3.3V单电源工作的16Mb DINOR形闪烁存储器

据《电子材料》95年第4期报道，三菱电机和日立制作所业已开发出一种具有3．3V单电源工作的16MbDINOR形闪烁存储器。以往的闪烁存储器共有两个类型，一个是NOR型，另一个是NAND型。高速随机存取的NOR形一个缺点，那就是在向单元写入中由于要采取CHE方式，因此单电源化较为困难。另一方面，单电源工作的NAND形也有其自身的缺点，例如，为了使单元纵向存储而达到芯片缩小化，这就使随机存取变慢了。目前，三菱电机所提出的DINOR形单元它综合了这些类型单元的全部优点，使该技术达到了更加完善的程度。在单元重写中，为了利用FN－…     

双或非(DINOR)16M快闪存储器和1G DRAM电路技术

据《国际半导体》杂志（英文）1995年第8期报道，三菱公司和日立公司已联合开发了一个3．3V单电源的DINOR（双或非）快速存储器。三菱公司还开发了一种适用于1GDRAM芯片的低功耗、高速DRAM电路技术。常规的NOR（或非）快速存储器使用CHE单元写入，这种结构用单电源供电是困难的。与非芯片的迭式存储单元减少了连接点，从而降低了随机存取性能。而双或非结构因结合了两种方法的优点，从而达到了消除瓶颈的目的。用3．3V单电源的双或非16M快速存储器，最主要的革新部分在于晶体管被做成单元，提供32个门单元，每64k字节为一组。芯片…     

三菱电机公司的M5M4256/M54257型256k DRAM

作为超大规模集成电路时代的中间产品-64k DRAM的生产自开始以来已历经四年,随着其生产技术的成熟,各供给元件的厂家及用户,正在开展引人注目的正式超LS1256k DRAM的研究工作。人们认为,256k产品将是4k(有22引线18引线)以来标准品所使用的16引线管壳所能容纳的最终DRAM产品,组装密度是目前64k产品的4倍。     

富士通出售16M位快速存储器,与AMD共同开发,芯片尺寸为87.12mm~2

据《SermiconductorWorld》Vol．13，No．12报道：富士通公司业已开发5V单电源的16M位快速存储器[MBM29F016]，现已出售样品。该公司看到了快速存储器的需要量逐渐增加的趋势，决定与AMD成立联合公司共开始开发这种产品，16M位快速存储器是其第一批拳头产品。新产品使用负栅擦除技术，实现了5V单电源的同时，采用设计规范为0．5m的CMOS技术，实现了芯片尺寸为87．12mm2（9．68mmx9.00mm）的愿望。另外，即使是在随机读出的场合下，读出时间最大为90ns，器件在进行擦除和写入期间，解放CPU是可能的。改写次数可保证在10万次左右，…     

日立制作所开发256M DRAM的布线技术

<正>据日本《电子材料》杂志1991年第10期报道,日立制作所在世界上最早研究形成钨膜的新工艺技术,适用于256M DRAM等的0.2μmULSI布线。 现在的LSI布线以铝为主,而铝的熔点(660℃)比较低,且机械强度小,用于0.2μm布线,在可靠性上很难保证。对钨来说,熔点非常高,可达到3380℃,可靠性也非常好,能够实现超微     

三菱开始出售HV—M22C型视频一体化CCD摄像机

据《映像情报》1987年2月报导:由于1986年度视频磁带录像机普及率大幅度提高,超过了45%,各公司竞相生产与出售小型视频一体化CCD摄像机。三菱的VHS—C规格的视频一体化CCD摄像机已开始正式出售。该机采用1/2吋CCD图像传感器,连续录像时间最长可达60分     

一种0.18 μm CMOS 6位1.6 GHz闪烁型A/D转换器的设计

介绍了一种高速CMOS闪烁型(并行)A/D转换器的设计.采用分块化设计的方法,分别对各个模块的参数指标进行优化,并通过数字方法进行修正,实现了很高的信噪比.芯片的工作电压为1.8 V,最大采样率1.6 GHz,全速采样功耗210 mW,芯片有源区面积为0.75 mm×0.74 mm,采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺实现.     

一种16位1 GS/s电流舵型DAC的设计

设计了一种基于UMC 0.18μm CMOS工艺的16位1GS/s的电流舵型D/A转换器。该DAC采用7+4+5分段结构,1.8V/3V双电源供电,满摆幅输出电流为20mA。采用四开关结构、限幅开关驱动电路、两个cascode管的单位电流源以及两层结构的逻辑译码器,实现了优异的性能。在1GHz采样率、101.07MHz输入信号下,无杂散动态范围(SFDR)达到78.06dB。     

二阶误差反馈型失配误差整形16位500 kS/s SAR ADC

为了解决高精度逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)中电容失配对精度的影响,设计了一种二阶误差反馈型失配误差整形(EFMES)16位精度、500 kS/s采样率、3.3 V工作电压的SAR ADC。采用二阶EFMES结构和动态元件匹配技术,降低了电容失配对ADC精度的影响。该EFMES SAR ADC采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺设计。在输入信号幅度为2.6 V、采样率为500 kS/s时,该ADC的功耗为8.382 mW,SNDR为93.67 dB,ENOB为15.27位,基于SNDR的FoM为168.4 dB。     

基于I2C总线的ADS1100型16位模/数转换器

ADS1100是采用2．7v～5．5V单电源供电的连续自校准模／数（A／D）转换器。它具有分辨率高、接口简单、比例放大、功耗低、体积小等优点。ADS1100采用电源电压为基准电压，可按比例进行A／D转换，同时带有差分输入且具有高达16位的分辨率。     

内置一个10ppm/℃基准的纤巧型16位ADC替代微控制器的ADC

当今的微控制器在其内核之中集成了各种各样的功能部件，包括数字时钟、定时器、存储器以及数以百计的寄存器。这些新型微控制器能够将高级功能压缩在很小的空间里。有些微控制器还内置了模数转换器（ADC），用于测量遍布于电路板上的多种模拟信号。     

4:3和16:9幅型比在HDTV/SDTV节目制作和播出系统中的处理

随着电视广播的数字化进程的开展，高清晰度电视(HDTV)正在逐步成为数字电视的基本业务之一。HDTV和目前的标准清晰度电视业务(SDTV)在参数上有一个很重要的区别是幅型比。SDTV采用4:3的幅型比，而HDTV则采用16:9。这种幅型比的选择与国际标准是一致的。在欧洲，有一种增强型标准清晰度电视业务，采用了16:9的幅型比。但在我国，