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凹陷沟道SOI器件的实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文较为详细地描述了凹陷沟道SOI器件的结构和工艺制造技术,采用凹陷沟道技术制备的SOI器件的性能明显优于常规厚膜部分耗尽和常规薄膜全耗尽SOI器件的性能.采用该技术已成功地研制出沟道区硅膜厚度为70nm、源漏区硅膜厚度为160nm、有效沟道长度为0.15~4.0μm的高性能凹陷沟道SOIMOSFET,它与常规薄膜全耗尽SOIMOSFET相比,跨导及饱和漏电流分别提高了约40%. 相似文献
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本文较为详细地介绍了能有效地改善SOS材料结晶质量的双固相外延DSPE工艺,给出了优化的工艺条件.通过比较用DSPE及普通SOS材料制作的CMOS/SOS器件和电路的特性可以看出,采用DSPE工艺能显著改善SOS材料的表面结晶质量,应用DSPE工艺在硅层厚度为350nm的SOS材料上成功地研制出了沟道长度为1μm的高性能CMOS/SOS器件和电路,其巾NMOSFET及PMOSFET的泄漏电流分别为2.5pA和1.5pA,19级CMOS/SOS环形振荡器的单级门延迟时间为320ps. 相似文献
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介绍了在宽禁带半导体6H-SiC材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及MOSFET。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为6H-SiC禁带宽度为3eV,用MOS电容很难测量表面态,故利用栅控二极管在室温条件下来测量表面态。反型沟道器件中电子有效迁移率为20cm^2/V.s,而掩埋沟道MOSFET沟道中的体电子迁移率为180cm^2/V.s,掩埋沟道晶体管是第一只SiC离子注入沟道器件,也是 相似文献
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深亚微米MOSFET模型研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
文中对在深亚微米MOSFET的器件模型研究基础上,提出了研究MOSFET模型值得注意的问题,并对如何建立深亚微米MOSFET模型作出了有益的探讨。 相似文献
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为了实现50~500V的击穿电压范围,本文详细讨论了6H-SiC和3C-SiC肖特基整流器和功率MOSFET的漂移区性质。利用这些数据计算了器件的输出特性,并与Si器件做了比较,结果表明,由于其漂移区电阻非常低,故5000VSiC肖特基整流器和功率MOSFET在室温下能够处理100A/cm^2的导通电流密度,正向压降仅分别为3.85和2.95V。这些数值甚至优于Sipin整流器和门可关断晶闸管。这 相似文献
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本文系统描述了全耗尽短沟道LDD/LDSSOIMOSFET器件模型的电压电压特性。该模型扩展了我们原有的薄膜全耗尽SOIMOSFET模型,文中着重分析了器件进入饱和区后出现的沟道长度调制效应,及由于LDD/LDS区的存在对本征MOS器件电流特性的影响。 相似文献
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本文描述了一种微电子工艺制造中的切割曝光技术,用这一技术在一台G线投影曝光机上制备出深亚微米图形.由此进一步研制成功0.25μmP+多晶硅栅表面沟PMOSFET,它具有良好的器件特性和抵制短沟道效应的能力.对不同沟长NMOS和PMOSFET的研究表明,当沟道长度从2.0μm降至0.5μm时,表面沟PMOS管阈值电压的变化(ΔVT)约为60mV,而NMOS管相应ΔVT为110mV.计算机模拟的切割曝光和单线曝光立体图象也清楚地表明,切割曝光方法对于消除二次谐波影响,提高分辨率具有一定作用. 相似文献
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DUBAT负阻参数的推导和功率DUBAT的设计与研制 总被引:2,自引:0,他引:2
本文第一部分用较简单而不同于文献[1]的方法推导出双基区晶体管(DUBAT)有关的负阻参数,与实验结果符合良好;第二部分对功率型DUBAT进行了设计并初步制成这种器件。 相似文献
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Metamer density estimated color correction 总被引:1,自引:0,他引:1
Color correction is the transformation of response values of scanners or digital cameras into a device- independent color
space. In general, the transformation is not unique due to different acquisition and viewing illuminants and non-satisfaction
of the Luther–Ives condition by a majority of devices. In this paper we propose a method that approximates the optimal color
correction in the sense of a minimal mean error. The method is based on a representative set of reflectance spectra that is
used to calculate a special basic collection of device metameric blacks and an appropriate fundamental metamer for each sensor
response. Combining the fundamental metamer and the basic collection results in a set of reflectances that follows the density
distribution of metameric reflectances if calculated by Bayesian inference. Transforming only positive and bounded spectra
of the set into an observer’s perceptually uniform color space results in a point cloud that follows the density distribution
of device metamers within the metamer mismatch space of acqcuisition system and human observer. The mean value of this set
is selected for color correction, since this is the point with a minimal mean color distance to all other points in the cloud.
We present the results of various simulation experiments considering different acquisition and viewing illuminants, sensor
types, noise levels, and existing methods for comparison. 相似文献