有助于把电弧转变成扩散型的纵向磁场真空灭弧室

一个能产生强径向磁场的真空灭弧在其真空外壳内有一对面对面的触头，它们能在分断电路位置和闭合电路位置之间作相对移动。螺旋臂型或杯槽型触头由管状金属蒸气屏蔽筒围绕着。在触头处于分断电路位置时，该屏蔽筒与至少一个触头是电绝缘的。每个触头是与线圈和载流导电杆相串联的。这个位于触头背面的线圈可由灭弧室的开断电流所激励。导电杆则延到真空外壳之外。线圈中的电流在触头间区域内产生一个径向磁场。该磁场迫使触头间的开     

纵磁场真空灭弧室：开断电流与电极面积的函数关系

本文是通过触头电极面积的幂函数来描述纵磁场真空灭弧室触头开断电流的。这一特点意味着：两个或更多并联的分触头的开断电流之和高于电极面积等于全部并联分触头电极面积之和的单一触头的开断电流。因此：我们用代数的来描述开断电流恒定时，电流增另的结果和电极面积减小的伴生结果。     

铜钨触头材料真空灭弧室的容性开断能力

我们对铜钨触头材料和铜铬触头材料的２４ｋＶ真空灭弧室模型进行了并联电容器开断试验。铜钨触头材料的重击穿概率低于鲷铬触头材料的重击穿概率。除了大电流开断能力，铜钨触头材料在并联电容器开断上也是性能非常优良的首选材料。     

Cr含量对CuCr触头材料开断能力的影响

CuCr触头材料中的Cr含量的影响,特别是对大电流开断的影响的研究,迄今为止几乎全部是在试验用真空灭弧室内进行,而不是在实际的真空灭弧室中进行的。触头和它们周围的环境（机电的或气体的）之间可能的相互作用或许需要工业用的真空灭弧室,以便得到一个更切合实际的Cr含量对触头材料综合性能影响的试验判断方法。本文中触头内的Cr含量在5－75wt%的范围内变化,并使用38kV纵磁场真空来灭弧室进行试验。测量了作为Cr含量函数的触头材料的电导率、硬度特性和真空灭弧室的总电阻。在短路电流开断试验的前后,测试了触头材料的交流电压和脉冲电压的耐受能力。触头的电侵蚀性能在真空灭弧室经受仅半个周期的燃弧试验时确定。     

低触头压力真空开关用铜铬X触头的制备与性能

低的触头压力是真空开关向低电压、高操作频率和小型化发展的重要条件,要求真空触头在具有高的开断能力基础上必须同时具有高的抗熔焊能力。铜铬合金具有高的开断能力,但高的熔焊倾向限制了其在真空接触器、负荷开关和低压断路器等低触头压力开关中的应用。本文总结了国内十余年来发展的铜铬X触头的研究结果,包括成分设计的理论依据、燃弧行为和熔焊性能。这种铜铬X触头的熔焊强度能够降低到商业铜铬触头的1/10。配合TJ-7.2/450真空灭弧室的型式试验结果证明:铜铬X触头既具有极限短路电流开断能力,又具有高的抗熔焊性能。     

真空接触器用WCAg和WCCu触头材料性能的比较

近来，WCAg已成为真空接触器中优选的触头材料之一，它可以用来开断几安培至几千安培的负荷电流，可以满足真空接触器低烧蚀、低截流值、熄弧能力强等要求。当前的工作是尽量减少这一材料中银的百分含量或完全替换它。本文中讨论了Ag和WC含量以及用Cu取代Ag对开断性能的影响。文中对不同触头材料的开断能力、截流值、烧蚀率以及燃弧后的触头表面状态进行了比较。在一合成试验回路中，用一可拆式真空灭弧室进行实验。开断能力试验中，触头应承受7kArms的电弧电流和23kV的峰值瞬态恢复电压。在谐振频率为6800Hz，涌流阻抗为1066欧姆。试验电流为45Arms的试验回路中测量出截流值。     

横磁作用下直流真空开断中触头侧部燃弧空间的影响规律研究

随着直流电网的不断发展，对直流开断技术的要求进一步提高。相较于传统的气体电弧直流开断，真空电弧直流开断具有电寿命高、燃弧空间封闭、介质恢复速度快等特点，但是传统真空电弧电压低，需要通过横向磁场的作用，提升电弧电压完成直流真空电弧的开断。本文通过实验研究了横向磁场作用下不同触头侧部燃弧空间(即触头侧部边缘与真空灭弧室屏蔽罩之间的空间)与开断电流时的开断特性，获得了触头侧部燃弧空间宽度11～41 mm范围内对直流真空开断特性的影响规律。     

真空断路器的大电流开断

在以Ｃｕ、ＣｕＣｒ（５０／５０）和ＡｇＷＣ为触头材料的真空开关管中进行了大量的开断实验，开断电流范围从２．５ＫＡ至３２ＫＡ。     

真空灭弧室各种触头材料在开合负载条件下的性能

在过去几年里,真空开关原理在中压系统中得到了广泛的认可。当控制大电路电流的真空断路器几乎都采用ＣｕＣｒ２５（重量％）至ＣｕＣｒ５０作为触头材料时,用于开合较低负载电流（如接触器）的真空灭弧室所选用的触头材料还未确定,这种材料也必须满足多次开合操作下的低烧蚀、低截流值、产生高频瞬态电压的可能性以及灭弧能力好等要求。人们不仅经常采用以难溶成份为基本组分的材料,如ＷＣｕ、ＭｏＣｕ、ＷＣＡｇ等,而且似乎也在使用ＣｕＣｒ材料。本文的目的是研究这些材料在负载及超负载条件下的开断性能。实验是在合成试验电路中利用一个真空试验室进行的。试验室的触头处于有效值达７ｋＡ的燃弧电流,峰值为２３ｋＶ的瞬态恢复电压的作用下。利用扫描电子显微镜,我们比较了各种触头材料的开断能力和燃弧后的触头表面状况。     

用于真空开关的触头材料

本文分析了用于真空开关的触头材料的要求和性能；阐述了最近几年来常用于各种真空开关中的触头材料，如ＣｕＴｅＳｅ，ＣｕＣｒ和ＡｇＷＣ等；文章最后还介绍了国内外正在开发和研究的新触头材料情况。     

涡流对真空灭弧室开断电流的影响

论述了涡流对真空灭弧室触头开断能力的影响,以及涡流产生的原因,并加以证明,表明了触头体在交变磁场中将产生感应涡流,使触头磁场滞后于电流,影响触头开断能力;要使触头达到理想设计,应将触头涡流减到最小。     

添加微量高熔点金属对无铅焊料性能的影响

研究了在SnAgCu、SnAgBi、SnZn三个系列无铅焊料中添加质量分数为0.1%的高熔点金属(Ni、Co、Fe)对其熔融特性、力学基本性能和浸润性的影响。结果表明,添加微量高熔点金属对焊料的熔融特性影响小于2%。添加微量Ni能明显改善SnAgCu系和SnZn系焊料的力学性能,并能使SnAgBi系焊料在铜表面的接触角降低约10%~14%。添加微量Co或Fe后的新焊料仅少部分性能指标有所提高,而部分性能参数则严重下降。     

真空开关管用合金钎料与CuCr触头材料的焊接性能研究

用不同牌号的合金钎料和不同的真空钎焊工艺,将不同组分的触头材料和无氧铜零件钎焊成组件.在宏观和微观的条件下,了解钎料的润湿性,测量组件的抗拉强度,分析合金钎料的钎焊特性.     

红外热成像系统用硫系玻璃的熔制技术

硫系玻璃是一种理想的红外光学透过材料,在红外热成像技术领域具有显著的应用价值。红外热成像技术要求所用硫系玻璃材料具有高透过、高均匀、大尺寸等性能优势和批量化、低成本制备特点,玻璃的熔制技术是有效解决上述需求的关键所在。概括介绍了硫系玻璃的真空密封安瓿瓶熔制、真空/气氛保护坩埚熔制技术和装置,特别提出和说明了一种硫系玻璃熔制新方法气氛保护下的二次熔制方法,详细分析了该方法对硫系玻璃的光谱性能、内在光学质量和光学均匀性的影响,研究发现:随着保护气体纯度提高到99.999%,二次熔制后玻璃的光谱透过性能与真空密封安瓿瓶中接近,玻璃的内在光学质量和光学均匀性均显著改善。     

提高真空灭弧室分断性能的研究

真空灭弧室的分断特性与触头结构、间隙纵向磁场及触头材料有密切的关系，本文对此进行了分析和研究。     

微波真空电子器件用无氧铜材料的蒸发特性

作为微波真空电子器件的常用材料之一,无氧铜材料的蒸发特性会对微波真空电子器件的电性能产生影响。该文利用超高真空测试设备,研究了处理工艺对无氧铜材料的蒸发性能的影响,采用X射线测厚仪测试了蒸发的铜膜厚度,用扫描电镜(SEM)观测了无氧铜材料的表面形貌。结果表明表面宏观形貌粗糙度对无氧铜材料的蒸发性能影响不大,但处理工艺对蒸发性能影响很大;无氧铜材料经过酸洗后,会大大增加蒸发量;无氧铜材料经过烧氢处理,可降低蒸发量,而经过去油清洗并烧氢处理的无氧铜的蒸发量极低。对无氧铜材料进行了表面分析,发现无氧铜材料的真空蒸发性能与材料的表面形貌状态有关,当表面微观形貌比较光滑、无孔洞等缺陷时,无氧铜材料的真空蒸发量就少。     

Investigation of Characteristics of Electrostatically Actuated MEMS Switch with an Active Contact Breaking Mechanism

The electrostatically actuated MEMS switch with resistive contact is presented. The movable electrode is a beam suspended on its torsion hinges. The contact material is platinum. The switch has an active breaking mechanism making it possible to protect it against stiction and provide a low actuation voltage. The measuring technique for the operating characteristic in the “hot” mode under a low direct current is described. The pull-in voltage and the breaking voltage, the switching time, and the dependence of the contact resistance on the number of actuation cycles are measured. The wear of contact surfaces is investigated. The operation of the switch in a bistable mode is demonstrated, in which the closed condition is maintained without applying the actuation voltage and the state transition occurs due to the active contact breaking mechanism.     

直流微电机用环形低压压敏电阻器的性能比较

测量了目前直流微电机消噪用 Zn O和 Sr Ti O3两类环形压敏电阻器的特性参数 ,分析了它们的介电 -频率和介电 -温度特性 ,并与所研制的用籽晶法制备的 Zn O压敏电阻的性能相比较。比较测量结果说明 ,采用籽晶法制备的 Zn O压敏电阻器 ,具有易于低压化且压敏特性良好的优点。尽管 Zn O的电容量不及 Sr Ti O3,但由于Zn O压敏电阻的制备属常规工艺且成本低廉 ,在要求价格低的直流微电机应用领域 ,只要提高 Zn O环形压敏电阻器的压敏特性 ,它仍具有较高的实用价值     

Vacuum heated electroless nickel plated contacts

Electroless nickel plating has been tried on steel or brass substrates. By selected conditions of heat treatment in a high vacuum environment the plating can produce chromium equivalent hardness without the effluents of the hard chromium plating process. The resulting surfaces were examined and characterized under an optical and a scanning electron microscope. X-ray diffraction analysis was also performed to investigate recrystallization effects. The fabricated contact materials were also tested under corrosion conditions and linear polarization measurements were performed. To exploit possible utilization of produced coatings as electrical contact or connector materials, semispherical nickel plated steel joints were tested under the simultaneous application of mechanical fretting and a low-voltage electrical load. Their contact resistance was monitored during 20,000 cycle tests. The results show that after a 2-min heat treatment under 800/spl deg/C in a high vacuum environment, the plating acquires a crystalline structure with microhardness exceeding 1100 HV and a very good adhesion to the substrate material, without deteriorating its corrosion wear properties. In addition they exhibit a low and stable electrical contact resistance when operating in adverse environments i.e. fretting conditions or corrosive atmosphere.     

Vertical-cavity surface-emitting lasers fabricated by vacuumintegrated processing

The authors report on the fabrication of vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) using vacuum processing techniques. The upper monolithic distributed Bragg reflector around the laser cavity is dry etched down to the top of the active region, followed by in situ contact deposition on the mesa sidewall, providing a short current path through the p-type mirror. These etched VCSELs exhibit lower series resistance, lower threshold voltage, greater thermal dissipation, and higher maximum output power than conventional planar VCSELs made from the same material