准一维有机量子阱特征

有机聚合物Oligomers（低聚体）可惜人聚形成所谓的共聚物，具有准一维量子阱或超晶格结构特征。本文针对聚乙炔（polyacetylene）（PA）和聚对苯撑（poly(p-phenylene）（PPP）组成的三嵌段（triblcok）共聚物xPA／nPPP/γPA的量子阱性质进行了研究，发现均物组分及其界面耦合对共聚物的电子成具有调制作用。     

量子方阱中的光学界面声子

本文在连续介电模型基础上，讨论了量子方阱中界面声子的问题，得到了光学声子模的电场分量和电位移分量，以及相应的色散关系。     

量子阱质量检测方法研究

目的　研究激子峰所包含的相关信息 ,为量子阱的质量检测提供依据 .方法　总结有关激子峰的研究成果 ,将其归纳成可操作的测试理论 .结果与结论　激子峰的相对强度反映量子阱生长质量 ,激子峰的位置反映内部电场分布并进一步反映应变分布 .     

影响量子阱激光器热特性的主要因素

本文从理论上剖析影响半导体激光器热特性的主要因素,包括:(1)俄歇复合几率的大小;(2)有源区的载流子泄漏;(3)价带间光吸收;(4)激光器有源区材料的禁带宽度Eg.并分析了这四个因素与器件的材料和结构的关系.     

量子阱质量检测方法研究

目的 研究激子峰所包含的相关信息,为量子阱的质量检测提供依据。方法 总结了有关激子峰的研究成果,将其归纳成可操作的测试理论。结果与结论 激子峰的相对强度反映量子阱生长质量,激子峰的位置反映内部电场分布进一步反映变分布。     

ZnSe多量子阱光开关的优化设计

本文提出了一个ZnSe/ZnS多量子阱光开关的综合优化方案。根据Kronig-Penney模型,对多量子阱结构进行优化。又根据实验结果对多量子阱构成的非线性F-P进行了优化设计。     

量子阱半导体激光器材料的MBE生长研究

本文阐述了分子束外延（ ＭＢＥ） 技术的特点以及在实现大面积均匀的超薄外延层生长中的应用。利用进口ＭＢＥ 设备, 实现了单量子阱（ＳＱＷ） 和多量子阱（ ＭＱＷ） 半导体激光器外延片的生长, 并对外延片的电学和光学特性进行了测试和分析。     

InGaAs/GaAs应变量子阱激光器MOCVD生长研究

采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱(QW),通过降低生长温度、提高生长速度以及采用应变缓冲层(SBL)结构,改善了应变QW生长表面质量和器件荧光(PL)谱特性,实验表明,通过优化工艺条件和采用SBL等手段提高了应变QW质量。生长的QW结构用于1054 nm激光器的制作,经测试,器件具有较低的阈值电流和较高的单面斜率效率,性能较好。     

High performance highly strained InGaAs quantum-well ridge waveguide lasers

1 Introduction Long-wavelength InGaAsP/InP laser diodes are key devices in optical fiber commu-nication systems. The threshold current increases significantly from room temperature to 80℃ due to the small conduction band offset in this material system. This small char-acteristic temperature leads to additional cost of the cooling system for the laser diodes. One of the most promising approaches on laser emission from InGaAsN/GaAs quantum wells (QWs) on GaAs substrates in long-wavelengt…     

麻木乌苏凹陷中生界生油岩有机地球化学特征

麻木乌苏凹陷中生界发育三套暗色层系,即赛乌苏组、额济纳组、麻木乌苏组.通过对三个组的暗色泥岩有机质丰度、类型和热演化程度的分析,认为赛乌苏组和额济纳组生油岩有机质丰度低、类型差,不具备生烃能力;麻木乌苏组生油岩有机质丰度较高、类型好、热演化程度适中,是凹陷的主力生油岩.     

麻木乌苏凹陷中生界生油岩有机地球化学特征

麻木乌苏凹陷中生界发育三套暗色层系 ,即 :赛乌苏组、额济纳组、麻木乌苏组 .通过对三个组的暗色泥岩有机质丰度、类型和热演化程度的分析 ,认为赛乌苏组和额济纳组生油岩有机质丰度低、类型差 ,不具备生烃能力 ;麻木乌苏组生油岩有机质丰度较高、类型好、热演化程度适中 ,是凹陷的主力生油岩     

凡口铅锌矿有机地球化学特征及成矿意义讨论

通过对凡口铅锌矿的围岩和矿石样品中有机碳(TOC)含量分析及有机抽提物的气相色谱和色谱—质谱分析,探讨了TOC在矿床中的空间变化特征、生物标志化合物的种类和特征。围岩中TOC含量明显大于其在矿体中的含量;围岩抽提物中的饱和烃百分含量明显高于矿体中的含量,而围岩中的芳香烃的含量远远低于矿体中的含量;矿体抽提物中的芳香烃菲的侧链受到很大程度的剥蚀。认为有机质不但作为整体在络合、活化、运移、富集成矿元素方面起到重要作用,而且有机物中单个分子为成矿作用提供部分氢和还原硫等成矿辅助元素。     

好氧颗粒污泥对汽车涂装废水中 有机污染物的吸附特性

为了更好地探究好氧颗粒污泥处理汽车涂装废水的机理,利用好氧颗粒污泥的降解特性得到最佳处理工艺和有机物去除效果,本试验采用动态吸附和静态吸附的方式分别研究了好氧颗粒污泥对汽车涂装废水中有机污染物的初期吸附特性、吸附类型及温度和pH对吸附能力的影响。研究结果表明,好氧颗粒污泥对汽车涂装废水中有机污染物具有一定的初期吸附现象,30 min内COD被快速去除,去除率达到66.62%,180 min后基本趋近于平稳,COD去除率为80.61%。在温度为35℃、pH为7.0时,吸附吸附量最大,且过程是一个以物理吸附、生物吸附、化学吸附三者共同作用的复杂过程。准二级动力学模型能较好地表征吸附机理。     

磁场作用下抛物量子阱线中激子的束缚能

采用差分的方法在准一维有效势模型下对抛物型量子阱线中激子性质受到磁场的影响进行了计算,分析了磁场对量子阱线中激子的束缚能以及电子和空穴之间的平均距离作用.结果表明:外加磁场会增加量子阱线中激子的束缚能,并且磁场对束缚能的作用会受到量子约束势的影响,在量子约束势较弱时磁场的影响较大,量子约束势较强时磁场的影响较小;外加磁场会减小电子和空穴间的平均距离.     

Deep levels,transport and THz emission properties of SiGe/Si quantum-well structures

Recharging of quantum confinement levels in SiGe quantum wells (QW) was studied by charge deep-level transient spectroscopy (Q-DLTS) for Si/SiGe/Si structures with different Ge contents in the SiGe layer. A peak with activation energy varying in the range from 0 to 100 meV in different tempera-ture intervals was observed in Q-DLTS spectra. Activation energies extracted from Q-DLTS measure-mens are in good agreement with energies of quantum confinement levels in the QW.     

Enhancement of optical characteristic of InGaN/GaN multiple quantum-well structures by self-growing air voids

InGaN/GaN multiple quantum-well(MQW) structures with a wavelength range of green were successfully grown on a c-plane GaN template with SiO_2 stripe patterns along the [11-20] and [1-100] directions as a mask. The surface morphologies of both samples were investigated using scanning electron microscopy and demonstrated anisotropic growth characteristics of GaN. The optical characteristics were investigated using Raman spectra and photoluminescence(PL). The InGaN/GaN MQW structure grown on the GaN template with SiO_2 stripes along the [1-100] orientation exhibited less stress and higher PL intensity.Transmission electron microscopy results indicated that portions of MQWs were grown on an inclined semipolar plane, and air voids occurred only when the direction of the mask stripe was along the [1-100] orientation. The enhancement of the optical characteristic was due to the air-void structure and inclined semipolar quantum-well sidewalls.