唐山海港华泰功能陶瓷材料有限公司

唐山海港华泰功能陶瓷材料有限公司成立于2004年9月，是由唐山市京唐港港兴实业总公司投资兴办的国营企业，投资5500万元，占地300余亩。公司拥有雄厚的技术力量，先进、一流的生产设备和研发实验装备。拥有资深专家和高级工程技术人员十余名，先后开发了管壳、耐磨增韧陶瓷、蜂窝陶瓷、过滤陶瓷、高纯超细氧化铝粉、高铝轴承球、透明氧化铝陶瓷、封接陶瓷、封接玻璃、渗透陶瓷等十几项前沿功能陶瓷产品，现已广泛应用于钢铁、环保、矿山、电力、石油、化工、精密仪器、电子等行业，深受广大用户欢迎。     

透明氧化铝陶瓷金属化与封接实验研究

本文采用传统的活化Mo-Mn法对透明氧化铝陶瓷进行了金属化与封接实验。结果表明,传统的活化Mo-Mn法可以实现透明氧化铝的金属化,并能够获得气密、可靠的陶瓷-金属封接件。金属化层与陶瓷之间的结合主要来源于金属化层中的玻璃态物质对陶瓷表面良好的润湿性。     

纯氧化铝瓷—金属封接

纯氧化铝瓷与高氧化铝瓷之间,纯氧化铝瓷、高氧化铝瓷与金属之间封接的一种新工艺巳出现。此法使用由几种氧化物的混合物组成的陶瓷玻璃焊料对氧化铝瓷件或氧化铝与金属直接进行封接。采用Al_2O_3-MnO-SiO_2系的混合物,封接温度是1140℃或更高些。采用Al_2O_3-CaO-MgO-SiO_2系的混合物来封接,封接件必须承受1300℃或更高温度。这些陶瓷玻璃焊料能用来封接纯氧化铝瓷与高氧化铝瓷或纯氧化铝瓷,高氧化铝瓷与金属。Al_2O_3-MgO-SiO_2系的配方可用于陶瓷与铁基合金封接,亦可用于陶瓷与难熔金属封接,而Al_2O_3-CaO-MgO-SiO_2系的配方可用来封接氧化铝瓷与难熔金属,以供极高温方面的应用。用此法进行的封接在热特性和热力学特性上完全不同于玻璃封接。本文讲述了封接强度的测量结果和封接形成机理的研究。     

钼铜合金与95％氧化铝瓷的封接技术

介绍了钼铜（Mo-Cu)合金与95％氧化铝瓷的封接实验过程,及封接实验中遇到的问题和解决办法。     

95％/Al_2O_3瓷与金属的扩散封接

引言氧化铝陶瓷具有强度高、高频损耗小和热稳定性好等特点,因此在电子工业、航空工业和原子能工业上,广泛地采用各种金属和氧化铝瓷的封接件。随着上述工业的发展对各种封接件的质量要求也越来越高。以往国内外常用的封接方法有烧结金属粉末法、活性合金法等。但是这些方法存在着高频损耗大、抗辐照能力和介电性能低等缺点,已经不能完全满足上述工业发展的需要,希望有更可靠的封接方法提高封接件的工作性能和使用寿命,真空扩散封接工艺是可以克服上述缺点的方法之一。扩散封接可以获得真空气密性好、热稳定性好和绝缘性好的封接组件。常规的陶瓷-金属封接主要是依靠高温产     

氧化铝基陶瓷Mo-Mn法金属化机理分析及实验研究

本文从玻璃相扩散迁移、Mo的化学态和添加Mn的作用几个方面对氧化铝基陶瓷高温Mo-Mn法金属化机理进行了分析和总结,给出了高纯氧化铝陶瓷（包括99氧化铝陶瓷、透明氧化铝陶瓷）一些实验研究结果。通过对实验结果的分析和讨论,指出了高纯氧化铝陶瓷金属化配方设计、工艺参数控制等方面应把握的技术要点。实验研究结果对工程中高纯氧化铝陶瓷的金属化和封接工作具有一定的指导作用。     

宽带高功率矩形陶瓷密封窗封接结构及工艺

推荐了几种氧化铝陶瓷宽带高功率矩形密封窗的封接结构，并对其封接工艺要领进行了简要介绍。     

Al2O3陶瓷和Al2O3微粉

叙述了氧化铝瓷的重要性和氧化铝微粉的组成、性能和应用，指出了陶瓷质量和一次晶粒的关系。     

氮化铝陶瓷金属化技术的探讨

本文对目前常用的电子陶瓷(例如,氮化铝陶瓷、氧化铍陶瓷、氧化铝陶瓷)的性能和金属化技术进行了初步的比较,提出了氮化铝陶瓷要加强其应用研究,特别是要进一步提高其Mo-Mn法封接强度,论述了氧化铍陶瓷比氮化铝陶瓷DBC技术上的某些优势。     

钨浆料的稳定性研究

研究了用于质量分数为96%的氧化铝陶瓷的钨金属化配方以及相应的钨浆料生产工艺。为了提高钨浆料的稳定性,对浆料各组分的形貌、工艺进行了分析,发现粉体形貌、分散工艺、树脂性能对钨浆稳定性影响很大,提出了延长载体制备时间、提高载体黏度、选择粒度分布合理且比表面积较小的粉体等改善措施。结果表明,采用改善措施后在实际生产中取得了良好效果,制得的钨浆料印刷在陶瓷基片上于1 300℃烧结,平均封接强度达到39 MPa。     

烧成制度对氧化铝陶瓷性能的影响

通过改变氧化铝陶瓷的烧成制度,对同配方的氧化铝陶瓷进行了体积密度、抗折强度、体积电阻率、金属化抗拉强度等试验,探讨了烧成制度对氧化铝陶瓷相关性能的影响,确定了一种适用于金属化的氧化铝陶瓷的烧成制度.     

氧化铝陶瓷与铜的无焊料接触封接

本文介绍在875℃温度下,99%氧化铝陶瓷与无氧铜的无焊料直接接触的一种封接方法.在真空、温度的作用下,陶瓷与金属之间藉助于铜表面本身形成的液相活性合金,润湿陶瓷而获得牢固的连接.该工艺能适用于多个零件与长瓷筒内套封接,因而使激光管的封接简单而方便.     

凝胶注模成型法制备高纯细晶粒氧化铝陶瓷

介绍了采用高纯超细氧化铝粉料，用凝胶注模成型方法制备高纯细晶粒氧化铝陶瓷的工艺，采用适当的分散剂，制备出了固相体积含量为57％，具有良好流动性的氧化铝浆料。在较低的温度(1480～1510℃)下利用无压烧结工艺，制备了弯曲强度为516MPa，断裂韧性为6．40MPa．m^1/2，微观结构均匀细晶粒的氧化铝陶瓷。     

无氧铜与95%Al2O3陶瓷的封接技术

主要介绍无氧铜作为 95 %Al2 O3 陶瓷的封接材料在真空开关管上的运用。     

Al_2O_3/WCu封装的残余应力有限元分析

采用ABAQUS有限元模拟软件,建立氧化铝陶瓷-钨铜金属功率集成电路外壳的三维计算模型,对其钎焊封装的残余应力进行模拟计算,并系统地分析了外壳设计因素和钎焊因素对封装的残余应力分布及大小的影响。结果表明,氧化铝陶瓷-钨铜金属外壳封装的残余应力存在应力集中现象,主要集中在封接区域;瓷框和底座的厚度比、封接宽度、瓷框倒角半径及钎焊降温速率等因素对其应力分布和大小都有一定的影响。研究结果对外壳封装的可靠性评估和优化设计有一定的指导意义。     

无氧铜与95％Al2OO3陶瓷的封接技术

主要介绍无氧铜作为95％Al2O3陶瓷的封接材料在真空开关管上的运用。     

氧化铝陶瓷领域的中国专利申请现状分析

针对氧化铝陶瓷领域的中国专利申请进行了相关分析,通过对专利申请量的统计分析,研究了氧化铝陶瓷领域的发展趋势;通过对国内外来华专利申请量的对比分析,研究了国内外来华申请量的发展趋势以及国内主要申请人的专利申请分布,以了解氧化铝陶瓷领域的中国专利申请现状及趋势,为氧化铝陶瓷领域的研究与工业化生产提供一定的参考.     

开发陶瓷金卤灯的设想

本文通过对石英金卤灯的现状和陶瓷金卤灯的最新进展的介绍，根据陶瓷金卤灯的结构性能上的特点，提出以研制金卤灯用半透明氧化铝瓷管、玻璃焊料，发射材料等为主要课题的对开发陶瓷金卤灯的设想。     

基于第三代照明半导体氧化铝陶瓷基PCB关键技术研究

LED半导体照明以节能、环保及光亮度更高,将逐渐替代其它普通节能灯,成为未来照明的发展趋势。文章通过第三代照明半导体氧化铝陶瓷基PCB的激光打孔技术、氧化铝陶瓷基与FR4混压技术、流胶及对位精度控制技术、氧化铝陶瓷基与FR4混压翘曲控制技术、板裂控制技术等关键技术研究,找到适合第三代照明半导体氧化铝陶瓷基PCB的制作方法,解决了氧化铝陶瓷制作过程中崩孔、板裂、翘曲等问题,完成了第三代照明半导体氧化铝陶瓷基PCB制作。     

氧化铝陶瓷封接强度的统计分析

采用Weibull分布和正态分布,对氧化铝陶瓷封接强度进行统计分析,并通过Weibull模数和变异系数来表征了材料强度的离散性。同时通过Weibull分布,比较了标准组合抗拉强度、拉钉强度和抗折强度测试的数据。