10个LED。 相似文献
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设计了一种输出功率约50W的LED恒流源驱动模块,其负载为由多只LED管(每只功率为1W)采用混联方式组成的LED阵列。通过对其电流型反激式变换及恒流控制电路的设计与试制,并在不同输入电压下,改变负载测试,可看出其电流变化规律基本相似。随着负载变小,输出电压升高,输出电流逐渐减小,输出电流稳定度达4.6%。在一定负载时,输出电压值保持在47.2V左右,电压纹波峰-峰值约为400mV。电流波动约0.05A,输出电流稳定可靠,可用于对多只串并混联的LED阵列驱动供电。 相似文献
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设计了一种输出功率约50W的LED恒流源驱动模块, 其负载为由多只LED管(每只功率为1W)采用混联方式组成的LED阵列。通过对其电流型反激式变换及恒流控制电路的设计与试制, 并在不同输入电压下, 改变负载测试, 可看出其电流变化规律基本相似。随着负载变小, 输出电压升高, 输出电流逐渐减小, 输出电流稳定度达4.6%。在一定负载时, 输出电压值保持在47.2V左右, 电压纹波峰-峰值约为400mV。电流波动约0.05A, 输出电流稳定可靠, 可用于对多只串并混联的LED阵列驱动供电。 相似文献
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滞环电流控制的大功率LED恒流驱动芯片设计 总被引:3,自引:1,他引:3
设计了一款滞环电流控制的大功率LED恒流驱动芯片,其采用高边电流检测方案,通过内部电流检测电路对LED驱动电流进行滞环控制,从而获得恒定的平均电流。芯片采用9VBICMOS工艺流片,可输出350mA电流驱动1W的LED,也可输出750mA电流驱动3W的LED。在4.5~9V输入电压范围内,芯片输出驱动电流变化小于3.5%。在环境温度从25°C变化到100°C时,芯片输出驱动电流变化小于5%。由于滞环电流控制环路存在自稳定性,芯片无需补偿电路。 相似文献
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针对高亮度白光(HBW)LED驱动芯片等在高输入共模电压条件下工作的应用需要,提出一种基于高端电流检测的新型误差放大器,其特点是共模电压范围宽,具有良好的高端电流检测特性.特殊的电路结构设计使该放大器具有失调电压可调的功能,可用于实现对LED调光电流的控制.给出了整个电路的设计,并在1.5 μm BiCMOS工艺下实现.仿真结果显示,误差放大器输入共模范围达350 V,共模抑制比为80 dB,输入失调电压可调范围为8~92 mV.测试结果表明,芯片的主要性能与设计结果相符. 相似文献
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针对滞环恒流大功率LED驱动芯片,提出一款高性能电流采样电路。该电路采用高压工艺,可承受最高达40 V的输入电压。通过分析滞环控制的特点,采用串联电阻采样技术,结合匹配电流源结构,在保证响应速度和采样精度的同时,降低了电路的复杂度。电路中加入输入电压补偿电路,进一步提高了恒流控制的精度。在Cadence下的仿真结果表明,电路可在800 kHz的频率下正常工作,采样精度达99.78%;当电压从15 V变化至35 V时平均负载电流误差为0.81%;输出电压范围为0~5 V。 相似文献
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设计了一种高效率的高输入电压,恒定电流输出的白光LED驱动芯片.采用高压工艺,以脉宽调制(PWM)峰值电流的控制方式,实现了宽范围电压输入、恒定电流输出的LED驱动芯片的设计.内部集成了带隙电压基准源,产生0.25V的参考电压.芯片设计采用了高压横向扩散金属氧化物半导体场效应管(LDDMOS),设计了电压预调整电路,实现了输入电压范围在85V-400V间变化,输出电流在1毫安到1安培间设定.芯片仿真结果显示电能转换效率最高可达90%以上. 相似文献